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公开(公告)号：CN101404273A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810215653.6
申请日：2008-09-08
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H05K1/18
Abstract: 一种半导体器件，包括门极换流晶闸管和印刷电路板；门极换流晶闸管包括阳极端(103)、阴极端(101)、管壳(105)以及由管壳(105)外壁引出的门极引线(111)；门极引线(111)具有安装面(112)；印刷电路板包括安装孔(302)和第一接触电极；门极换流晶闸管插入印刷电路板的安装孔(302)中，并使安装面(112)与第一接触电极接触；门极换流晶闸管还包括由所述管壳(105)外壁引出的且与阴极端(101)电连接的阴极引线(109)；安装孔的周围、与第一接触电极同侧还具有第二接触电极；阴极引线(109)具有安装面，且阴极引线的安装面(110)与第二接触电极接触。本发明的半导体组件组装简单。
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公开(公告)号：CN100474585C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200610032312.6
申请日：2006-09-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/082 , H01L21/82 , H01L21/8222
Abstract: 集成门极换流晶闸管中阴极图形的排布方法，阴极梳条采取分区复合方式排布：结合圆周排布和矩形排布各自的优点，在分区内部采用矩形排布，而各个分区之间仍按圆周排布。分区的方式各不相同，有些还充许局部修改梳条的位置或尺寸。所述的分区复合方法是：分区由扇区和环道两重分割形成，其中，所述的分区是一个等腰梯形区，它是梳条的基本排布单元；所述的扇区是将圆面沿径向等分为m个相同面积的扇形区，当m较较低时，接近于矩形排布；当m较高时，接近圆周分布。所述的环道是将圆面按正多边形划分为n个不同面积的同心环形区，这个值与芯片直径和梳条长度的选取有关；n越大，梳条总数越多，对电流有益。
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公开(公告)号：CN101123173A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710035781.8
申请日：2007-09-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/306 , C23F1/02
Abstract: 半导体器件芯片台面喷腐方法及装置，在芯片台面喷腐处理时，对芯片上需要保护的表面部分采取遮盖式保护方式，保护芯片上需要保护的表面部分不受损害。通过一套遮盖式保护系统，盖住芯片上需要保护的表面部分，以保证芯片上需要保护的表面部分在喷腐处理时不会有酸液溅浸到芯片中心需要保护的部位。整个装置至少包括一个保护罩，遮盖在芯片台面喷腐处理时，正好盖在芯片中心需要保护的部位，保护罩与芯片一起形成一个密封面，以保证芯片上需要保护的表面部分在喷腐处理时不会受到酸液溅浸。所述的保护罩可以是通过吸附方式吸附在芯片表面上的，也可以是直接通过外力装置紧贴在芯片表面的。
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公开(公告)号：CN1937244A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610032430.7
申请日：2006-10-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种阴电极分叉式半导体器件，它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极，所述阳极和阴极分别位于壳体的两端，所述阴电极的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端从壳体内引出后突出布置于壳体的外侧，所述门电极为门极管，两根或两根以上的门极管的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端突出布置于壳体的外侧。本发明是一种在保证低感连接的条件下，结构简单紧凑、接口简洁、装配方便的阴电极分叉式半导体器件。
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公开(公告)号：CN201084711Y
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200720064503.0
申请日：2007-09-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/306 , C23F1/08 , C23F1/02
Abstract: 半导体芯片串压腐蚀的芯片夹持装置，包括芯片、隔片及压紧机构，其中芯片和隔片采取一片芯片一片隔片串接式排列在一起，并由压紧机构把串接式排列在一起的芯片和隔片组件压紧成一体。所述的隔片为单面防护式串压腐蚀隔片，由能抗酸的塑料或橡胶制成，其尺寸形状需与芯片相配套。隔片的两面为不等直径的环状面；其中，直径大的一面为台面防护面，其直径等于芯片的外径，紧贴在芯片不需要腐蚀的一面，以保证所覆盖的芯片台面在腐蚀过程中不会受到酸腐；直径小的一面为台面腐蚀面，其直径小于芯片的直径，紧贴在芯片台面需要腐蚀的一面，使芯片的台面外露，以保证所外露的芯片台面能受到酸腐。工作时将芯片夹持装置置于“浸泡式酸腐蚀”设备中使用。
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公开(公告)号：CN200965883Y
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200620052552.8
申请日：2006-10-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种直列插入式半导体器件，它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极，所述阳极和阴极分别位于壳体的两端，所述门电极和阴电极的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端从壳体内引出后布置于壳体的外侧形成插头。本实用新型是一种在保证低感连接的条件下，结构简单紧凑、接口简洁、装配方便的直列插入式半导体器件。
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公开(公告)号：CN201174378Y
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200720064858.X
申请日：2007-10-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种半导体芯片的灌胶模具，所述的灌胶模具是一种金属与塑料复合结构的模具，模具包括下模和上模，下模和上模的模芯与模座是一个整体件，且模芯是由金属材料与塑料软体材料复合结构构成的。模芯的机体为金属材料，模芯的机体与模座是连接在一起的金属材料一体结构，在模芯的机体的外表覆盖有一层塑料软体材料，其塑料软体材料可以是喷镀或刷镀在模芯的机体金属材料表面上的，塑料软体材料可以是氟树脂(FR)类工程塑料，如聚四氟乙烯塑料等，也可以是尼龙(PA)类工程塑料，如尼龙66、PPA、PA6T等。
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公开(公告)号：CN200962424Y
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200620052551.3
申请日：2006-10-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L23/48
Abstract: 本实用新型公开了一种阴电极分叉式半导体器件，它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极，所述阳极和阴极分别位于壳体的两端，所述阴电极的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端从壳体内引出后突出布置于壳体的外侧，所述门电极为门极管，两根或两根以上的门极管的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端突出布置于壳体的外侧。本实用新型是一种在保证低感连接的条件下，结构简单紧凑、接口简洁、装配方便的阴电极分叉式半导体器件。
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公开(公告)号：CN201576671U
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200920259630.5
申请日：2009-12-11
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/32
Abstract: 一种功率半导体器件管壳封装装置，包括左卡环1和右卡环2，连接装置和锁紧装置，左卡环1和右卡环2的端部之间用连接装置进行活动连接，左卡环1和右卡环2的另一端部设置有锁紧装置，对功率半导体器件6的管座和管盖裙边进行闭合锁紧。通过应用本实用新型所描述的封装装置，由于封装的接触面积增大，不易损坏功率半导体器件管壳和管盖的裙边，使得对功率半导体器件进行临时封装测试变得更加方便快捷，大幅提高了操作的效率。
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公开(公告)号：CN201084710Y
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200720064502.6
申请日：2007-09-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/306 , C23F1/02
Abstract: 半导体器件芯片台面喷腐磁力吸附局部防护装置，包括一个保护罩，在芯片台面喷腐处理时，保护罩正好盖在芯片中心需要保护的部位，保护罩与芯片一起形成一个密封面，以保证芯片上需要保护的表面部分在喷腐处理时不会受到酸液溅浸。所述的保护罩是通过磁力吸附方式吸附在芯片表面上的，保护罩的主体为导磁材料制作的盘形结构导磁体，在芯片放置的芯片座上设有磁力发生装置，在芯片台面喷射腐蚀处理加工时，保护罩受磁力发生装置的磁力吸附固定在芯片上，并遮盖在芯片中心需要保护的部位上，以防止芯片台面喷射腐蚀处理时不会有酸液溅浸到芯片中心需要保护的部位。所述的磁力吸附方式可以是永磁吸附方式或电磁吸附方式。
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