公开(公告)号：CN101159297B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200710150231.0

申请日：2007-11-19

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  赵颖 ,  熊绍珍 ,  耿新华

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种SnO2为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透明导电薄膜的制备方法，所述透明导电薄膜为非晶硅碳、非晶硅氧，所述在SnO2衬底上制备透明导电薄膜的沉积方法为等离子体增强化学气相沉积、热丝化学气相沉积或者甚高频等离子体增强化学气相沉积。本发明采用与制备微晶硅太阳电池相同的化学气相沉积技术，在制备微晶硅太阳电池制备同时，原位沉积具有高光透过、种子层和保护层功能的微晶硅太阳电池用透明导电薄膜，不需要更换沉积系统，工艺简单且有利于降低成本。

公开(公告)号：CN101562216B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200910069035.X

申请日：2009-05-27

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  赵颖 ,  焦宝臣 ,  魏长春 ,  耿新华 ,  熊绍珍

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  C23C18/02

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种具有类金字塔结构的绒面ZnO薄膜的制备方法。本发明以醋酸锌作为Zn源，硝酸铟或醋酸铟作为掺杂铟源，硝酸铝或醋酸铝作为掺杂铝源，硝酸镓或醋酸镓作为掺杂镓源，以无水乙醇和/或水作为溶剂，分别配置成一定浓度的锌源溶液和掺杂源溶液，并混合，再向其中加入冰乙酸；用高纯N2或空气作为载气，把上述反应液输送至薄膜沉积室内进行生长。衬底可为玻璃或不锈钢等，生长温度为300℃-550℃。本发明在不需要B2H6掺杂的情况下，采用廉价无毒的化学药品，利用低成本的超声雾化设备直接获得具有光散射特征的绒面结构的ZnO薄膜；因此本发明对环境不会造成污染，属于“绿色”环保型技术，该方法可适合大面积(例如S＝1.2m×0.6m)ZnO透明导电薄膜的制备。

公开(公告)号：CN101556971B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200910068787.4

申请日：2009-05-11

Applicant: 南开大学

Inventor： 张晓丹 ,  赵颖 ,  岳强 ,  魏长春 ,  侯国付 ,  孙建 ,  耿新华 ,  熊绍珍

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  C23C16/505 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  H01L31/042 ,  H01L31/075

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 硅基薄膜太阳电池用背反射电极及其制备方法，涉及薄膜太阳电池领域。本发明的硅基薄膜太阳电池用背反射电极为n型SiOx材料(x＝0.1～1.5)，其导电类型为n型。背反射电极的制备，采用射频等离子体增强化学气相沉积技术或热丝化学气相沉积技术或甚高频等离子体增强化学气相沉积技术。本发明采用与硅基薄膜太阳电池相同的化学气相沉积技术，在制备硅基薄膜太阳电池n层后，原位沉积具有和ZnO背反射电极相类似作用的n型SiOx材料，所使用的制备技术和电池中n层材料的制备技术有很好的兼容性，可以使用相同的沉积方法，不需要更换沉积系统，只需要变换反应气体或宏观沉积参数，工艺简单且有利于降低成本。

公开(公告)号：CN101777591A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200910245205.5

申请日：2009-12-30

Applicant: 南开大学

Inventor： 张建军 ,  倪牮 ,  曹宇 ,  王先宝 ,  耿新华 ,  赵颖

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/028

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 一种全谱域叠层硅基薄膜太阳电池，由三个硅基薄膜太阳电池叠加沉积在衬底上制成，其中第一个p-i-n是宽带隙硅基薄膜电池，第二个p-i-n电池是中间带隙硅基薄膜太阳电池，第三个p-i-n电池是窄带隙硅基薄膜太阳电池，其采用硅、锗合金型窄带隙材料作为吸收层，带隙为(0.66～1.1)eV、厚度为(1000～3000)nm。本发明的优点是：结构新颖，窄带隙材料采用硅、锗合金型，通过与其它硅基薄膜合金材料的组合，使不同吸收层材料的带隙为2.0eV～0.66eV，可实现叠层电池的电流最佳匹配，实现硅基薄膜电池对太阳光谱300nm～1800nm的全谱域响应，提高了电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN100583464C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200810053846.6

申请日：2008-07-15

Applicant: 南开大学

Inventor： 耿新华 ,  韩晓艳 ,  侯国付 ,  张晓丹 ,  张德坤 ,  魏长春 ,  孙建 ,  赵颖 ,  薛俊明 ,  张建军

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/205

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种高速沉积优质本征微晶硅薄膜的制备方法，利用超高频等离子体增强化学气相沉积技术，其中，将高速沉积本征微晶硅薄膜的制备过程划分为至少两个时间段，每个时间段对应一个输入功率，在所述高速沉积本征微晶硅薄膜的制备过程中，所述输入功率以功率降低梯度呈递减的规则变化。本发明采用逐渐降低输入功率的方法沉积本征微晶硅薄膜，达到控制本征微晶硅薄膜纵向微结构演变和提高微结构致密性，从而提高高速沉积微晶硅太阳电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN100567567C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200710150229.3

申请日：2007-11-19

Applicant: 南开大学

Inventor： 赵颖 ,  张晓丹 ,  葛洪 ,  任慧志 ,  薛俊明 ,  许盛之 ,  张建军 ,  魏长春 ,  侯国付 ,  耿新华 ,  熊绍珍

IPC: C23C16/505

Abstract: 本发明公开了一种可获得均匀电场的大面积VHF-PECVD反应室背馈入式平行板功率电极，包括平行板功率电极板和功率馈入连接端口，其特征在于所述功率馈入连接端口位于功率电极板的背面，功率电极板的正面与衬底S相对。本发明利用电极功率馈入端口位置的优化分布，抑制了电极馈入端口附近电势的对数奇点效应和电势驻波效应，使电场分布均匀性得到较大的改善，因而可以避免由于采用电极边缘功率馈入方式造成的电场分布不均匀问题。本发明解决了大面积电极板电位分布的均匀性问题，为研发大面积VHF-PECVD薄膜沉积和刻蚀系统奠定了基础，可有力推动硅薄膜电池和薄膜晶体管矩阵技术产业化进程。

公开(公告)号：CN101582468A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200910069330.5

申请日：2009-06-19

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈新亮 ,  耿新华 ,  张建军 ,  赵颖

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/042 ,  H01L31/075 ,  H01L31/028 ,  C23C28/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C16/44 ,  C23C16/30

CPC classification number: Y02E10/52 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种利用磁控溅射技术和MOCVD技术相结合生长高迁移率绒面结构IMO/ZnO薄膜的方法及太阳电池应用。此种技术生长IMO/ZnO薄膜分两个阶段进行。首先，利用溅射技术玻璃衬底上生长一层高迁移率IMO(IMO＝Mo掺杂In2O3，In2O3:Mo&In2O3:MoO3)透明导电薄膜，薄膜厚度50－100nm；其次，利用MOCVD技术生长低组分B掺杂ZnO薄膜(ZnO:B)，薄膜厚度800－1500nm。新型复合TCO薄膜的结构特征是glass/高迁移率IMO薄膜/绒面结构ZnO:B。典型薄膜电阻率5－8×10－4Ωcm，方块电阻5－20Ω，载流子浓度3－10×1020Ωcm，电子迁移率25－80cm2V－1s－1，可见光和近红外区域平均透过率80％。此种工艺技术获得的高迁移率绒面结构IMO/ZnO薄膜提高了近红外区域光谱透过(λ＝800－1500nm)，并增强了对入射光的散射，可应用于pin型Si基薄膜太阳电池，特别是a－Si/μc－Si叠层薄膜太阳电池。

公开(公告)号：CN101510575A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200910068278.1

申请日：2009-03-27

Applicant: 南开大学

Inventor： 耿新华 ,  张建军 ,  倪牮 ,  陈新亮 ,  繁正海 ,  薛俊明 ,  侯国付 ,  赵颖

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/02

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种聚酰亚胺塑料衬底柔性硅基薄膜太阳电池集成组件的制造方法，将透光性好的浆体聚酰亚胺刮涂在普通玻璃上，分两部低温固化，形成玻璃－聚酰亚胺薄膜复合衬底，然后按着玻璃衬底硅基薄膜太阳电池组件的制备工艺形成电池组件，引线封装后采用室温下用水浸泡的方式将已制备好的太阳电池组件从玻璃上剥离，从而获得塑料衬底的柔性电池集成组件。本发明的优点是：可利用现已成熟的玻璃衬底硅基薄膜太阳电池组件的制备设备和加工技术制造新型塑料衬底柔性硅基薄膜太阳电池集成组件，节省了昂贵的柔性衬底太阳电池设备和工艺的设计、可大大降低了制造成本，有利于加快该类新型电池的产业化进程。

公开(公告)号：CN101510566A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200910068153.9

申请日：2009-03-18

Applicant: 南开大学

Inventor： 侯国付 ,  李贵君 ,  耿新华 ,  魏长春 ,  赵颖

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  C23C16/50 ,  C23C16/42 ,  B32B9/04 ,  B32B7/02

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种硅薄膜太阳电池用宽带隙N型纳米硅材料及其制备方法。所述材料为磷或砷掺杂的N型宽带隙纳米硅薄膜。首先将待处理样品放入高真空沉积系统中，利用等离子体增强化学气相沉积方法，通过有效控制辉光功率和硅烷浓度等沉积参数制备出相应的材料。本发明通过辉光功率和硅烷浓度等参数的优化，达到有效控制材料的结构特征和光电性能，利用晶粒尺寸减小带来的纳米效应获得高电导率、宽带隙的N型纳米硅。本发明的有益效果是：将这种宽带隙纳米硅用作非晶硅电池的掺杂层，可以显著增强电池的内建电场，大大提高电池的开路电压，从而得到高光电转换效率的非晶硅太阳电池。

公开(公告)号：CN100510169C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200710150227.4

申请日：2007-11-19

Applicant: 南开大学

Inventor： 赵颖 ,  张晓丹 ,  葛洪 ,  任慧志 ,  许盛之 ,  张建军 ,  薛俊明 ,  魏长春 ,  侯国付 ,  耿新华 ,  熊绍珍

IPC: C23C16/505

Abstract: 本发明公开了一种可获得均匀电场的大面积VHF-PECVD反应室电极。它包括功率电极板和功率馈入端口，所述功率电极板在功率电极面与功率电极馈入端口之间，设有电极槽。应用本发明的这种电极可获得具有均匀电场的大面积VHF-PECVD反应室。本发明通过优化大面积甚高频功率源馈入方式、电极结构等，解决大面积电极板电位分布均匀性，是研发大面积VHF-PECVD薄膜沉积和刻蚀系统的基础，这种刻槽式电极利用电极功率馈入端口沟槽分布改变电极表面电流的分布，可以抑制电极馈入端口附近电势的对数奇点效应。