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公开(公告)号：CN116903377A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311004539.X
申请日：2023-08-10
Applicant: 扎赉诺尔煤业有限责任公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/577 , C04B35/622 , C04B38/06
Abstract: 一种利用褐煤与气相二氧化硅制备SiC基多孔材料的方法，它涉及一种制备SiC基多孔材料的方法。本发明要解决现有制备SiC基多孔材料存在高成本、工艺复杂、设备要求严格的问题。制备方法：一、称取；二、制备混合浆料；三、制备胚体；四、排胶；五、高温烧结。本发明用于利用褐煤与气相二氧化硅制备SiC基多孔材料。
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公开(公告)号：CN111441104B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202010163783.0
申请日：2020-03-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: D01F9/08
Abstract: 一种由碳纤维制备CSiNB四元纤维的方法，具体涉及一种由碳纤维制备CSiNB四元纤维的方法。本发明的目的是为了解决现有制备CSiNB陶瓷的方法操作困难、成本高，且制备出的多为块体的问题，制备方法：一、预处理；二、配制硅源；三、负载催化剂；四、高温反应；五、酸洗；六、浸渍；七、焙烧；八、重复焙烧。优点：一、成本低、操作简单；二、调节碳纤维与硅源反应生成SiC的反应程度，从而能够进一步调整制备出的纤维的力学性能、导电性能；三、本发明制备出的CSiNB四元纤维在径向的元素分布具有梯度分布。本发明应用于高性能陶瓷纤维的制备领域。
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公开(公告)号：CN112794330B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202110062768.1
申请日：2021-01-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Inventor： 王志江
IPC: C01B32/991 , B82Y40/00
Abstract: 一种碳化硼纳米线的制备方法，本发明涉及碳化硼材料制备领域，具体涉及碳化硼纳米线的制备技术，具体涉及B4C纳米线的制备技术。本发明要解决现有方法制备B4C纳米线的纯度低，形貌不均的技术问题。方法：一、原料的混合；二、高温加热生长B4C纳米线。本发明制备的碳化硼纳米线纯度高、长径比高、形貌均一。本发明制备的碳化硼纳米线用于提高陶瓷、金属、树脂等材料的强度。
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公开(公告)号：CN112607715B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202011607282.3
申请日：2020-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Inventor： 王志江
IPC: C01B21/068 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种高纯α相氮化硅纳米线的制备方法，它涉及一种高纯α相氮化硅的制备方法。本发明要解决现有制备一维氮化硅纳米材料的方法存在工艺过程复杂、难以实现可控生长且大量制备，还可能导致污染，产物纯度低且均匀性差的问题。制备方法：一、制备前躯体；二、烧结反应；三、提纯处理。本发明用于高纯α相氮化硅纳米线的制备。
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公开(公告)号：CN109179419B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201811032297.4
申请日：2018-09-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/984
Abstract: 一种试管刷状SiC纳米线的制备方法。本发明属于吸波、环保、催化、生物传感、半导体材料、能源和核防护材料制备、结构陶瓷领域，特别是涉及一种试管刷状SiC纳米线的制备方法。本发明是要解决现有SiC纳米线力学性能及吸波性能低的问题方法：一、前处理：裁剪碳纤维布，分别用无水乙醇和氢氧化钠浸泡处理，冲洗干燥得前处理后碳纤维布；二、浸渍处理：前处理后碳纤维布在催化剂溶液中浸渍、干燥后得负载催化剂的碳布原料；三、烧结：将负载催化剂的碳纤维布原料上放置反应硅源，以惰性气体作为保护气，烧结，冷却至室温，得到试管刷状SiC纳米线。本发明用于制备具有优异力学性能、优良吸波性能的试管刷形貌的碳化硅纳米线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112624766A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011602259.5
申请日：2020-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/573 , C04B35/583 , C04B35/591 , C04B35/584 , C04B35/622 , D06B3/10
Abstract: 一种氮化硅@碳化硅@氮化硼复合纤维毡的制备方法，它涉及一种复合纤维毡的制备方法。本发明要解决现有陶瓷纤维材料使用温度低于1200℃的问题。制备方法：一、Si3N4纤维毡的制备；二、包裹碳层；三、Si3N4@SiC纤维毡的制备；四、BN层的负载。本发明用于氮化硅@碳化硅@氮化硼复合纤维毡的制备。
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公开(公告)号：CN111441104A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010163783.0
申请日：2020-03-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: D01F9/08
Abstract: 一种由碳纤维制备CSiNB四元纤维的方法，具体涉及一种由碳纤维制备CSiNB四元纤维的方法。本发明的目的是为了解决现有制备CSiNB陶瓷的方法操作困难、成本高，且制备出的多为块体的问题，制备方法：一、预处理；二、配制硅源；三、负载催化剂；四、高温反应；五、酸洗；六、浸渍；七、焙烧；八、重复焙烧。优点：一、成本低、操作简单；二、调节碳纤维与硅源反应生成SiC的反应程度，从而能够进一步调整制备出的纤维的力学性能、导电性能；三、本发明制备出的CSiNB四元纤维在径向的元素分布具有梯度分布。本发明应用于高性能陶瓷纤维的制备领域。
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公开(公告)号：CN110560076A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910907940.1
申请日：2019-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B01J23/843 , C25B3/04 , C25B11/04
Abstract: 一种纳米Cu-Bi合金催化剂的制备方法及应用，它涉及一种Cu-Bi纳米合金材料的制备方法及应用。本发明的目的是要解决现有Cu催化还原CO2存在过电位高、产物选择性低、稳定性差的问题。制备方法：一、制备前驱体盐溶液；二、还原；三、分离、清洗、干燥，得到纳米Cu-Bi合金催化剂。纳米Cu-Bi合金催化剂作为原料制备工作电极，用于电催化还原CO2制CH4。优点：具有很好的物理化学性能和稳定性；Bi的加入有效提升对CH4的产物选择性，同时抑制乙烯的生成及析氢的竞争；电催化还原CO2制CH4时过电位低。
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公开(公告)号：CN110054497A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910441535.5
申请日：2019-05-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种致密的纳米增韧碳化硅复相陶瓷的制备方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、以α-SiC粒子为原料，纳米β-SiC粒子为增韧相，添加烧结助剂和粘结剂，配好原料后投入到氧化铝质球磨罐中，加入蒸馏水，投入研磨球进行研磨，获得组分均匀分散的浆料；步骤二、采用喷雾造粒工艺进行造粒；步骤三、将造粒粉干压成型，得到素坯；步骤四、将素坯放置于真空烧结炉中进行常压烧结，得到致密的纳米增韧碳化硅复相陶瓷。本发明解决了陶瓷的脆性问题，提高了强度和韧性，且操作简单，安全可靠，成本低廉，具有良好的推广应用前景。
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公开(公告)号：CN104961493A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510373136.1
申请日：2015-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 一种生物质基多孔碳化硅吸波材料的制备方法，它属于多孔材料制备领域，具体涉及一种生物质基多孔碳化硅材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有碳化硅吸波材料的制备方法存在可重性差，操作复杂，且碳化硅吸波材料存在吸波性能差，有效吸波频段较窄的问题。制备方法：一、真空冷冻干燥得到真空干燥后的生物质；二、碳化处理得到多孔碳材料；三、烧结得到生物质基多孔碳化硅吸波材料。优点：本发明制备的生物质基多孔碳化硅吸波材料呈三维连通网络结构，使材料具有宽频、强吸收特性。本发明主要用于制备生物质基多孔碳化硅吸波材料。
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