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公开(公告)号：CN101312241A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810100110.X
申请日：2008-05-22
Applicant: 日产自动车株式会社
CPC classification number: H01M10/0585 , H01M2/266 , H01M10/0413 , H01M10/0463 , H01M10/0525 , Y02E60/122 , Y02T10/7011
Abstract: 二次电池及安装有该二次电池的车辆。本公开讨论了具有优异的耐久性的二次电池以及被构造成安装有该二次电池的车辆。该二次电池包括以下电极构造体：在具有电绝缘性的基体材料层的一个侧面形成阴极，在基体材料层的另一侧面形成阳极。在将电解质层置于多个电极构造体的两两之间使得相邻的电极构造体的阴极和阳极位于电解质层的相反侧上的状态下堆叠多个电极构造体。
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公开(公告)号：CN101064344A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710097691.1
申请日：2007-04-28
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/1608 , H01L29/267 , H01L29/4916 , H01L29/66068 , H01L29/7828
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置设置有：预定导电类型的半导体衬底；异质半导体区，其与半导体衬底的第一主表面接触，该异质半导体区包括能带隙与半导体衬底的能带隙不同的半导体材料；栅极，在与异质半导体区和半导体衬底之间的接合区接近的位置处通过栅绝缘层形成栅极；源极，其连接到异质半导体区；以及漏极，其连接到半导体衬底，其中，异质半导体区包括与源极接触的接触部分，该接触部分的至少一部分区域的导电类型与半导体衬底的导电类型相同，该一部分区域的杂质浓度高于异质半导体区中被布置为通过栅绝缘层面对栅极的栅极面对部分的至少一部分区域的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN101064309A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710097689.4
申请日：2007-04-28
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/0255 , H01L28/20 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/267 , H01L29/66068 , H01L29/7828 , H01L29/866
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。为了防止场效应晶体管的电击穿而隔着场氧化膜形成在N－型漏极区域上的静电放电保护元件和保护电阻器，分别构成为一个或多个第一层的N+型多晶硅区域和第二层的P+型多晶硅区域的堆叠型双向齐纳二极管、以及一个或多个第一层的N+型电阻器层和第二层的N+型电阻器层的堆叠型电阻器。多个第一层的N+型多晶硅区域的一端连接到外部栅电极端子，而另一端连接到源电极。多个第一层的N+型电阻器层的一端连接到栅电极，而另一端连接到外部栅电极端子。通过使用形成异质半导体区域和栅电极的半导体膜，分别形成第一层和第二层的半导体区域。
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公开(公告)号：CN101038878A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200610059812.9
申请日：2006-03-15
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，可提高导通时的驱动力，包含：使用具有规定开口的掩模层，在由基板(1)和漏区(2)构成的半导体基体的一个主面侧形成规定的沟槽(15)的工序；至少与沟槽(15)的侧壁相连接，且从该沟槽(15)露出地形成埋入区域(11)的工序；与半导体基体以及埋入区域(11)相连接地形成异质半导体层(30)的工序；对异质半导体层(30)进行图案形成，形成异质半导体区域(3)的工序。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN104584316B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201380043364.1
申请日：2013-06-24
Applicant: 日产自动车株式会社
CPC classification number: G01R31/3627 , G01R31/362 , G01R31/3624 , G01R31/3648 , G01R31/3658 , G01R31/3679 , H01M10/425 , H01M10/48 , H01M10/482 , H01M2010/4278
Abstract: 在具备单电池(101)以及与单电池(101)相连接的传感器的电池模组(20)中，具备：运算单元，其根据传感器的测量值来运算表示单电池(101)的状态的值；存储单元，其记录由运算单元运算得到的运算值；判断单元，其判断电池模组(20)的不正当使用；以及控制单元，其控制运算单元、存储单元以及判断单元，其中，在由判断单元判断出存在不正当使用的情况下，控制单元删除记录于存储单元的运算值，并且禁止将运算值记录于存储单元。
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公开(公告)号：CN103081286B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201180041723.0
申请日：2011-08-03
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01M10/44 , H01M10/48 , H02J7/00 , H01M10/04 , H01M10/052
CPC classification number: H02J7/00 , H01M10/0418 , H01M10/052 , H01M10/441 , H01M10/482 , H02J7/0021
Abstract: 提供一种电池控制装置，在用来控制构成双极型电池的单电池之间的电压偏差或容量偏差的该电池控制装置中，对构成双极型电池的单电池进行容量调整放电，并且在对构成所述双极型电池的所有单电池中的一个或多个单电池进行容量调整放电的情况下，计算没有进行容量调整放电的其余单电池的电压上升值，并且在发生容量调整放电的情况下，基于所述电压上升值的计算结果来设置总放电电流值。
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公开(公告)号：CN104584316A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201380043364.1
申请日：2013-06-24
Applicant: 日产自动车株式会社
CPC classification number: G01R31/3627 , G01R31/362 , G01R31/3624 , G01R31/3648 , G01R31/3658 , G01R31/3679 , H01M10/425 , H01M10/48 , H01M10/482 , H01M2010/4278
Abstract: 在具备单电池(101)以及与单电池(101)相连接的传感器的电池模组(20)中，具备：运算单元，其根据传感器的测量值来运算表示单电池(101)的状态的值；存储单元，其记录由运算单元运算得到的运算值；判断单元，其判断电池模组(20)的不正当使用；以及控制单元，其控制运算单元、存储单元以及判断单元，其中，在由判断单元判断出存在不正当使用的情况下，控制单元删除记录于存储单元的运算值，并且禁止将运算值记录于存储单元。
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公开(公告)号：CN102160227B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN200980136754.7
申请日：2009-09-25
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01M10/04 , H01M4/02 , H01M4/04 , H01M10/0585
CPC classification number: H01M10/0418 , H01M4/0404 , H01M10/044 , H01M10/052 , H01M10/0585 , H01M2004/029 , Y02T10/7011 , Y10T29/49108
Abstract: 一种双极性二次电池，其包括多个双极性电极，各双极性电极均包括集电体，集电体具有在集电体的一个表面上的正极层和在集电体的相反表面上的负极层。隔膜被布置在相邻的两个双极性电极之间，使得一个双极性电极的正极层和相邻双极性电极的负极层沿着隔膜的长度彼此相对。正极层和负极层形成有凸部，凸部被布置于沿着集电体的长度彼此偏离的位置处。
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