-
公开(公告)号：CN108347264B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201711481655.5
申请日：2017-12-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H04B3/46
Abstract: 本发明公开了一种电力线宽带载波通信测试电路中的阻抗变换设备。其包括上位机、微控制器、功率放大电路、继电器组、模拟阻抗电路组以及滤波电容组。微控制器与上位机之间进行数据通信。微控制器的对应管脚根据上位机的指令输出高低电平，电平信号经功率放大电路进行功率放大，驱动继电器组的触点闭合或断开。模拟阻抗电路组中每个模拟阻抗电路由电阻和电容串联构成并且每个模拟阻抗电路与继电器组的一部分继电器一一对应相连。滤波电容组中每个滤波电容与继电器组的另一部分继电器一一对应相连，用于过滤低频信号。该阻抗变换设备可以更加真实模拟实际场景阻抗特性，提高电力线宽带载波通信测试的准确度和全面性，降低测试成本。
-
公开(公告)号：CN108170944B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201711432765.2
申请日：2017-12-26
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: G06F30/23 , G06F111/06 , G06F113/18 , G06F119/14
Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体器件的压力均衡制作参数优化方法及制作方法，该半导体器件的压力均衡制作参数优化方法包括：根据并联多芯片子模组的外轮廓确定半导体器件的电极盖板的形状，根据半导体器件参数建立半导体器件的有限元模型，并对有限元模型进行有限元分析，从而得到有限元分析结果，然后根据半导体器件的电极盖板的形状及有限元分析结果，确定半导体器件的制作参数。根据本发明实施例提供的半导体器件的压力均衡制作参数优化方法得到制作参数，利用该制作参数制作半导体器件，实现了半导体器件的压力均衡，提高了半导体器件的电气特性和可靠性。
-
公开(公告)号：CN112879675A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110357597.5
申请日：2021-04-01
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网经济技术研究院有限公司 , 应急管理部四川消防研究所 , 国网浙江省电力有限公司 , 国网浙江省电力有限公司金华供电公司 , 中国电力工程顾问集团西北电力设计院有限公司 , 中国电力工程顾问集团中南电力设计院有限公司 , 中国电力工程顾问集团西南电力设计院有限公司 , 中国电力工程顾问集团华东电力设计院有限公司 , 中国能源建设集团广东省电力设计研究院有限公司
Inventor： 聂京凯 , 周亦夫 , 刘晓圣 , 姬军 , 王庆 , 黄勇 , 韩钰 , 侯东 , 朱辉 , 吕文娟 , 王幼军 , 李辰曦 , 王晖 , 徐晴 , 李克白 , 张喆 , 陈晓刚 , 王斌
Abstract: 本发明提供一种换流站阀厅用条形单元小封堵组件，属于换流站阀厅封堵技术领域，包括：小封堵本体，为绝热材料，所述小封堵本体围绕待封堵的空隙构成环状，所述小封堵本体构成的环形上具有至少一个用于安装膨胀单元的空位；膨胀单元，为受热膨胀材料，所述膨胀单元设置在所述小封堵本体构成的环形的空位内，所述膨胀单元为贯穿由所述小封堵本体所形成的环形的厚度方向的条形结构。本发明提供的一种换流站阀厅用条形单元小封堵组件，通过将膨胀单元设置于小封堵本体上设有的空位内，膨胀单元受热膨胀将缝隙填满，保证阀厅的防火性和密封性。
-
公开(公告)号：CN109801899B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201811607844.7
申请日：2018-12-27
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L25/07
Abstract: 本发明公开一种功率半导体模块，包括：多个并列设置的功率半导体单元，每个功率半导体单元封装在管壳中，且通过管壳中的弹力单元进行弹力支撑，每个功率半导体单元相互独立设置，且安装在第一金属电极与第二金属电极之间，第一金属电极与每个功率半导体单元电连接，第一金属电极与第二金属电极分别与外部电路电连接。本发明中的功率半导体模块中的功率半导体单元相互独立设置，当某一功率半导体单元一旦发生故障，可以利用另外正常的功率半导体单元替换，因此，可以充分利用芯片子模块，进而提高芯片子模块的利用率，可以减少芯片子模块的更换成本。
-
公开(公告)号：CN111693844A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010797186.3
申请日：2020-08-10
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种压接型半导体器件的测试装置、测试方法及电子设备，其中，测试装置包括：压力传感器，用于检测施加于待测压接型半导体器件上的多组接触压力值；电压表，两端分别与待测压接型半导体器件的集电极和发射极连接，用于检测待测压接型半导体器件集电极与发射极之间的多组正向压降值；固定电流源，与待测压接型半导体器件集电极和发射极分别连接，用于向待测压接型半导体器件提供固定电流；处理器，与压力传感器及所述电压表连接，用于利用多组接触压力值、多组正向压降值、固定电流以及施压面积计算得到待测压接型半导体器件的接触电阻值。本发明无需测量压接型半导体器件的微观参数，测试简单易于操作。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111426931A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010322303.0
申请日：2020-04-22
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种IGBT器件的测试装置、测试方法及电子设备，其中，测试装置包括：压力传感器，用于检测施加于待测IGBT器件上的多组接触压力值；电压表，两端分别与待测IGBT器件的集电极和发射极连接，用于检测待测IGBT器件集电极与发射极之间的多组通态压降值；固定电流源，与待测IGBT器件集电极和发射极分别连接，用于向待测IGBT器件提供固定电流；处理器，与压力传感器及所述电压表连接，用于利用多组接触压力值、多组通态压降值、固定电流以及施压面积计算得到待测IGBT器件的接触电阻值。本发明提供的IGBT器件的测试装置，利用多组通态压降值、固定电流以及施压面积计算得到接触电阻值，无需测量IGBT器件的微观参数，测试简单易于操作。
-
公开(公告)号：CN108267680B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201711432950.1
申请日：2017-12-26
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力公司 , 国家电网有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种基于IGBT器件关断的电感提取方法及装置，其中方法包括：获取待测IGBT器件在关断瞬态下的负载电流值、待测IGBT器件的集电极的至少四个不同关断电流值和发射极与集电极之间的至少四个不同关断电压值；根据测试参数，分别建立至少四个电压关系式，其分别包含四个不同的设定参数，四个不同的设定参数分别代表待测IGBT器件在关断瞬态下闭合回路中的续流支路电阻值、总电阻值、总电感值和电源电压值；计算四个电压关系式得到待测IGBT器件在关断瞬态下闭合回路中的总电感值。本发明通过获取待测IGBT器件在关断瞬态下其集电极多个不同关断电流值和发射极与集电极之间的多个不同关断电压值使得提取闭合回路的总电感值更加精确。
-
公开(公告)号：CN108267643B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201711434609.X
申请日：2017-12-26
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网浙江省电力公司 , 国家电网有限公司
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置，其中方法包括：获取待测IGBT器件在开通瞬态下第一电流参数和第一电压参数、关断瞬态下第二电流参数和第二电压参数；选择第一电流参数和第二电流参数相同的数参数作为目标电流参数；根据目标电流参数和其对应电压参数分别建立待测IGBT器件在开通瞬态和关断瞬态闭合回路的第一电压关系式和第二电压关系式；计算第一电压关系式和第二电压关系式的差值消除电阻参数变量得到闭合回路中的电感参数。本发明通过同时分别采集待测IGBT器件开通瞬态的第一电流参数和第一电压参数和关断瞬态的第二电流参数和第二电压参数，通过计算消除回路中的电阻参数变量，可以准确地提取闭合回路中电感参数。
-
公开(公告)号：CN110413257A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910693756.1
申请日：2019-07-30
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G06F7/58
Abstract: 本发明公开了一种随机数产生电路，包括：真随机数发生器，用于接收第一时钟信号，并在所述第一时钟信号的控制下产生一位真随机数；线性反馈移位寄存器，用于接收第二时钟信号，并在所述第二时钟信号的控制下产生m位伪随机数，并输出所述m位伪随机数作为随机数产生电路的输出结果；处理电路，分别与所述线性反馈移位寄存器、所述真随机数发生器相连接，用于根据所述真随机数以及m位伪随机数进行计算，并将计算结果反馈给所述线性反馈移位寄存器。本发明提供的随机数产生电路，通过引入真随机数TRNG_A，使输出的m位TRNG随机数具有不可预测性，满足随机数高安全性的需求。
-
公开(公告)号：CN110287748A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910593565.8
申请日：2019-07-03
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G06K7/10
Abstract: 本发明公开了一种超高频RFID防碰撞方法，其包括：读写器向每个电子标签发送特殊约定选择命令和查询命令，其中查询命令中包括参数Q；读写器接收时隙计数器的数值为0的电子标签中的数据并发送确认命令，其中，时隙计数器的数值是电子标签的唯一电子产品编码中流水号的Q位数据，且时隙计数器的数值是电子标签在收到特殊约定选择命令和查询命令后赋值至时隙计数器的；读写器向电子标签发送查询重复命令，接收时隙计数器的数值为0的电子标签返回的数据并向电子标签发送确认命令，其中查询命令执行1次，查询重复命令最多执行2^Q-1次，帧长度为2^Q。该超高频RFID防碰撞方法通过较为简单的运算，在不影响芯片功耗的情况下实现非常高的防碰撞效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
92
records
(took 0.08 seconds)
