公开(公告)号：CN115551968A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202180034085.3

申请日：2021-05-12

Applicant: 大金美国股份有限公司 ,  大金工业株式会社

Inventor： 立原清美 ,  本多义昭 ,  三桥尚志 ,  木河浩司

IPC: C09K5/14 ,  C08K3/013 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明提供一种高温低排气热界面材料。所述热界面材料包括分散在如全氟聚醚的含氟流体中的多个导热颗粒。所述高温低排气热界面材料在高于200℃的温度下在热源和散热器之间提供导热性。

公开(公告)号：CN114746507A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202080083431.2

申请日：2020-12-10

Applicant: 迈图高新材料日本合同公司 ,  大金工业株式会社

Inventor： 饭田勋 ,  小野和久 ,  藤本哲夫 ,  丸桥和希 ,  三桥尚志

IPC: C08L71/02 ,  C08G65/336 ,  C08K5/5415

Abstract: 一种湿固化性的固化性组合物，其包含：式(I)所示的含全氟(聚)醚基的硅烷化合物(a1)；式(II)所示的含全氟(聚)醚基的硅烷化合物(a2)(各个式中，各基团的定义如说明书所记载)；(b)具有至少2个与Si原子键合的OR2基(在此，R2在每次出现时各自独立地为氢原子或1价的有机基团)的有机硅化合物或其部分水解缩合物；以及(c)缩合催化剂。该固化性组合物提供相容性优异、耐裂纹性优异的固化物。

公开(公告)号：CN114729117A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202080080491.9

申请日：2020-11-19

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 松井元志 ,  池内秀幸 ,  内藤真人 ,  小泽香织 ,  前平健 ,  野村孝史 ,  三桥尚志 ,  高野真也

IPC: C08G65/336

Abstract: 本发明提供一种式(1a)或式(1b)所示的含氟代聚醚基的硅烷化合物。式中，各符号的含义与说明书的记载相同。RF1α‑XA‑RSiβ(1a)RSiγ‑XA‑RF2‑XA‑RSiγ(1b)。

公开(公告)号：CN110392723B

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN201880017495.5

申请日：2018-03-14

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 三桥尚志 ,  野村孝史 ,  小泽香织

IPC: C09K3/18 ,  C08G65/22 ,  C08G65/336 ,  C08K5/41 ,  C08L71/02 ,  C09D5/16 ,  C09D7/63 ,  C09D171/02 ,  C23C14/24 ,  G02B1/18

Abstract: 本发明提供一种表面处理剂，其含有含全氟(聚)醚基的硅烷化合物和分子结构内含有具有非共用电子对的原子的化合物。

公开(公告)号：CN114127206A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202080051310.X

申请日：2020-06-23

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 野村孝史 ,  内藤真人 ,  小泽香织 ,  中野希望 ,  三桥尚志

IPC: C09D171/02 ,  C09D7/63 ,  C23C14/12 ,  C23C14/24 ,  C09K3/18

Abstract: 本发明提供一种表面处理剂，其含有含氟硅烷化合物和金属化合物，该金属化合物所含的金属原子为选自元素周期表第3～11族的过渡金属原子和第12～15族的典型金属原子中的1种或1种以上的金属原子。

公开(公告)号：CN113905883A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202080037342.4

申请日：2020-05-18

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 野村孝史 ,  内藤真人 ,  小泽香织 ,  中野希望 ,  三桥尚志 ,  渡边裕介

IPC: B32B9/00 ,  B32B17/06 ,  B32B27/00 ,  B32B27/30 ,  C03C17/42 ,  C09K3/18

Abstract: 本发明提供一种物品，其具有基材、位于上述基材上的中间层、和直接位于上述中间层上的由含有含氟硅烷化合物的表面处理剂形成的表面处理层，上述中间层包含含Si的复合氧化物。

公开(公告)号：CN113677739A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202080025560.6

申请日：2020-03-26

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 山下恒雄 ,  三桥尚志 ,  胜川健一 ,  前平健 ,  本成善美

IPC: C08G65/336 ,  C09D171/00 ,  C09K3/18

Abstract: 下述式(1)或(2)所示的含氟代聚醚基的化合物[式中，RSi由式(S1)表示，各记号如说明书所记载]。‑X1‑SiRa1p1Rb1q1Rc1r1(S1)。

公开(公告)号：CN109890870B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201780066348.2

申请日：2017-10-27

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 三桥尚志 ,  能势雅聪 ,  野村孝史 ,  高野真也 ,  内藤真人 ,  P·胡普菲尔德

IPC: C08G65/336 ,  C09K3/18

Abstract: 一种包含－PFPE－X－SiRakRblRcm所示的结构的含全氟(聚)醚基的硅烷化合物。例如，PFPE表示全氟(聚)醚基，X表示碳原子数2～20的取代或非取代的亚烷基，Ra表示含Si的官能团，Rb表示羟基或能够水解的基团，Rc表示氢原子或低级烷基，k为1～3的整数，l和m分别为0～2的整数，在每个－SiRakRblRcm中，k、l和m之和为3。

公开(公告)号：CN111670207A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN201980011171.5

申请日：2019-01-31

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 三桥尚志 ,  野村孝史 ,  内藤真人 ,  渡边裕介 ,  小泽香织 ,  高野真也 ,  P·胡普菲尔德

IPC: C08G65/336 ,  C03C17/32 ,  C08G65/00 ,  H04M1/02

Abstract: 一种电子设备，其至少在部分表面具有式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)或(C2)中的任一式所示的含氟代(聚)醚基的硅烷化合物形成的表面处理层。式中，PFPE在每次出现时分别独立地为式：－(OC6F12)a－(OC5F10)b－(OC4F8)c－(OC3XF6)d－(OC2F4)e－(OCF2)f－所示且至少具有1个支链结构的基团、或者为式：－(R16－R17)j1－所示的基团。各符号的含义与说明书中的记载相同。

公开(公告)号：CN107709506B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201680037253.3

申请日：2016-06-21

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 胜川健一 ,  三桥尚志 ,  吉田知弘 ,  能势雅聪 ,  并川敬

IPC: C09K3/18 ,  C07F7/18 ,  C08G65/336 ,  C09D5/16 ,  C09D7/63 ,  C09D7/65 ,  C09D171/00 ,  C09D183/06 ,  C09D183/12

Abstract: 本发明提供一种含有下述式(1)[式中，各符号的含义与说明书中的记载相同。]所示的至少1种的含全氟(聚)醚基的硅烷化合物的表面处理剂，上述含全氟(聚)醚基的硅烷化合物的数均分子量为3000以上且低于6000，表面处理剂所含的含全氟(聚)醚基的硅烷化合物的80mol％以上是g为2以上的化合物。