碳短纤维增强BaAl2Si2O8复合材料

    公开(公告)号:CN100396633C

    公开(公告)日:2008-06-25

    申请号:CN200610010505.1

    申请日:2006-09-06

    Inventor: 叶枫 刘利盟

    Abstract: 碳短纤维增强BaAl2Si2O8复合材料,涉及一种BAS复合材料。为了解决高温陶瓷复合材料基体产生微裂纹的问题,提高其抗弯强度和断裂韧性,本发明的复合材料包括碳短纤维增强体和BAS,其中碳短纤维增强体的体积百分比为1%~50%;所述BaAl2Si2O8复合材料包括纳米氧化锆颗粒,纳米氧化锆颗粒的体积百分比为1%~50%。本发明提高了复合材料的室温和高温力学性能,改善了复合材料抗热震性能和耐烧蚀性能。

    α-塞隆复合陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN1927768A

    公开(公告)日:2007-03-14

    申请号:CN200610010504.7

    申请日:2006-09-06

    Inventor: 叶枫 周玉 刘利盟

    Abstract: α-塞隆复合陶瓷材料及其制备方法,它涉及一种陶瓷材料及其制备工艺。为了解决了α-sialon陶瓷中残留玻璃相导致其高温性能显著下降的难题,本发明的α-sialon复合陶瓷材料采用BAS作为添加剂,生成自韧化α-sialon材料,BAS的重量百分数为0.1%~30%,并采用粉末冶金法制备上述α-sialon复合陶瓷材料。本发明首次将钡长石玻璃陶瓷添加到sialon陶瓷中,实现了棒状α-sialon晶粒的原位生长和钡长石自身的完全晶化,合成了性能优异的α-sialon材料,弯曲强度在1500℃以前不降低,而且制备工艺简单、有效。

    透红外α-sialon陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN1915907A

    公开(公告)日:2007-02-21

    申请号:CN200610010503.2

    申请日:2006-09-06

    Inventor: 叶枫 刘利盟

    Abstract: 透红外α-sialon陶瓷材料及其制备方法,属于透红外线陶瓷材料技术领域。为了提高α-sialon陶瓷的透光性能,降低晶间相对多晶陶瓷透光性能的影响,本发明的α-sialon陶瓷材料的分子式为Rem/3Si12-(m+n)Alm+nOnN16-n,式中m=1,0.5<n<2,Re为稀土元素。其制备方法为:a.采用Si3N4、AlN、Al2O3、Re2O3粉末为原料,按分子式为Rem/3Si12-(m+n)Alm+nOnN16-n配料;b.采用热压烧结工艺制备透光α-sialon材料;c.对材料进行高温氮化处理,氮化结束后在1200℃以上温度区间降温。本发明将α-sialon成分调节到α-β相界,最大限度地降低了晶间相含量。

    一种一硼化钛晶须及其制备方法

    公开(公告)号:CN115595653A

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN202211339729.2

    申请日:2022-10-27

    Abstract: 本发明提供一种一硼化钛晶须及其制备方法,所述一硼化钛晶须的制备方法包括:将氧化硼粉体或硼酸粉体置于坩埚底部;将氢化钛粉体或钛粉体置于所述坩埚内具有微孔的隔离片上,且所述氢化钛粉体或所述钛粉不与所述氧化硼粉体或硼酸粉体直接接触;将所述坩埚置于惰性气氛下,进行高温烧结,生成一硼化钛晶须。本发明提供的一硼化钛晶须的制备方法采用的原料廉价易得、制备工艺简单、对设备要求较低、操作方便、生长周期较短,适用于大规模工业生产,且制得的一硼化钛晶须的尺寸和形貌可控性好、长径比高、生产成本较低,能够作为晶须增强体用于金属、陶瓷和高分子等领域,也可用于超硬陶瓷、耐磨材料和电极材料等领域。

    一种用于高温吸波的SiC纳米线/SiC多孔陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN110483053B

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN201910908720.0

    申请日:2019-09-25

    Abstract: 本发明涉及SiC纳米线/SiC多孔陶瓷的制备方法,更具体的说是一种用于高温吸波的SiC纳米线/SiC多孔陶瓷的制备方法,利用凝胶注模法制备陶瓷生坯的过程中加入可溶性硅树脂和催化剂,在烧结时原位反应生成SiC纳米线,所述的可溶性硅树脂为可溶于乙醇、异丙醇和叔丁醇等醇类溶剂,所述的催化剂为二茂铁、FeCl3、Fe(NO3)3和Ni(NO3)2等金属盐类;可以在凝胶注模工艺中加入可溶性硅树脂和催化剂,在烧结时直接原位反应生成SiC纳米线;有机硅树脂在裂解后生成碳和SiO2,在后续烧结过程中可原位生成SiC纳米线,进而提高多孔SiC的力学性能和吸波性能;凝胶注模成型后形成的高体积分数的连通孔隙也促进了SiC纳米线的V‑L‑S生长。

    一种利用水凝胶逐层交联制备连续梯度多孔陶瓷的方法

    公开(公告)号:CN108585920B

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201810612014.7

    申请日:2018-06-14

    Abstract: 本发明提供一种利用水凝胶逐层交联制备连续梯度多孔陶瓷的方法,包括配置水凝胶前驱体溶液,加入不同比例的陶瓷粉体、分散剂和消泡剂后,均匀混合,得到一系列不同固相含量的浆料;对其中最低或最高固相含量的浆料进行真空脱泡,并向其喷洒交联剂溶液,然后静置所述浆料,以使浆料交联;对其它成分浆料按照固含量的升序或降序依次重复上述步骤,直至浆料的厚度满足需求,并置于去离子水中浸泡,得到湿坯;将所述湿坯冷冻后干燥,将干燥后的湿坯进行排胶,排胶后烧结所述湿坯,得到连续梯度多孔陶瓷,与现有技术相比,本发明可精确地实现材料成分、孔隙率、孔结构结构及性能的精确梯度控制,并广泛应用于连续梯度多孔陶瓷的制备。

    一种孔隙率变化可控的多孔陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108585886B

    公开(公告)日:2020-07-21

    申请号:CN201810592566.6

    申请日:2018-06-11

    Abstract: 本发明提供了一种孔隙率变化可控的多孔陶瓷材料及其制备方法,根据多孔陶瓷材料的孔隙率随厚度的变化规律,确定制备多孔陶瓷材料的陶瓷浆料固相含量随厚度的变化规律;在3D打印过程中,根据陶瓷浆料固相含量随厚度的变化规律,控制含有陶瓷相的第一浆料和水溶胶的加入质量,逐层打印;将获得的陶瓷浆料凝胶块进行低温冷冻,然后进行真空冷冻干燥,得到干燥陶瓷胚体;经烧结降温后即可获得多孔陶瓷材料。本发明所述的孔隙率变化可控的多孔陶瓷材料工艺简单,能够满足不同领域的使用需求。

    一种陶瓷金属多孔复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108484213B

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN201810611574.0

    申请日:2018-06-14

    Abstract: 本发明提供一种陶瓷金属多孔复合材料及其制备方法,将高岭土、氧化铝粉体和工业铝溶胶混合后,加入矿化剂和助烧剂再次混合均匀,将混合好的陶瓷粉体与溶剂和粘结剂混合配制成浆料,然后浇注到放有泡沫金属的冷冻模具中,待浆料冷冻凝固后进行冷冻干燥,获得陶瓷金属复合生坯,然后在惰性气氛下低温反应烧结,最终制得陶瓷金属多孔复合材料,本发明的有益效果在于,将多孔金属和陶瓷复合为一体,使多孔陶瓷具备了导电、传感和加热的功能,便于下游应用的集成化或多功能化,在催化、吸附等领域具有极好的应用前景;且本方法所用原料易得,工艺简单可靠,在工业化生产上具有明显优势。

    一种超低介电常数玻璃微珠/树脂复合材料制备方法

    公开(公告)号:CN110590990A

    公开(公告)日:2019-12-20

    申请号:CN201910908745.0

    申请日:2019-09-25

    Abstract: 本发明涉及一种超低介电常数玻璃微珠/树脂复合材料制备方法,包括如下步骤:步骤(1)将粉末状树脂单体放入模具中,玻璃微珠骨架放置其上方;步骤(2)将所述模具放入真空干燥箱中,抽真空至10Pa以下,并加热至100~130℃,使树脂单体熔化,并在毛细管力的作用下渗入玻璃微珠骨架的开孔中。本发明通过对玻璃微珠浆料中添加增稠剂的方法,获得分散稳定的玻璃微珠浆料,再通过凝胶注模和烧结制备玻璃微珠骨架。同时采用真空辅助浸渍的方法,将树脂单体浸渍到多孔骨架中,防止玻璃微珠分层,提高稳定性,获得具有超低介电常数的玻璃微珠/树脂复合材料。

    一种介电性能可调的高Q微波介质陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN110451959A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201910908617.6

    申请日:2019-09-25

    Abstract: 本发明涉及一种介电性能可调的高Q微波介质陶瓷,所述介质陶瓷的成分为ZnNb2O6和Ni0.5Ti0.5NbO4。所述介质陶瓷中,ZnNb2O6的摩尔百分比为5%~95%,ZnNb2O6与Ni0.5Ti0.5NbO4的摩尔百分比之和为100%。ZnNb2O6和Ni0.5Ti0.5NbO4均具有较高的品质因数,两者的介电常数差别较大,并且两种成分具有非常好的化学相容性,所以在烧结过程中不会发生化学反应而产生其它物相,十分利于陶瓷介电常数的设计与调节。

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