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公开(公告)号：CN119050090B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411509866.5
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/52 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供了一种互连构件及具有其的功率器件，互连构件包括：主体段，主体段的下表面为导电连接面；界面互连段，与主体段连接，界面互连段的下表面为互连面；拱形连接段，包括相连接的第一弧形段和第二弧形段，第一弧形段与主体段连接，第二弧形段与界面互连段连接，第一弧形段在预设纵向截面内具有第一弧形中心线，第一弧形中心线与预设曲线满足确定系数R2，预设曲线满足以下公式：#imgabs0#；x和y为预设曲线在预设坐标系内的横坐标值和纵坐标值；h为预设曲线的最高点至X轴的距离，a为预设曲线至Y轴的最大距离，#imgabs1#为预设常数；在预设曲线的最高点处，预设曲线满足#imgabs2#；R2≥0.8。通过本方案，能够缓解互连构件的互连界面处的应力大的问题。
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公开(公告)号：CN119050109B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411540447.8
申请日：2024-10-31
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率单元及具有其的功率器件，其中，功率单元包括：基板，基板在第一方向上依次间隔设置有第一端子导电部、芯片导电部以及第二端子导电部，芯片导电部与第二端子导电部导电连接；芯片，设置在芯片导电部上，芯片的第一侧与芯片导电部连接，芯片的第二侧与第一端子导电部导电连接；第一二极管，设置在第二端子导电部上；控制部，设置在基板上，并与芯片连接，控制部设置在芯片与第一二极管之间。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率单元散热效果差的问题。
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公开(公告)号：CN119050109A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411540447.8
申请日：2024-10-31
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率单元及具有其的功率器件，其中，功率单元包括：基板，基板在第一方向上依次间隔设置有第一端子导电部、芯片导电部以及第二端子导电部，芯片导电部与第二端子导电部导电连接；芯片，设置在芯片导电部上，芯片的第一侧与芯片导电部连接，芯片的第二侧与第一端子导电部导电连接；第一二极管，设置在第二端子导电部上；控制部，设置在基板上，并与芯片连接，控制部设置在芯片与第一二极管之间。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率单元散热效果差的问题。
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公开(公告)号：CN119028935A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411509868.4
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/488 , H01L23/367 , H01L23/52
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及具有其的功率器件，该功率模块包括衬板和芯片，衬板上设置有第一导电结构和第二导电结构，第一导电结构和第二导电结构均为轴对称结构，第一导电结构和第二导电结构的对称轴均沿功率模块的长度方向延伸，第一导电结构和第二导电结构上均设置有芯片；其中，功率模块还包括片状的第一互连片和第二互连片，芯片的上表面通过第一互连片与第一导电结构和/或第二导电结构导电连接，第一导电结构通过第二互连片与第二导电结构导电连接。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块的散热能力较差的问题。
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公开(公告)号：CN119001380A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411014503.4
申请日：2024-07-26
Applicant: 国网冀北电力有限公司电力科学研究院 , 国网冀北电力有限公司 , 国家电网有限公司 , 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请公开了一种压接型IGBT状态监测方法、设备、介质及产品，涉及电子电力技术领域，该方法包括：采用改进的正余弦算法对构建的初始堆叠降噪自动编码器进行超参数优化，得到堆叠降噪自动编码器；采用基于电热参数生成的训练样本集训练构建的结温确定模型和堆叠降噪自动编码器，得到训练好的结温确定模型和堆叠降噪自动编码器；将待监测压接型IGBT的集电极电压输入至训练好的结温确定模型，得到压接型IGBT的结温；将压接型IGBT的结温和其他电热参数输入至训练好的堆叠降噪自动编码器，得到状态监测结果。本申请解决了现有SDAE超参数寻优过程中存在的效率低、泛化能力弱的问题，实现了压接型IGBT状态的精确监测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118943137A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410993644.9
申请日：2024-07-24
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L25/18 , H02M1/00 , H01L23/498 , H01L23/367 , H01L23/48 , H05K1/18
Abstract: 本申请涉及一种适用高压大电流的功率半导体模块，其包括基板以及n组相互平行布置的半桥子模块，其中n≥2，所述半桥子模块通过焊锡连接于基板上，单组半桥子模块呈轴对称结构，且相邻半桥子模块呈中心对称结构。其利用偶数数量的相同的半桥子模块组成一个半桥模块，并将相邻的半桥子模块成中心对对称布置，使得半桥模块运行时流通电流产生的互磁链与自磁链相互抵消，从而减小寄生电感。同时该模块减小了公共支路的长度，提高了模块的散热能力。
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公开(公告)号：CN114019216B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202111282131.X
申请日：2021-11-01
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种弹性压接IGBT器件芯片电流在线测量系统，利用能够集成在弹性压接IGBT器件内部的PCB板作为测量系统的载体，PCB板上开设有多个矩形开孔，每个矩形开孔周围设置一个矩形罗氏线圈，碟簧从矩形开孔中穿过，使用矩形罗氏线圈作为测量探头测量单个芯片的电流，实现弹性压接IGBT器件内部各芯片电流的在线测量；矩形罗氏线圈包括多个依次紧密排布的矩形单匝线圈，多个矩形单匝线圈均斜向布置在矩形开孔周围，使得矩形线圈有更均匀的绕线密度，提高了测量准确度和抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN113541461B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202110971757.5
申请日：2021-08-23
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 抑制碳化硅MOSFET电压过冲的栅极电感匹配方法，包括：搭建基于碳化硅MOSFET的双脉冲测试平台；获取电感匹配计算所需的电路参数，包括碳化硅MOSFET器件漏源极电容CDS、栅漏极电容CGD以及功率回路共源极电感LS；计算栅极电感匹配值#imgabs0#；提取栅极回路设计所引入的寄生电感；计算栅极电感附加电感值，并将相应电感值的电感元器件串联接入栅极回路；进行双脉冲测试。通过调整碳化硅MOSFET栅极回路的寄生电感、附加电感值，对器件关断漏源极电压过冲实现有效抑制，对提高碳化硅MOSFET在应用中的经济性和可靠性具有重要意义，有利于保证电力系统的可靠运行。
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公开(公告)号：CN118275936A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410449284.6
申请日：2024-04-15
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开一种MMC子模块短路测试系统，涉及半导体器件测试领域，防爆柜体的柜本体的侧壁为防爆板，绝缘板将柜本体分隔为第一腔体、第二腔体；试验阀组设于第一腔体，第一供能回路组件、第二供能回路组件、桥臂回路组件、短路保护开关和隔离开关设于第二腔体内；第一供能回路组件、短路保护开关、试验阀组的第一待测IGBT器件以及第二待测IGBT器件串联；第二供能回路组件、桥臂回路组件的负载保护开关、负载电感以及第二待测IGBT器件串联；桥臂回路组件的上电感续流开关与下电感续流开关反串联后与负载电感并联；隔离开关与第二待测IGBT器件并联。本发明提高了拆装的便捷性和试验的安全性。
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公开(公告)号：CN109817612B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201910191808.5
申请日：2019-03-14
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/495 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开了一种改善焊接型碳化硅功率模块电热性能的封装结构，该封装结构包括铜底板，DBC板，碳化硅芯片，驱动信号端子和功率回路端子；所述碳化硅芯片，以每两个为一个单元进行并联，长边沿着所述铜底板的长边平行排列放置，每两个单元共用一块DBC板，所述两个单元为串联结构，所述DBC板固定在所述铜底板上；所述驱动信号端子采用顶针方式直接引出；所述功率回路端子采用带有螺纹的铜块引出。本发明通过优化碳化硅芯片放置方式、DBC分布方式和端子的引出方式，减小了电流路径长度，增大了电流路径宽度，提高了DBC板的底板面积利用率，增大了散热面积，减小了散热热阻，从而提高封装的电热性能。
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