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公开(公告)号：CN108592965A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810361327.X
申请日：2018-04-20
Applicant: 北京大学
IPC: G01D5/56
Abstract: 本发明涉及一种柔性压阻式微悬臂梁传感器，所述柔性压阻式微悬臂梁由力敏电阻、柔性力敏电阻上保护层和力敏电阻下保护层组成。所述柔性压阻式微悬臂梁传感器至少配备有一组惠斯通电桥传感单元，所述惠斯通电桥传感单元由四个完全相同的力敏电阻和四个微悬臂梁构成，其中两个所述微悬臂梁表面淀积有金薄膜用作测量微悬臂梁，另外两个微悬臂梁作为参考微悬臂梁，所述四个微悬臂梁下设置有一微反应池。本发明由于采用柔性力敏电阻上保护层材料，避免了修饰和检测过程中微悬臂梁的断裂。由于采用p型单晶硅作为力敏电阻材料，保证了微悬臂梁传感器的灵敏度。本发明提出的柔性压阻式微悬臂梁传感器可实现对生物、化学分子的高灵敏和高特异性检测。
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公开(公告)号：CN104792420A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410032762.X
申请日：2014-01-22
Applicant: 北京大学
CPC classification number: B81B3/0081 , B81B2201/0207 , G01J5/0853 , G01J5/40
Abstract: 本发明提供了一种在透明衬底上设计和制备太赫兹与全波段红外焦平面阵列的方法。本发明提供的太赫兹与全波段红外焦平面阵列利用双材料微悬臂梁作为焦平面阵列的像元，采用表面牺牲层工艺制备，光学技术读出焦平面阵列的响应信号。每个双材料微悬臂梁由吸收体、形变支腿、热隔离支腿、反射镜面和锚点组成，双材料微悬臂梁通过锚点固支在衬底上。在进行探测成像时，太赫兹与全波段红外电磁波聚焦到双材料微悬臂梁上，吸收体将吸收的电磁波能量转换成热能，形变支腿使微双材料微悬臂梁发生偏转，光学检测系统通过透明衬底读出双材料微悬臂梁阵列的形变量和分布，最终通过数据图像处理模块以光强图像的方式将被测物体的太赫兹与全波段红外图像显示出来。本发明提供的焦平面阵列可以实现多波段工作，并具有灵敏度和分辨率高，可靠性和均匀性好，以及低成本和制备工艺简单等突出优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101561319B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200910085133.2
申请日：2009-06-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种电容式MEMS非制冷红外探测器及其制备方法，属于红外光电探测和微电子机械系统技术领域。该红外探测器包括微悬臂梁阵列、读出悬臂梁形变的电路以及支撑悬臂梁阵列的衬底，微悬臂梁阵列构成探测器的红外焦平面阵列，每一个像元为一双材料悬臂梁结构，该悬臂梁结构通过锚点固定在衬底上；在悬臂梁结构上设置一电极板，在衬底上设置另一电极板，共同构成电容结构，该电容结构的电容信号的改变量由位于衬底上的读出悬臂梁形变的电路读出。本发明提出的制备方法可实现焦平面阵列与读出电路的单片集成，适于批量生产。
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公开(公告)号：CN101150300B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200710121861.5
申请日：2007-09-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备平面电容谐振器的方法，包括如下步骤：1)在硅片上LPCVD一层氮化硅层，第一次光刻并RIE刻蚀氮化硅层；2)第二次光刻，并以该光刻胶作为掩膜，在感应耦合等离子体系统中各向异性干法刻蚀硅，形成深槽；3)对刻蚀后的硅片氧化，然后湿法腐蚀掉氧化层，以平坦化刻蚀后的硅结构侧壁；4)LPCVD并刻蚀SiO2，在深槽侧壁形成自对准氧化层；5)LPCVD多晶硅，光刻并刻蚀多晶硅，形成多晶硅传感电极和驱动电极；6)先各向异性再各向同性ICP刻蚀硅，悬空谐振体结构；7)HF腐蚀SiO2直到谐振体释放，得到所述平面电容谐振器。
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公开(公告)号：CN1240994C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN03109491.0
申请日：2003-04-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种微悬臂梁传感器及其制作方法，它包括一芯片，所述芯片上设置有至少一组传感单元，所述传感单元由组成惠斯通电桥的四个完全相同的力敏电阻和两个悬臂梁组成，其中两个所述力敏电阻位于所述芯片的衬底上，另外两个电阻分别位于所述两悬臂梁上，其中一个所述悬臂梁作为测量悬臂梁，另一个所述悬臂梁作为参考悬臂梁，在所述芯片上设置有一微槽，所述悬臂梁设置在所述微槽内，所述力敏电阻的材料采用单晶硅或多晶硅，在所述单晶硅或多晶硅正面掺杂有硼离子，在所述力敏电阻上、下表面设置有氮化硅或氧化硅保护层，共同组成所述悬臂梁，所述悬臂梁上具有一窗口，使所述悬臂梁呈U形设置在所述芯片上，所述测量悬臂梁表面设置有敏感层。本发明在环境监测，临床的诊断和治疗、新药开发、食品安全、工业加工控制、军事等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1598060A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410009379.9
申请日：2004-07-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种氢氧化钾溶液腐蚀(100)硅上 晶向凸角的补偿方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该方法提供一掩膜补偿图形，该图形由三个正方形组成，与需补偿凸角相对的掩膜图形直角相应，掩膜图形直角的两个边分别延伸，形成正方形(1)的边长a，正方形(1)和掩膜图形直角之间的夹角为另一个正方形(2)的内角，正方形(2)的边长为正方形(1)的边长的1/2，正方形(1)和掩膜图形直角之间的另一夹角为正方形(3)的内角，正方形(3)的边长也为正方形(1)的边长的1/2。由于掩膜补偿图形简单，没有斜线，且图形尺寸计算简便准确，可降低光刻版的制作难度，得到非常完整的凸角。
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