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公开(公告)号:CN104710174A
公开(公告)日:2015-06-17
申请号:CN201510104203.X
申请日:2015-03-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种高压电、高储能密度无铅陶瓷介质材料,成分以通式(0.95-x-y-z)Bi0.5Na0.5TiO3–xBi0.5K0.5 TiO3–yBa0.65Sr0.35Ti-O3–zK0.5Na0.5NbO3 –0.05LiTaO3来表示,其中x、y、z表示摩尔分数,0.002≤x≤0.3,0.002≤y≤0.2,0.001≤z≤0.3。本发明采用放电等离子烧结,可在低烧结温度下获得均匀致密的陶瓷组织。本发明的压电、高储能密度陶瓷具有优异的储能密度、储能效率及高压电常数,储能密度可达1.75J/cm3,储能效率可达65%,压电常数d33可达682pm/V、实用性好。
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公开(公告)号:CN104108935A
公开(公告)日:2014-10-22
申请号:CN201410350865.0
申请日:2014-07-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种具有自发压电性能的高温无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以化学式(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xNd2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xLa2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xSm2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xPr2Ti2O7来表示,其中x表示摩尔分数,0 700oC,绿色环保。
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公开(公告)号:CN104108930A
公开(公告)日:2014-10-22
申请号:CN201410349447.X
申请日:2014-07-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种在350℃以上使用的高温稳定型介电陶瓷及其制备方法,成分以通式(1-x)Bi1/2Na1/2TiO3-x(La,Bi)2/3TiO3+zRE2O3来表示,其中RE2O3为稀土氧化物,(La,Bi)中La∶Bi=1∶1(摩尔比),x与z表示摩尔分数,0<x<0.3,0<z≤0.1。本发明的高温稳定型介电陶瓷采用电子陶瓷制备工艺制备而成,采用二次预烧增加陶瓷成分与结构的均匀性,降低陶瓷烧结的工艺敏感性。制备工艺简单、稳定,适合工业推广应用。本发明的陶瓷材料高温介电温度稳定性好,介电常数大,具有低的介电性能温度系数,适合高温MLCC介质使用。
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