界面自韧化Si<base:Sub>3</base:Sub>N<base:Sub>4</base:Sub>/SiC片层陶瓷材料的制备方法

    公开(公告)号:CN105459564B

    公开(公告)日:2017-06-16

    申请号:CN201510822753.5

    申请日:2015-11-23

    Abstract: 界面自韧化Si3N4/SiC片层陶瓷材料的制备方法,它涉及一种陶瓷材料的制备方法。本发明的目的是为了解决单一的氮化硅陶瓷和碳化硅陶瓷材料的脆性较大,易断裂的技术问题。本方法如下:一、陶瓷浆料的制备;二、制备Si3N4生带、SiC生带以及烧结助剂生带;三、制备Si3N4/SiC片层复合材料生坯;四、制备界面自韧化Si3N4/SiC片层陶瓷材料。其中,界面处大量存在的烧结助剂有利于氮化硅棒晶生长,大尺寸的氮化硅棒晶将氮化硅层与碳化硅层连接起来,产生界面自韧化的效果。材料的弯曲强度大于700MPa,收缩率﹤15%,同时,其韧性可到16MPa·m1/2以上,完全可以满足高韧性陶瓷材料的使用要求。本材料的断裂功﹥6KJ/m2,材料的断裂预警明确,具有高的安全系数。本发明属于陶瓷材料的制备领域。

    一种陶瓷/树脂复合材料制备多层器件的方法

    公开(公告)号:CN104945002B

    公开(公告)日:2017-03-29

    申请号:CN201510312802.0

    申请日:2015-06-09

    Abstract: 一种陶瓷/树脂复合材料制备多层器件的方法,它涉及制备多层器件的方法。它要解决现有LTCC技术所存在烧结温度高、收缩率难以控制、金属电极易于与陶瓷发生界面反应以及脆性高的问题。方法:一、制备悬浊液;二、制备浆料;三、浆料除泡后进行流延成型,得陶瓷生带;四、陶瓷生带进行裁剪,采用丝网印刷的方法印制导电银浆作为电路,叠压,排胶后,得微波介质陶瓷的多孔预制体;五、树脂浸渍到多孔预制体内部,固化,脱模后,即完成。本发明的工艺温度低,在制备过程中材料没有任何收缩,避免了LTCC共烧过程中电路中的导电电极与陶瓷之间的界面反应和扩散,制备的多层器件具有较高的介电常数和较低的介电损耗,且韧性高、加工性能优良。

    一种高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN104693798B

    公开(公告)日:2017-03-01

    申请号:CN201510136852.8

    申请日:2015-03-26

    Abstract: 一种高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料的制备方法,它涉及一种高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料的制备方法。本发明是为了解决现有方法制备的高介电常数陶瓷/树脂复合材料的介电损耗高并且工艺复杂的问题,本发明的制备方法一、微波介质陶瓷多孔预制体的制备;二、陶瓷/树脂复合材料的制备,得到高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料,即完成。本发明制备的高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料具有更高的介电常数和超低的介电损耗,介电常数处于6.32至24.96之间,介电损耗均低于4.9×10-3。本发明应用于在PCB基板以及嵌入型电容器领域。

    一种多孔Si3N4/SiC复相陶瓷增强金属基复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN106435241A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201610726196.1

    申请日:2016-08-25

    Abstract: 一种多孔Si3N4/SiC复相陶瓷增强金属基复合材料的制备方法,涉及一种陶瓷增强金属基复合材料的制备方法。本发明为了解决目前的陶瓷增强金属基复合材料热膨胀系数高以及增强体易发生团聚且较难分散均匀的技术问题。本发明:一、制备浆料;二、制备多孔Si3N4/SiC复相陶瓷;三、多孔复相陶瓷的表面改性;四、制备复合材料。本发明的多孔复相陶瓷的孔径较小,限制了复合材料中金属晶粒的长大,“细晶强化”有效提高了复合材料的综合力学性能;本发明的多孔复相陶瓷中Si3N4纳米线均匀分布;本发明的金属基复合材料中陶瓷增强体呈连续分布,使金属基复合材料有低的热膨胀系数,较高的金属含量使复合材料具有较高的热导率。

    一种水基流延成型制备MAS系微晶玻璃电子基板的方法

    公开(公告)号:CN103951194B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201410160605.7

    申请日:2014-04-21

    Abstract: 一种水基流延成型制备MAS系微晶玻璃电子基板的方法,它涉及一种制备MAS系微晶玻璃电子基板的方法。本发明要解决现有制备MAS系微晶玻璃电子基板的方法中有机溶剂的使用对人体和环境有危害、生产过程存在安全隐患、生产成本较高及数据传输过程中信号接收慢的问题。本发明方法:一、制备MAS系玻璃粉体;二、MAS水基浆料的制备;三、制备玻璃生带;四、制备基板材料生坯;五、烧结。本发明方法降低对人体和环境的危害,降低生产过程中的安全隐患,成本低,解决了数据传输过程中信号接收慢的问题。本发明用于MAS系微晶玻璃电子基板的制备。

    一种基于ABAQUS分析结果绘制轮胎接地云图的方法

    公开(公告)号:CN103246793B

    公开(公告)日:2016-02-24

    申请号:CN201310212779.9

    申请日:2013-06-01

    Abstract: 本发明提供了一种基于ABAQSU分析结果绘制轮胎接地云图的方法。本发明采用计算机编程语言Python实现对数据的提取及云图的绘制,采用字典存储数据信息。在字典中存在一系列唯一的对应关系,如在字典{A:a,B:b}中,A和B分别仅对应a和b。本发明不仅仅适用于轮胎的接地区域的云图分布,在满足三维建模的条件下并保证输出数据的方法正确下,适用于其它行业中对于接地性能的分析。同时其采用的数据源文件通常都在10M以下,解决了ABAQUS结果ODB文件很大导致的数据不利转移以及高版本与低版本不兼容的不利因素,极大的方便了在不同用户及不同平台之间进行数据的转移和分析,摆脱了对ABAQUS的依赖。

    一种有限元骨架单元的生成方法

    公开(公告)号:CN103268385B

    公开(公告)日:2015-12-23

    申请号:CN201310212778.4

    申请日:2013-06-01

    Abstract: 本发明提供了一种有限元骨架单元的生成方法。可用于有限元分析的前处理软件中快速有效的生成连续骨架单元。本发明基体材料的连续性定义为:在所有的基体材料单元中,任意一个单元均与其相邻的一个或两个单元具有两个共有节点,并且这两个共有节点是相邻而不是相对。骨架单元的连续性定义为:在一个连续的基体材料分布中,由上一个基体单元生成的骨架单元的后一节点必须同当前基体单元生成的骨架单元的起始节点在编号和几何位置上相同,即节点在分布上具有连续性。由本方法生成的骨架单元的节点必然满足连续的骨架材料分布要求,可以将其导入有限元分析中,在满足用户的特定要求下,很大程度上提高工作效率,提高工作积极性。

    一种水基流延成型制备致密氮化硅陶瓷材料及致密异形氮化硅陶瓷材料的方法

    公开(公告)号:CN103922746A

    公开(公告)日:2014-07-16

    申请号:CN201410160590.4

    申请日:2014-04-21

    Abstract: 一种水基流延成型制备致密氮化硅陶瓷材料及致密异形氮化硅陶瓷材料的方法,它涉及一种制备氮化硅陶瓷材料的方法。本发明的目的是要解决现有制备致密氮化硅陶瓷材料的方法成本高,烧结块体积小,后续加工困难,致密度低,强度差和制备致密异形氮化硅陶瓷材料致密度低和强度差的问题。致密氮化硅陶瓷材料的方法的制备方法:一、添加烧结助剂;二、制备浆料;三、制备氮化硅陶瓷生带;四、制备排胶后的氮化硅基板生坯;五、烧结。致密异形氮化硅陶瓷材料的制备方法:一、添加烧结助剂;二、制备浆料;三、制备氮化硅陶瓷生带;四、制备排胶后的异形氮化硅材料生坯;五、烧结。本发明可获得致密氮化硅陶瓷材料和致密异形氮化硅陶瓷材料。

    电力系统实时概率潮流在线的计算方法

    公开(公告)号:CN103887795A

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN201410155434.9

    申请日:2014-04-17

    Abstract: 电力系统实时概率潮流在线的计算方法,属于大规模风、光等间歇性电源接入背景下电网安全运行技术领域,本发明为解决现有概率潮流在线计算方法的计算结果不够准确、实际规模电力系统数量多的网络节点造成“维数灾”、计算过程复杂、硬软件投资成本过大等问题。具体过程为:建立负荷侧运行模式特征量间的联合概率分布模型,获取特征量间的联合概率分布,对联合概率分布进行抽样,获得抽样样本集;建立间歇性电源侧运行模式特征量间的联合概率分布模型,获取联合概率分布,对联合概率分布进行抽样,获取抽样样本集;利用关键节点和关键线路的潮流高维模型计算电网下一时段的概率潮流分布及其主要分布特征,获得电网运行状态。本发明应用于电力系统。

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