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公开(公告)号:CN110663175A
公开(公告)日:2020-01-07
申请号:CN201880034029.8
申请日:2018-04-24
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种即使在调整了相对带宽的情况下也不易产生Q值的劣化的弹性波装置。一种弹性波装置(1),在高声速材料层(2)上直接或间接地设置有压电体(4),在压电体(4)上直接或间接地设置有IDT电极(5),IDT电极(5)具有第一汇流条(11)、与第一汇流条(11)隔开的第二汇流条(12)、多根第一电极指(13)、以及多根第二电极指(14),IDT电极(5)被加权,加权是具有不与第一汇流条(11)以及第二汇流条(12)电连接的浮置电极指(17)的加权,或者是具有通过将第一电极指(13)彼此或第二电极指(14)彼此的电极指间缝隙金属化而一体化了的电极指的加权。
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公开(公告)号:CN110620562A
公开(公告)日:2019-12-27
申请号:CN201910524037.7
申请日:2019-06-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 岩本英树
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明提供一种弹性波装置及高频前端电路,使在比主模靠高频侧产生的高阶模降低。弹性波装置(1)具备压电体层(2)、IDT电极(3)、高声速支承基板(5)及低声速膜(4)。高声速支承基板在压电体层的厚度方向上夹着压电体层位于与IDT电极相反侧。低声速膜在厚度方向上设置在高声速支承基板与压电体层之间。高声速支承基板具有基底区域(51)和表面区域(52)。表面区域在厚度方向上设置在比基底区域靠低声速膜侧。表面区域具有第一层(53)和第二层(54)。第二层在厚度方向上设置在比第一层靠基底区域侧。高声速支承基板的基底区域的结晶性比表面区域的结晶性好。第二层的结晶性比第一层的结晶性好。
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公开(公告)号:CN110352557A
公开(公告)日:2019-10-18
申请号:CN201880015091.2
申请日:2018-02-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
Abstract: 提供一种能够在维持主模式的良好特性的同时抑制高阶模式的弹性波装置。弹性波装置(1)具备:材料层(2),具有欧拉角( θ1,ψ1),且欧拉角( θ1,ψ1)下的弹性常数由下述的式(1)来表示;由单晶构成的压电体(3),直接或间接地层叠于材料层(2),具有欧拉角( θ2,ψ2),且欧拉角(θ2,ψ2)下的弹性常数由下述的式(1)来表示;和IDT电极(4),设置在压电体(3)的第1主面以及第2主面之中的至少一方,材料层的弹性常数C11~C66之中非0的至少一个弹性常数和压电体的弹性常数C11~C66之中非0的至少一个弹性常数成为相反符号。[数学式1]
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公开(公告)号:CN110011637A
公开(公告)日:2019-07-12
申请号:CN201811553287.5
申请日:2018-12-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
Abstract: 一种弹性波装置,能够降低频率比基本波高的高次模式的强度。弹性波装置(1)具备压电膜(4)、高声速构件、低声速膜(3)及IDT电极(5)。低声速膜(3)设置在压电膜(4)与高声速构件之间,是与在压电膜(4)传播的弹性波的声速相比所传播的弹性波的声速为低速的膜。IDT电极(5)具有多个电极指(51)。多个电极指(51)相互分离地沿第一方向(D1)并排设置。多个电极指(51)的至少一个具有第一金属层。第一金属层包含第一主体部(52)和第二主体部(59)。凹部(54)形成在电极指(51)的第一方向(D1)上的中央区域,在压电膜(4)的厚度方向(D2)上凹陷。凸部(53)设置为在第一方向(D1)上比第一主体部(52)的至少一部分突出。
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公开(公告)号:CN109802650A
公开(公告)日:2019-05-24
申请号:CN201811309869.9
申请日:2018-11-05
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供能够抑制由横模造成的杂散的弹性波装置,具备:压电性基板,具有压电体层和高声速构件层,压电体层直接或间接地层叠在高声速构件层上;以及IDT电极,设置在压电性基板上。压电体层由钽酸锂构成。在将弹性波传播方向设为第一方向并将与第一方向正交的方向设为第二方向时,在IDT电极中,沿着第二方向依次配置有中央区域、第一低声速区域、第二低声速区域以及第一高声速区域、第二高声速区域。第一低声速区域、第二低声速区域通过在IDT电极的第一电极指、第二电极指上设置质量附加膜而构成。通过由IDT电极的电极指间距规定的波长对质量附加膜的膜厚进行归一化的波长归一化膜厚与质量附加膜的密度之积为13.4631以下。
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公开(公告)号:CN105814794B
公开(公告)日:2019-05-17
申请号:CN201480066958.9
申请日:2014-12-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供能有效果地抑制横模脉动的弹性波装置。在弹性波装置(1)中,在压电薄膜上层叠IDT电极(11~14),IDT电极(11)具有多条第1电极指(11c)、多条第2电极指(11d),将第1电极指(11c)的前端彼此或第2电极指(11d)的前端彼此连结的线相对于弹性波传播方向倾斜,成倾斜角度(v),该倾斜角度(v)为0.4°以上、10°以下。
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公开(公告)号:CN107925397A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201680049730.8
申请日:2016-09-02
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/02574 , H03H9/02559 , H03H9/25
Abstract: 提供一种Q值高且由压电膜的膜厚偏差导致的特性的偏差少的弹性波装置。在弹性波装置(1)中,低声速膜(4)、压电膜(5)以及IDT电极(6)按该顺序层叠在作为高声速部件的高声速支承基板(3)上。在将由IDT电极(6)的电极指周期决定的弹性波的波长设为λ时,压电膜(5)的膜厚超过1.5λ且为3.5λ以下。在高声速支承基板(3)中传播的体波声速与在压电膜(5)中传播的弹性波声速相比为高速。在低声速膜(4)中传播的体波声速与在压电膜(5)中传播的弹性波声速相比为低速。
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公开(公告)号:CN107852145A
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:CN201680046210.1
申请日:2016-08-31
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 岩本英树
CPC classification number: H03H9/05 , H03H9/02574 , H03H9/145 , H03H9/25
Abstract: 本发明提供一种能够有效地抑制高阶模式的响应的弹性波装置。弹性波装置(1)具备:支承基板(2),包含硅;压电膜(4),直接或间接设置在支承基板(2)上;以及IDT电极(5),设置在压电膜(4)的一个面。在压电膜(4)中传播的高阶模式的声速设为与由从下述的式(2)导出的x的解V1、V2、V3中的V1规定的、在硅中传播的声速Vsi=(V1)1/2相同,或者与声速Vsi相比为高速,Ax3+Bx2+Cx+D=0…式(2)。
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公开(公告)号:CN104380601A
公开(公告)日:2015-02-25
申请号:CN201380032010.7
申请日:2013-06-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H03H9/25 , H01L41/047 , H01L41/0805 , H03H9/0222 , H03H9/02574 , H03H9/171 , H03H9/205
Abstract: 本发明提供特性良好且能抑制基于高阶模的响应的弹性波装置。弹性波装置(1)在支承基板(2)上层叠传播的体波音速比在压电膜(5)中传播的弹性波音速更高速的高音速膜(3),在高音速膜(3)上层叠传播的体波音速比在压电膜(5)中传播的体波音速更低速的低音速膜(4),在低音速膜(4)上层叠上述压电膜(5),在压电膜(5)的一方的面层叠IDT电极(6),在高音速膜的上方的结构部分,作为所利用的弹性波的主模的能量集中度为99.9%以上,且成为杂散的高阶模的能量集中度为99.5%以下。
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公开(公告)号:CN118944631A
公开(公告)日:2024-11-12
申请号:CN202410297396.4
申请日:2024-03-14
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 岩本英树
Abstract: 本发明能够提供一种能够容易地调整相对带宽的弹性波装置。本发明的弹性波装置(1)具备支承基板(2)、直接或间接地设置在支承基板(2)上的压电性构件层(6)、以及设置在压电性构件层(6)上的IDT电极(12)。压电性构件层(6)包含至少一层的旋转Y切割的钽酸锂层(7)和至少一层的旋转Y切割的铌酸锂层(8)。钽酸锂层(7)和铌酸锂层(8)交替地层叠。钽酸锂层(7)和铌酸锂层(8)的合计的层数为3层以上。
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