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公开(公告)号：CN110931645A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911306520.4
申请日：2019-12-18
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括透明导电衬底、空穴传输层、钙钛矿活性层、电子传输层和金属电极，所述空穴传输层为P型导电大分子聚合材料，所述P型导电大分子聚合材料包括PbI2嫁接的修饰层。本发明通过该修饰层表面，可有效降低钙钛矿前驱体溶液的表面张力，其原理是钙钛矿前驱体溶液中的有机铵卤化盐和嫁接在空穴传输材料表面上的PbI2之间产生吸引力。更重要的是，该修饰层改性策略对于大多数非润湿性的空穴传输层均有效;本发明提出的修饰层改性为制备高效的倒结构钙钛矿太阳电池提供了一个广阔前景。
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公开(公告)号：CN108183169A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711453211.0
申请日：2017-12-28
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿太阳电池的封装方法，涉及太阳电池领域，该电池采用经特定规格刻蚀的ITO玻璃作为衬底，钙钛矿材料作为吸收层，使用轻薄可塑性较好的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)覆盖膜以及对钙钛矿材料影响不显著的透明AB胶来对钙钛矿电池进行封装，最大程度的保证了密封性，使得钙钛矿电池的稳定性得到明显的提升，且方法简单，易于实施。
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公开(公告)号：CN107564989A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710594187.6
申请日：2017-07-20
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0725 , H01L31/074 , H01L51/42
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及太阳电池领域，提出了一种钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池中隧穿结的结构设计，该结构是在叠层电池顶、底电池反向p-n结处添加一层窄带隙、高掺杂浓度的隧穿复合层TRL，其导带与价带间较小的能级差值可以有效的增强隧穿结处的载流子复合。此外，底电池p层与隧穿结处的梯度带阶有效的促进了底电池与隧穿结处的空穴抽取，避免了隧穿结界面间电荷的大量累积。而且添加高掺杂浓度的TRL后，隧穿结处缺陷态密度增加，电子空穴通过缺陷辅助隧穿，复合和隧穿几率增加。该结构所采用的异质结可有效提升底电池的光谱响应，减小开压损失，且其制备方法简单，易于实施。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103515484A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310416643.X
申请日：2013-09-13
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , C23C14/35
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02366 , H01L31/022483 , H01L31/074 , H01L31/1884
Abstract: 一种周期性结构的绒面透明导电薄膜，包括玻璃衬底层、起模板作用的第一层ZnO薄膜和起修饰作用的第二层ZnO薄膜并依次形成叠层结构，第一层ZnO薄膜厚度为300-1500nm，第二层ZnO薄膜的厚度为400-1000nm，构成具有散射作用的周期性结构绒面透明导电薄膜；其制备方法：利用水浴方法组装PS微球，用O2等离子刻蚀PS微球，利用PS微球的模板作用，得到具有周期性结构的陷光ZnO透明导电薄膜。本发明的优点是：制备的ZnO薄膜具有良好的陷光效果，作为前电极用于薄膜太阳电池，对400-1100nm电池所能利用的波长范围内有良好散射作用，可增加入射光在硅基薄膜电池中的光程，提高光利用率。
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公开(公告)号：CN103489942A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310477860.X
申请日：2013-10-14
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0747 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02366 , H01L31/022483 , H01L31/074 , H01L31/1884
Abstract: 一种基于纳米氧化锌硅异质结电池的陷光结构，包括湿法刻蚀制备金字塔形貌的硅衬底、ZnO种子层和在种子层基础上生长的氧化锌纳米柱或纳米锥，纳米柱或纳米锥的长度范围为200-1500nm，直径为20-200nm；其制备方法是，利用湿法刻蚀制备金字塔形貌，采用溶液浸沾法制备种子层，用水热法进行氧化锌纳米柱或纳米锥的生长制得。本发明的优点是：该陷光结构用于Si衬底太阳电池上，在400-1100nm范围内，长有氧化锌纳米柱的新型陷光结构的平均积分反射为5.1%，长有氧化锌纳米锥的新型陷光结构的平均积分反射率仅为2.5%，与传统的金字塔形貌陷光结构的平均积分反射10.9%相比，积分反射明显降低。
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公开(公告)号：CN102637751A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210149194.2
申请日：2012-05-15
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 薄膜太阳电池用宽光谱陷光透明导电薄膜及其制备方法。该方法利用对沉积薄膜工艺过程的有效调控，实现具有宽光谱陷光的ZnO薄膜的制备。首先在衬底上沉积ZnO薄膜，经过湿法腐蚀工艺处理后得到具有大“弹坑状”的陷光绒面层；随后在陷光绒面层上采用MOCVD沉积技术再沉积一层兼有小“类金字塔”绒度的ZnO薄膜；最后形成具有宽光谱陷光的透明导电氧化锌薄膜材料。本发明所述氧化锌为掺杂半导体，如ZnO：Al、ZnO：Ga、ZnO：B、ZnO：Mo、ZnO：W，n型半导体材料，可应用于非晶硅基、微晶硅基、纳米硅基薄膜的单结及多结太阳电池。
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公开(公告)号：CN102199759A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110132760.4
申请日：2011-05-20
Applicant: 南开大学
IPC: C23C14/54 , C23C14/08 , C23C14/35 , H01L31/0224
Abstract: 一种梯度氢气法生长绒面结构ZnO-TCO薄膜，以玻璃衬底为基片，以ZnO:Ga2O3或ZnO:Al2O3作为靶材原料，溅射气体为Ar气，溅射过程中引入氢气且在溅射镀膜周期中氢气流量呈梯度变化，利用磁控溅射镀膜技术制备绒面结构ZnO-TCO薄膜。本发明的优点是：相比于正常氢气流量下利用磁控溅射镀膜技术获得的绒面结构ZnO-TCO薄膜，利用梯度氢气流量法生长的绒面结构ZnO-TCO薄膜具有较好的透过率和较好的电学特性，且薄膜的绒面结构取得明显改善；该薄膜应用于微晶硅薄膜电池或非晶硅/微晶硅叠层薄膜太阳电池，可提高光散射作用，增加入射光程，有效降低有源层厚度，提高Si基薄膜太阳电池的效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN101820003A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010156218.8
申请日：2010-04-27
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/042 , H01L31/18 , C23C14/35
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种薄膜太阳电池用双层氧化锌透明导电薄膜及其制备方法。该方法利用对沉积薄膜过程中沉积气氛的有效调控，实现同时具有(0001)结晶相的电荷传输层与结晶相的绒面散射层的双层ZnO薄膜结构。首先在衬底上沉积具有(0001)结晶相的ZnO多晶薄膜，随后在其上原位生长具有()结晶相的ZnO多晶薄膜，经过湿法腐蚀工艺处理后得到具有良好电学特性与陷光结构的透明导电氧化锌薄膜材料。本发明所述氧化锌为掺杂半导体，如ZnO:Al、ZnO:Ga、ZnO:B、ZnO:Mo、ZnO:W等n型半导体材料，可应用于非晶硅基、微晶硅基、纳米硅基薄膜的单结及多结太阳电池。
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