公开(公告)号：CN1701435A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200480001162.1

申请日：2004-01-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田洁

IPC: H01L21/784 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327

Abstract: 在其中半导体晶片6通过等离子体被分为单独片的等离子体解理工艺中，形成的覆盖有源层41的SiO2层42和保护层43被用作蚀刻阻挡层，用于缓冲在其中蚀刻且切开晶片基层40的第一等离子体解理步骤中的蚀刻速率波动。然后，进行第二等离子体解理步骤，其中用能够以高蚀刻速率蚀刻的第二等离子体产生气体切断由第一蚀刻解理步骤所暴露的蚀刻阻挡层，且防止当保护片30长时间暴露于等离子体时导致的热损伤。

公开(公告)号：CN1692492A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200380100441.9

申请日：2003-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 有田洁

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/68

Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法，该方法将其上形成有多个半导体元件的半导体晶片6划分为单片半导体元件。在电路形成面6a的相反面的厚度通过机械加工减小后，通过抗蚀剂薄膜31a形成用于确定切割线31b的掩模，并且当等离子从掩模一侧暴露时，通过在切割线部分31b上进行等离子蚀刻将半导体晶片6分割为单片半导体元件6c，然后通过等离子去除抗蚀剂薄膜31a，再通过等离子蚀刻去除机械加工面上产生的微缝层6b。以上一系列等离子处理通过同一等离子处理设备执行。