一种电力电子装备冷却系统、方法和一种冷凝器

    公开(公告)号:CN116583067A

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202310205687.1

    申请日:2023-03-02

    IPC分类号: H05K7/20 F28B1/06

    摘要: 本发明公开了一种电力电子装备冷却系统、方法和一种冷凝器。包括:蒸发器、全密封箱体、蒸汽管、冷凝器和回流管;全密封箱体内注有的液态冷却介质将半导体器件、蒸发器及其他附属装置浸没,全密封箱体两侧分别接通蒸汽管和回流管;蒸发器与半导体器件压接成一个整体并设置在全密封箱体内,将蒸发器周围的液态冷却介质汽化,进入设置在全密封箱体上方的冷凝器,冷凝器分别接通蒸汽管和回流管,将汽态冷却介质液化,回流到全密封箱体内。实现了冷却介质动态自循环,更安全可靠,运行维护更方便,传热效率高,装备尺寸大幅缩小、成本降低,解决了传统风冷散热功率小、运行噪音大、水冷结构复杂、设备尺寸大、渗漏水故障率高、安装运维复杂等问题。

    一种组合式均压反激磁耦合高压直流变换器

    公开(公告)号:CN116545216A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202310323747.X

    申请日:2023-03-30

    申请人: 清华大学

    摘要: 本发明公开了一种组合式均压反激磁耦合高压直流变换器。包括:前、后级电路,前级包括高压输入端口、8个反激原边模块和7个反激副边模块,反激原边模块和反激副边模块磁耦合,反激原边模块串联后的两端分别设置高压输入端口的正负极,反激副边模块串联后的两端分别设置正负极直流母线,后级包括两个相同的后级变压器,后级变压器的输入端并联在直流母线的两极,后级变压器的原边包括带钳位二极管的半桥LLC电路,半桥LLC电路包括由两个开关管组成的半桥、两个谐振电容、后级励磁电感和漏感。本发明降低了器件电压应力,能够满足开关管选型要求,具有软开关、器件应力小等优点,提升了装置效率,不需额外均压电路便可实现自动均压。

    一种电力电子变换器拓扑及其调压方法

    公开(公告)号:CN116526885A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310108399.4

    申请日:2023-01-20

    摘要: 本发明属于直流输电系统技术领域,特别涉及一种电力电子变换器拓扑及其调压方法,其中调压方法包括根据开关电容阀的输出电压|Um|和外部控制要求的电力电子变换器交流侧输出电压确定调压系数;根据调压系数和开关电容阀的输出电压|Um|,确定PWM调制波;通过PWM调制波对开关阀任意一相桥臂进行高频斩波,另一相桥臂进行低频切换;本发明的调压方法可实现电力电子变换器拓扑暂态调压应用时的宽范围调压,例如低电压穿越应用,并且调压范围较奇次谐波注入法的18%提高到了100%;本发明的拓扑可以实现全控器件数量和模块电容数量的大幅降低,从而带来成本和体积的大幅优化。

    一种耐压终端结构、钝化方法及功率半导体器件

    公开(公告)号:CN116504723A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310762805.9

    申请日:2023-06-27

    申请人: 清华大学

    摘要: 本申请提供了一种耐压终端结构、钝化方法及功率半导体器件,该耐压终端结构包括:薄二氧化硅层,设置在功率半导体器件的表面,并覆盖功率半导体器件的预设保护区;掺氧半绝缘多晶硅层,设置在薄二氧化硅层上,掺氧半绝缘多晶硅层的宽度小于或等于薄二氧化硅层的宽度;氮化硅层,完全覆盖掺氧半绝缘多晶硅层和薄二氧化硅层;聚酰亚胺层,完全覆盖氮化硅层。所述钝化方法用于形成所述耐压终端结构。本申请提供的耐压终端结构、钝化方法及功率半导体器件,能够减小漏流,阻挡外来水汽、碱金属离子等杂质入侵,防止化学腐蚀,实现机械缓冲保护,提高半导体器件的耐压能力。

    半导体器件局部金属电极去除装置及方法

    公开(公告)号:CN116504684A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310762808.2

    申请日:2023-06-27

    申请人: 清华大学

    摘要: 本申请提供一种半导体器件局部金属电极去除装置及方法,该装置包括:承片台,承载半导体器件移动至各缺陷标记位置;导电毛刷,固定在承片台上并与半导体器件的门极电极接触;第一探针,与半导体器件的缺陷电极接触;直流电源阳极与第一探针连接,阴极与导电毛刷连接,用于电解滴加电解液后的缺陷电极;电压检测模块正极与第一探针连接,阴极与导电毛刷连接,用于检测第一探针与导电毛刷间的电压,并根据电压控制直流电源的关闭。该方法基于该设备实现。本申请提供的半导体器件局部金属电极去除装置及方法,解决了现有技术无法自动检测和去除缺陷电极的问题,提高了缺陷电极去除精度,降低了操作难度,提高了半导体器件的良率。

    一种适用于可关断换流器的MOV
    57.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116488122A

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202310444364.8

    申请日:2023-04-24

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: H02H9/04 H02J3/36

    摘要: 本发明提供了一种适用于可关断换流器的MOV,其中,所述MOV包括串联的金属氧化物压敏电阻MOV本体以及保护装置,其中,所述MOV本体,用于实现可关断换流器中的可关断器件的过电压保护和关断能量吸收;所述保护装置,用于实现对MOV本体的过能量保护。本发明通过对MOV本体和串联的保护装置进行合理的参数设计,可同时实现对可关断器件的过电压保护和对MOV本体的过能量保护。

    基于混合换流器的海上风电低频送出系统及其控制方法

    公开(公告)号:CN116454955A

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202310437464.8

    申请日:2023-04-21

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: H02J3/34 H02J3/38

    摘要: 本发明公开了基于混合换流器的海上风电低频送出系统及其控制方法,该系统的海上风电场的交流侧通过海上升压站和所述低频交流电缆连接至陆上交流母线;陆上低频侧二极管整流器的交流侧通过低频侧整流变压器和第一交流开关连接至陆上交流母线;陆上低频侧直流电压可变型辅助MMC的交流侧通过低频侧辅助连接变压器和第二交流开关连接至陆上交流母线;陆上工频侧直流电压可变型换流器的交流侧通过第三交流开关与交流电网连接。本发明可以减少海上风电低频送出系统的电力电子器件数目,降低储能需求;可以为海上低频系统提供并网电压,实现黑启动,并补偿其无功功率和谐波电流,保证电能质量,还能实现陆上换流器内部功率分配,优化系统运行效率。

    复合式独立电位传感器的直流合成场强测量装置及其方法

    公开(公告)号:CN106249061B

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN201610600675.9

    申请日:2016-07-27

    IPC分类号: G01R29/12

    摘要: 本发明涉及复合式独立电位传感器的直流合成场强测量装置及其方法,属于电力系统电磁环境监测领域。该测量装置由两个电位互相独立且绝缘隔离的传感器和,和由差分信号处理模块、无线信号传输模块及无线信号收发模块及无线供能模块组成的信号处理电路构成;其中,传感器与传感器用绝缘材料隔开,通过绝缘材料进行机械上的连接,以实现完全电位隔离,所述信号处理电路集成在PCB版上,分别与两个传感器电连接。该方法包括对传感装置的λ参数进行标定,在实际测量待没电场时,两个传感器测量得到电场,作为该一位置点的两个原始数据;根据差分原理得到该该点的待测值。本发明可便捷、有效、可靠地进行离子流场条件下的直流合成场强测量。

    压接型半导体器件
    60.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116364661A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202310645836.6

    申请日:2023-06-02

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: H01L23/04 H01L23/367

    摘要: 本申请提供一种压接型半导体器件,可用于电力半导体器件技术领域。所述压接型半导体器件包括:芯片、设置在所述芯片的阳极侧的阳极金属管壳以及设置在所述芯片的阴极侧的阴极金属管壳;所述芯片的阳极侧和所述阳极金属管壳之间还设置有阳极金属垫片,所述阳极金属垫片和所述阳极金属管壳之间通过第一低热阻结合层连接;和/或所述芯片的阴极侧和所述阴极金属管壳之间还设置有阴极金属垫片,所述阴极金属垫片和所述阴极金属管壳之间通过第二低热阻结合层连接。本申请实施例提供的压接型半导体器件,能够将金属垫片与金属管壳之间的压力接触面替换为低热阻结合层,大幅降低了封装结构的接触热阻,从而降低器件整体的结壳热阻。