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公开(公告)号：CN105838356A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610307169.0
申请日：2016-05-05
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种基于苯并噁唑基吡啶的橙色磷光CuBrN2P型亚铜配合物发光材料及其制备方法。本发明的磷光配合物，由溴化亚铜与配体进行配位反应得到，其分子结构式为CuBr(2?PBO)(PPh3)，式中2?PBO和PPh3分别为电中性配体2?(2?苯并噁唑)吡啶和三苯基膦。所述配合物既具备小分子易提纯和发光效率高的优点，而且具有易用有机溶剂溶解的优点。该材料是由溴化亚铜与配体的溶液直接混合反应得到，具有工艺简便、设备简单、原料易得且成本低等优点。该材料可作为光致发光橙色光材料，也可用作多层有机材料组成的电致发光器件中的发光层磷光材料。
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公开(公告)号：CN105837604A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610259862.5
申请日：2016-04-18
Applicant: 中国计量大学
CPC classification number: C07F1/005 , C09K11/06 , C09K2211/188
Abstract: 本发明公开了一种晶型的基于苯并噁唑基异喹啉的亚铜配合物橙红色磷光材料及其制备方法。本发明的磷光配合物，由一价铜盐与配体络合得到，其分子结构为[Cu(2?iQBO)(p?Tol3P)2]PF6，式中2?iQBO和p?Tol3P为电中性杂环配体苯并噁唑基异喹啉和三(对甲基苯基)膦。所述配合物既具备小分子易提纯和发光效率高的优点，而且具有高的热稳定性。该材料是由Cu(CH3CN)4PF6与配体的二氯甲烷溶液直接混合反应得到，具有工艺简便、设备简单、原料易得且成本低等优点。该材料可作为光致发光橙红光磷光材料，也可用作多层有机材料组成的电致发光器件中的发光层磷光材料。
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公开(公告)号：CN105713022A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610259833.9
申请日：2016-04-18
Applicant: 中国计量大学
CPC classification number: C07F1/005 , C07B2200/13 , C07F9/5045 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/188 , H01L51/0091
Abstract: 本发明公开了一种晶型的基于苯并咪唑基喹啉的亚铜配合物橙色磷光材料及其制备方法。本发明的磷光配合物，由一价铜盐与配体络合得到，其分子结构为[Cu(2?QBI)(m?Tol3P)2]PF6，式中2?QBI和m?Tol3P为电中性杂环配体苯并咪唑基喹啉和三(间甲基苯基)膦。所述配合物既具备小分子易提纯和发光效率高的优点，而且具有高的热稳定性。该材料是由Cu(CH3CN)4PF6与配体的乙腈溶液直接混合反应得到，具有工艺简便、设备简单、原料易得且成本低等优点。该材料可作为光致发光橙色光磷光材料，也可用作多层有机材料组成的电致发光器件中的发光层磷光材料。
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公开(公告)号：CN115166640B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202210646111.4
申请日：2022-06-08
Applicant: 中国计量大学 , 中国人民解放军火箭军工程大学
Abstract: 本发明公开一种时域Frank码信号产生方法。该方法包括步骤：Frank码相位产生以及频率控制字查找表；对四分之一周期的余弦信号进行满足使用要求点数的采样处理得到相应点数的余弦信号查找表；对Frank码字系数进行整数量化；现场可编程门阵列(FieldProgrammableGateArray‑FPGA)根据Frank码相位产生公式生成频率控制字查找表地址；直接数字式频率合成DDS根据频率控制字生成Frank码信号。本发明实现了基于现场可编程门阵列(FieldProgrammableGateArray‑FPGA)的Frank码信号的实时产生。
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公开(公告)号：CN117385461A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202310717717.7
申请日：2023-06-16
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明提供一种多组分钾冰晶石型卤化物闪烁晶体及其制备方法与应用，所述闪烁晶体的化学式为Cs2LiLa1‑a‑bM种aCe，Xb选取X6，其中Cl‑和M的价态为Br‑中的12种或或3或2种4，，Ma为,bCa满足、Sr:0、Pr＜、aY≤、Gd0.、10Zr,0中的一＜b≤0.10。优选地，生长所述多组分钾冰晶石卤化物闪烁晶体的方法为坩埚下降法。本发明利用多价金属阳离子共掺改善Cs2LiLa(Br,Cl)6:Ce的闪烁性能和中子/伽马甄别性能，生长得到的闪烁晶体能量分辨率可接近于4％，中子/γ甄别能力品质因子可接近2，可以在中子/伽马射线甄别、伽马射线或中子探测领域有很好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115148956A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210818642.7
申请日：2022-07-12
Applicant: 中国计量大学
IPC: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于电化学技术领域，具体涉及一种基于亚纳米级碲@分级孔碳纤维的电极及其制备方法。本发明提供了一种负载亚纳米级碲的氮磷共掺杂多孔碳纤维的电极及其制备方法，其特征在于：碳纤维中微米孔的空间限域作用和氮磷共掺杂增强了碲固载及对多碲化物的吸附，抑制了电极在循环过程中的体积变化和多碲化物的穿梭效应。相对无掺杂和单一氮掺杂而言，氮磷共掺杂碳纤维中微米孔的空间限域作用保证了亚纳米级碲的形成，有效提高了碲载量、减缓体积膨胀和多碲化物溶出，使电极展示出高比容量和稳定储钾性能。本发明为高性能硫族元素单质基电极的设计制备及其电化学性能的调控提供了新思路和新途径。
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公开(公告)号：CN109569657B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201910006850.5
申请日：2019-01-04
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明属于半导体光催化技术领域，具体涉及一种富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌（ZnIn2S4）光催化剂及其制备方法。本发明提供了一种富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌光催化剂及其制备方法，其特征在于：经过高温高压氢化处理后，硫铟锌光催化剂表面存在大量的硫空位缺陷态结构。相对于未改性硫铟锌光催化剂而言，富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌光催化剂由于在光催化剂表面存在大量的硫空位缺陷态结构，这些表面硫空位缺陷能够形成光生载流子捕获“陷阱”，有效地促进光生电荷的分离并降低光生电子‑空穴对的复合，从而大大地提高了光催化产氢性能。本发明提供的富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌光催化剂及其制备方法，为设计开发新型高效的可见光催化剂提供了新思路和新途径。
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公开(公告)号：CN110473927B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201910433678.1
申请日：2019-05-23
Applicant: 中国计量大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/072 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体光电技术领域，具体涉及一种氧化亚铜/硫氰酸亚铜（Cu2O/CuSCN）异质结光电薄膜及其制备方法。本发明提供了一种Cu2O/CuSCN异质结光电薄膜及其制备方法，其特征在于：通过对电化学沉积制备的CuSCN光电薄膜进行一定时间下的碱液浸泡处理，促使CuSCN原位反应生成Cu2O，实现了原位构建Cu2O/CuSCN异质结光电薄膜，在较大程度上解决了CuSCN光电薄膜光生载流子迁移率较低和复合率较高等问题，大大提高了CuSCN光电薄膜的光电化学性能。本发明提供的Cu2O/CuSCN异质结光电薄膜及其制备方法，具有改性手段简单、异质结结构易于调控、改性效果明显和成本低廉等优点。
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公开(公告)号：CN109991119A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910243270.8
申请日：2019-03-28
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01N7/00
Abstract: 本发明公开了一种储氢合金活化的检测方法，包括以下步骤：S1、将储氢合金粉末装入反应器，将反应器密封并检查反应器的各个接口是否漏气；S2、对反应器进行加热并抽真空，然后对反应器充氢气并对储氢合金粉末进行活化；S3、采用压力传感器实时检测储氢合金粉末的吸氢膨胀应力变化；S4通过观察储氢合金粉末的吸氢膨胀应力变化判断储氢合金粉末是否完全活化，当储氢合金粉末的吸氢膨胀应力发生变化后趋向稳定时，则判定储氢合金粉末已完全活化并获得完全活化的储氢合金粉末。根据压力传感器示数的变化来判断储氢合金是否完全活化，解决了现有技术需要循环多次抽真空及充氢才能使储氢合金完全活化的不足。
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公开(公告)号：CN109569657A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201910006850.5
申请日：2019-01-04
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明属于半导体光催化技术领域，具体涉及一种富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌（ZnIn2S4）光催化剂及其制备方法。本发明提供了一种富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌光催化剂及其制备方法，其特征在于：经过高温高压氢化处理后，硫铟锌光催化剂表面存在大量的硫空位缺陷态结构。相对于未改性硫铟锌光催化剂而言，富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌光催化剂由于在光催化剂表面存在大量的硫空位缺陷态结构，这些表面硫空位缺陷能够形成光生载流子捕获“陷阱”，有效地促进光生电荷的分离并降低光生电子-空穴对的复合，从而大大地提高了光催化产氢性能。本发明提供的富含表面硫空位缺陷态结构硫铟锌光催化剂及其制备方法，为设计开发新型高效的可见光催化剂提供了新思路和新途径。
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