公开(公告)号：CN102612758A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201180004431.X

申请日：2011-05-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  秋田胜史 ,  石塚贵司 ,  中幡英章 ,  猪口康博 ,  稻田博史 ,  永井阳一

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1844

Abstract: 提供一种半导体器件和光学传感器装置，每个都具有减小的暗电流和向着近红外中的更长波长扩展的探测灵敏度。而且，提供了一种半导体器件的制造方法。该半导体器件50包括：位于InP衬底1上的II型(InGaAs/GaAsSb)MQW结构的吸收层3，和位于MQW结构上的InP接触层5。在MQW结构中，GaAsSb的组分x(％)不小于44％，其厚度z(nm)不小于3nm，且满足z≥-0.4x+24.6。

公开(公告)号：CN101882571A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN201010171268.3

申请日：2005-05-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  中幡英章 ,  上松康二 ,  木山诚 ,  永井阳一 ,  中村孝夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L33/0075 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供其尺寸适于半导体器件的III族氮化物半导体晶体及其有效的制造方法、III族氮化物半导体器件及其有效的制造方法、以及发光设备。制造III族氮化物半导体晶体的方法包括在开始衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体的步骤、在III族氮化物半导体晶体衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体层的步骤、以及从所述开始衬底分离由III族氮化物半导体晶体衬底和III族氮化物半导体晶体层所构成的III族氮化物半导体晶体的步骤，并且其特征在于所述III族氮化物半导体晶体的厚度是10μm或以上但是600μm或以下，以及宽度是0.2mm或以上但是50mm或以下。

公开(公告)号：CN1957447B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200580016035.3

申请日：2005-05-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  中幡英章 ,  上松康二 ,  木山诚 ,  永井阳一 ,  中村孝夫

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L33/0075 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供其尺寸适于半导体器件的III族氮化物半导体晶体及其有效的制造方法、III族氮化物半导体器件及其有效的制造方法、以及发光设备。制造III族氮化物半导体晶体的方法包括在开始衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体的步骤、在III族氮化物半导体晶体衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体层的步骤、以及从所述开始衬底分离由III族氮化物半导体晶体衬底和III族氮化物半导体晶体层所构成的III族氮化物半导体晶体的步骤，并且其特征在于所述III族氮化物半导体晶体的厚度是10μm或以上但是600μm或以下，以及宽度是0.2mm或以上但是50mm或以下。

公开(公告)号：CN100552989C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200610009238.6

申请日：2006-02-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  片山浩二 ,  北林弘之

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据本发明的发光器件具有：GaN衬底(1)；GaN衬底(1)的第一主表面侧上的n型AlxGa1-xN层(3)；比n型AlxGa1-xN层(3)更远离GaN衬底(1)设置的p型AlxGa1-xN层(5)；以及位于n型AlxGa1-xN层(3)和p型AlxGa1-xN层(5)之间的多量子阱(MQW)(4)。在该发光器件中，p型AlxGa1-xN层(5)侧被向下安装，并且光从第二主表面(1a)发射，其中第二主表面是与GaN衬底(1)的第一主表面相对的主表面。GaN衬底(1)的第二主表面(1a)包括其上形成凹腔和凸出的区域。此外，该发光器件包括在GaN衬底(1)的第二主表面(1a)上形成的n电极(11)和覆盖n电极(11)的侧壁而形成的保护膜(30)。

公开(公告)号：CN1957447A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200580016035.3

申请日：2005-05-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  中幡英章 ,  上松康二 ,  木山诚 ,  永井阳一 ,  中村孝夫

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L33/0075 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供其尺寸适于半导体器件的III族氮化物半导体晶体及其有效的制造方法、III族氮化物半导体器件及其有效的制造方法、以及发光设备。制造III族氮化物半导体晶体的方法包括在开始衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体的步骤、在III族氮化物半导体晶体衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体层的步骤、以及从所述开始衬底分离由III族氮化物半导体晶体衬底和III族氮化物半导体晶体层所构成的III族氮化物半导体晶体的步骤，并且其特征在于所述III族氮化物半导体晶体的厚度是10μm或以上但是600μm或以下，以及宽度是0.2mm或以上但是50mm或以下。

公开(公告)号：CN112204878B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201980035548.0

申请日：2019-05-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 稻垣充 ,  永井阳一 ,  岩崎孝

IPC: H01L31/0232

Abstract: 一种用于聚光器光伏设备的菲涅耳透镜(32f)，包括：具有圆形的第一角部(613、618)的玻璃基板部(61)；以及覆盖在玻璃基板部(61)的一个表面上并且具有圆形的第二角部(623、628)的合成树脂部(62)，第二角部的半径等于第一角部(613、618)的半径并且与第一角部(613、618)同轴地重叠。

公开(公告)号：CN107851679B

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201680042514.0

申请日：2016-06-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  齐藤健司 ,  鸟谷和正 ,  岩崎孝

IPC: H01L31/054 ,  H02S40/22 ,  H02S20/10 ,  H02S20/32

Abstract: 当光学路径上的上下位置关系被定义为使得初级聚光部分位于在次级聚光部分的上方位置处时，次级聚光部分包括：设置在发电元件上方的次级透镜；透镜支撑部分，该透镜支撑部分是座架，该座架包围发电元件并且被配置为将次级透镜安装到该座架，该透镜支撑部分被配置为以次级透镜具有间隙地设置在发电元件上方的状态来支撑次级透镜；由透光性树脂制成的覆盖部分，该覆盖部分被配置为覆盖次级透镜的表面；以及由透光性树脂制成的密封部分，该密封部分在透镜支撑部分中填满发电元件与次级透镜之间的间隙的空间，并且透镜支撑部分的上端面包括：与次级透镜接触的内边缘；以及树脂接纳部分，其从内边缘延伸到外侧而不与次级透镜形成接触，该树脂接纳部分接纳覆盖部分的下端。

公开(公告)号：CN107925381B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201680045951.8

申请日：2016-09-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 齐藤健司 ,  岩崎孝 ,  永井阳一 ,  安彦义哉 ,  小岛哲彦 ,  稻垣充

IPC: H02S30/10 ,  H01L31/054 ,  H02S20/10 ,  H02S20/32

Abstract: 根据本公开的用于聚光型光伏装置的外壳包括具有上端、下端、内表面和外表面的侧壁，该侧壁由树脂构成，侧壁设置有贯穿侧壁的内表面和外表面的通气孔，通气孔从侧壁的内表面到侧壁的外表面在从侧壁的上端朝向侧壁的下端的方向上倾斜。根据本公开，可进一步提高光伏模块的发电效率，并且可抑制光伏模块由于诸如灰尘、水滴和异物的不希望的物质进入到壳体的内部而在性能上降低。

公开(公告)号：CN110998867A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880050948.4

申请日：2018-04-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  齐藤健司 ,  饭屋谷和志 ,  稻垣充 ,  三上垒 ,  安彦义哉

IPC: H01L31/054 ,  H02S20/32 ,  H02S40/22 ,  H02S20/10

Abstract: 一种聚光型光伏模块包括：聚光部分，其通过布置聚集太阳光的多个菲涅耳透镜来配置；多个发电元件，其被布置在分别与多个菲涅耳透镜相对应的位置处；多个球透镜，其分别与多个发电元件相对应地设置并且将被多个菲涅耳透镜聚集的太阳光引导到多个发电元件；壳体，其包含多个球透镜和多个发电元件。壳体包括树脂框架体和固定在框架体上的金属底板，并且在其内表面上布置有多个球透镜和多个发电元件。在底板的内表面(15a)上设置有用于减小底板的内表面(15a)侧的热膨胀的凹槽部分(30)。

公开(公告)号：CN107852129B

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201680040201.1

申请日：2016-06-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 齐藤健司 ,  小岛哲彦 ,  森宏治 ,  根本智裕 ,  永井阳一

IPC: H02S30/10 ,  H02S20/10 ,  H02S20/30 ,  H02S20/32 ,  H01L31/054

Abstract: 一种用于聚光型光伏模块1M的壳体11安装结构，所述安装结构具有：底板15，底板15包括导电体，在导电体上布置多个电池12c；树脂侧壁框架16，树脂侧壁框架16沿着底板15的外边缘以竖立方式设置，并且保持面对底板15的聚光部13；一对框架8(支撑构件)，一对框架8是抵接底板15并且支撑模块1M的接地的导电体；以及用作紧固构件的螺栓25和螺母26，所述紧固构件是将一对框架8和底板15彼此紧固的导电体，螺栓25和螺母26将模块1M固定至一对框架8，并且形成从底板15至一对框架8的电连接路径。