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公开(公告)号：CN102891073A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210367504.8
申请日：2012-09-28
Applicant: 南京航空航天大学
Abstract: 本发明公开一种低温等离子体辅助铝诱导多晶碳化硅薄膜的制备方法。其方法步骤如下：(1)采用热丝CVD方法在衬底上沉积纳米晶碳化硅或非晶碳化硅薄膜；(2)采用干氧氧化的方法形成一层二氧化硅薄层；(3)采用磁控溅射或真空热蒸发方法继续沉积铝薄膜；(4)将此叠层结构在等离子体辅助下采用还原气体与惰性气体混合气氛退火；(5)用Al腐蚀液腐蚀去除表面残留的铝，最终得到晶粒大小达到3-5微米左右，表面光滑平整的多晶SiC薄膜。本发明是一种在廉价衬底上低温制备大晶粒碳化硅的方法。相比传统多晶碳化硅制备方法，其制造成本大大降低，在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射电子器件等方面具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN102593246A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210030399.9
申请日：2012-02-13
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种低成本溶液方法制备太阳电池吸收层材料Cu2ZnSnS4的制备方法，属于太阳电池材料与器件技术领域。本发明首先使用连续离子层吸附沉积在衬底上沉积含铜、锡的二元或三元硫化物混合薄膜，随后再在其上使用化学浴沉积一层硫化锌薄膜得到前驱薄膜。将前驱薄膜在硫气氛中以一定的工艺退火处理得到Cu2ZnSnS4吸收层。本发明的优点在于：原材料来源丰富且价格低廉、无需复杂设备，制备工艺简单、制备成本低、薄膜成分及厚度可控。
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公开(公告)号：CN102583510A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210054442.5
申请日：2012-03-05
Applicant: 南京航空航天大学
Abstract: 本发明涉及一种低成本微波合成方法制备太阳电池吸收层材料Cu2ZnSnS4的制备方法，属于太阳电池材料与器件技术领域。本发明首先配制合适的反应溶液，然后将溶液放入微波炉中进行微波加热得到Cu2ZnSnS4纳米颗粒。本发明的优点在于：原材料来源丰富且价格低廉、无需复杂设备，制备工艺简单、制备成本低、纳米颗粒成分可控。制得的铜锌锡硫纳米颗粒可分散在乙醇或者乙二醇中形成墨水，通过涂覆形成薄膜，可制成铜锌锡硫薄膜太阳电池。
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公开(公告)号：CN102185022A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110079703.4
申请日：2011-03-31
Applicant: 南京沙宁申光伏有限公司 , 南京航空航天大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及太阳能电池的制造方法，可有效减少电池背面复合中心，提高电池Rsh，提升电池的性能。所述太阳能电池的制造方法，包括对硅片进行扩散制结、周边刻蚀、沉积减反射膜、印刷电极和烧结，印刷电极之前对沉积减反射膜后的硅片背面进行刻蚀，去除背表面在扩散制结过程中由于磷吸杂所形成的含非ⅢA和/或ⅤA族元素的杂质层。所述对沉积减反射膜后的硅片背面进行刻蚀的方法为离子束刻蚀、反应离子刻蚀或电化学腐蚀。本发明可以去除电池背表面由于扩散后的背面磷吸杂（单面扩散硅片的背面也有非故意的磷扩散，尤其是背面边缘部分）而形成的高浓度的深能级杂质层，减少背面复合中心，进而减少载流子的背面复合，提高电池Rsh，提升电池的性能。
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公开(公告)号：CN101665905B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200910145177.X
申请日：2009-10-13
Applicant: 南京航空航天大学 , 江西斯若普能源有限公司
Abstract: 本发明公开一种铝诱导低温制备大晶粒多晶硅薄膜的方法，制备的多晶硅薄膜晶粒达100微米以上且表面光滑平整。包括如下过程：(1)在衬底上沉积非晶硅薄膜2；(2)继续生成二氧化硅薄膜；(3)继续沉积铝薄膜，得到衬底/a-Si/SiO2/Al叠层；(4)将衬底/a-Si/SiO2/Al叠层置于真空退火炉中，在惰性气氛保护下，分三步退火；(5)用铝腐蚀液腐蚀去除表面残留的铝。本发明是一种在廉价的衬底上低温制备大晶粒，并且结晶取向和表面粗糙度可控的多晶硅薄膜的方法，在薄膜太阳能电池等领域有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101393942A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810195062.7
申请日：2008-11-05
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/0336
CPC classification number: Y02E10/544
Abstract: 本发明公开一种多晶硅－碳化硅叠层薄膜太阳能电池，属太阳能电池技术领域。该太阳能电池由玻璃衬底或者不锈钢衬底，在该衬底上通过磁控溅射沉积的透明导电氧化物层以及通过热丝化学气相沉积方法制备的二个叠接的薄膜子太阳能电池构成，其中一个子电池由p型碳化硅层/n型碳化硅层构成，另一个子电池由p型多晶硅层/n型多晶硅层构成。本发明的特点是由两种不同禁带宽度的硅基材料叠接组成，提高了对太阳光谱的利用率和光电转换效率。采用廉价衬底和低成本薄膜生长源材料，降低了太阳能电池的成本，使之具有与晶体硅太阳能电池的竞争优势。
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公开(公告)号：CN101388423A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810155229.7
申请日：2008-10-22
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种半导体二硅化铁薄膜材料的制备方法，涉及晶态半导体相二硅化铁(β－FeSi2)光电薄膜的制备方法。包括以下过程：(1)非硅衬底清洗去污；(2)物理气相沉积法生长硅基过渡层；(3)物理气相沉积法沉积多层膜，具体为：依次沉积厚度为0.5nm至5nm的Fe薄层和厚度为0.5nm至5nm的Si薄层，且Si薄层和Fe薄层厚度比为在1.8至3.6之间，沉积的Si/Fe多层膜的周期为1－200；上述第(3)步可以在加热下进行，也可在室温下进行但需进行退火处理。本发明是一种在廉价的非硅衬底上制备禁带宽度、结晶取向和导电类型可控的β－FeSi2光电薄膜的方法，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117790639A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410210938.X
申请日：2024-02-27
Applicant: 意诚新能(苏州)科技有限公司 , 南京航空航天大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了改善太阳能电池片光热衰减特性的预处理装置，其包括预处理流水线、光热衰减处理单元、冷却单元，预处理流水线形成水平传输面，其中水平传输面沿着传输方向依次分为辐射段、红外焊接模拟段、冷却段，光热衰减处理单元包括激光辐射器、红外焊接模拟器。本发明一方面能够通过激光辐射使得电池片衰减至稳态，同时通过红外辐射模组进一步精准模拟实际焊接动态，改善电池片的光热衰减特性，有效消除电池片表面出现明暗片，提升电池片的稳定性；另一方面经过光热衰减后的电池片，在线监测电池片处理效果，将表面存在暗片的电池片剔除，以保证合格产品进入组装工序，同时每个电池片保持相同工况进行预处理，致使产品均一性好，提升良品率。
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公开(公告)号：CN115524361A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211186376.7
申请日：2022-09-27
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种薄膜散热性能测定方法及其装置。其特征在于：该装置包括半导体激光器，分光镜，激光功率计，铜箔，红外热像仪，基底，散热薄膜。其原理是利用半导体激光器加热铜箔，使得铜箔成为一个较小的、温度可控的“点”热源；铜箔的温度可以通过调节激光器的功率来实现控制。然后使用红外热像仪同时对多个散热薄膜温度值进行测量。该方法实现了同时对多个散热薄膜的散热性能进行测定，提高了加热系统的稳定性，且加热效率高、可控性较好。
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公开(公告)号：CN114275810B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202111627834.1
申请日：2021-12-29
Applicant: 南京航空航天大学
Abstract: 一种用于丙酮气体传感器的气敏材料的制备方法，包括如下步骤：（a）采用一步钛蒸气辅助退火工艺制备Ti3+自掺杂TiO2纳米颗粒即TiO2@B‑TiO2纳米颗粒；（b）采用化学溶液法制备TiO2@B‑TiO2@ZnO核壳纳米颗粒材料；（c）将TiO2@B‑TiO2@ZnO核壳纳米颗粒材料研磨至糊状采涂覆在叉指电极上，进行老化处理，采用气敏试验系统对丙酮气敏性能进行了评价。本发明所提供的制备TiO2@B‑TiO2@ZnO核壳纳米颗粒材料的方法安全性高，不引入杂质，不需要昂贵的设备，降低生产成本，适合大规模生产，制备的TiO2@B‑TiO2@ZnO传感器可用于低浓度高速率的丙酮气体检测。
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