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公开(公告)号：CN101985773A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200910236735.3
申请日：2009-11-05
Applicant: 新疆天科合达蓝光半导体有限公司 , 北京天科合达蓝光半导体有限公司 , 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶体生长的籽晶处理方法以及使用该籽晶处理方法的碳化硅单晶生长方法。籽晶处理方法包括在与籽晶的生长面相反的籽晶背面涂覆有机物，在所述有机物中碳元素的质量百分比大于50％；然后将已涂覆上述有机物的上述籽晶加热到1000-2300℃范围内以在籽晶背面形成石墨膜；之后冷却已形成石墨膜的籽晶从而获得用于制备碳化硅晶体的籽晶。通过这种方法处理好的石墨涂层在SiC单晶生长的条件下也能保持致密性和稳定性，从而很大程度上避免背向腐蚀，进而提高晶体的质量和产率。
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公开(公告)号：CN101979450A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200910236733.4
申请日：2009-11-05
Applicant: 北京天科合达蓝光半导体有限公司 , 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于高质量研磨碳化硅晶片的研磨液、研磨液的制备方法以及使用该研磨液的研磨方法。该研磨液由去离子水、金刚石粉、甘油、防锈剂和添加剂配制而成。利用此方法配制的研磨液气味清新，分散均匀，状态稳定，基本无沉淀，可循环使用，加工晶片去除速率快，加工出的碳化硅晶片较光亮，且无明显划痕，可高效防止上下研磨盘生锈。该研磨液的使用循环次数，可以通过改变加入添加剂的量或者不同添加剂的比例来调节。
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公开(公告)号：CN100404712C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200610086563.2
申请日：2006-06-22
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备反钙钛矿型锰基氮化物的方法，该方法包括以下步骤：将纯度大于99%的碱金属氮化物或碱土金属氮化物，锰粉及氧化物按一定比例混合均匀后放入反应容器中，将该反应容器置于充有高纯度氮气的密闭环境中，将反应容器的温度升至700-900℃，保温2-6小时后使其自然冷却，取出反应产物，以去离子水浸泡、清洗，干燥后得到相应的反钙钛矿型锰基氮化物。采用本发明方法，在温度低至700℃的条件下，2小时内即可制备反钙钛矿型锰基氮化物，反应迅速、成本低廉、设备简单、易于推广。
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公开(公告)号：CN100366538C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200610083451.1
申请日：2006-05-31
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: C01F17/00
Abstract: 本发明公开了一种采用金属氧化物制备镧系金属氮化物的方法，该方法包括以下步骤：将纯度足够的碱金属氮化物或碱土金属氮化物与镧系金属氧化物按一定比例混合均匀后放入反应容器中，将该反应容器置于充有高纯度氮气的密闭环境中，将反应容器的温度升至800-900℃，保温2-6小时后使其自然冷却，取出反应产物，以乙醇浸泡、清洗反应产物，真空干燥后得到相应的镧系金属氮化物。由于本发明采用碱金属或碱土金属氮化物与镧系金属氧化物反应来合成氮化物，在低至800℃的温度下反应即可进行，并且反应迅速、成本低廉、设备简单、易于推广。
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公开(公告)号：CN1261622C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200310113523.9
申请日：2003-11-14
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种物理气相传输生长碳化硅单晶的方法，其特征在于，在晶体生长过程中，在埚盖与坩埚始终处于可靠扣合的状态下，通过改变埚盖和坩埚各自所处温场中的位置，以保持埚盖上晶体生长面与坩埚中料面之间的温度差不变。也可为：在晶体生长过程中，在埚盖与坩埚始终处于可靠扣合的状态下，通过改变埚盖与坩埚之间的相互位置，以保持埚盖上晶体生长面与坩埚中料面之间的距离不变。采用本方法，晶体的生长始终处于最佳驱动力状态，因而克服了现有技术存在的不能生长较大晶体的局限性，而且在实施过程中，操作简便。另外，因晶体一直在稳定一致的外界条件下生长，故其质量得到保障。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1544714A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN200310113522.4
申请日：2003-11-14
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种SiC单晶生长压力自动控制装置，该装置包括真空室、进气气源、真空泵、变频器、控制单元，进气气源通过管道与真空室上的进气口相连，真空泵通过管道与真空室上的抽气口相连，采用压力传感器来测量真空室内压力，控制单元按设定程序并根据压力传感器的反馈信号自动控制变频器的工作，变频器直接控制真空泵的工作。通过变频器对真空泵进行控制后，因变频器的频率可在0～50之间连续变化，相应地，真空泵的抽速也可在0～额定抽速之间进行连续变化，线性度高，因而压力控制灵敏度高，波动性小，可进行自动控制。
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公开(公告)号：CN1544713A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN200310113521.X
申请日：2003-11-14
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，该装置包括真空室、石墨生长室、感应线圈，石墨生长室外部包覆有具有适当厚度的绝热材料，感应线圈设置在绝热材料外部，石墨生长室连同其外部的绝热材料层及感应线圈一起固定在真空室内，真空室上带有能够开启的密封盖，其上还设置有供与真空泵相连的抽气口。将晶体生长室及其绝热材料层和感应线圈一同设置在由金属制成的真空室中后，消除了真空室壁夹在感应线圈和晶体生长室之间所带来的缺陷，可以方便地通过调整保温材料的厚度，改变石墨生长室的尺寸来达到改变生长晶体尺寸的目的；同时由于感应线圈和石墨生长室之间没有双层石英管，从而无需进行大的设备改造，即可生长大尺寸SiC晶体。
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公开(公告)号：CN1257836A
公开(公告)日：2000-06-28
申请号：CN98125641.4
申请日：1998-12-23
Applicant: 中国科学院物理研究所
IPC: C01G15/00
Abstract: 本发明涉及一种热液合成GaN纳米材料的方法。通过在高压釜中放入金属镓,适量的易分解的氨盐和一定充满度的液氨后,将釜密封置入加热炉中加热至350—500℃,恒温3—4天,将釜取出打开,即可获得极纯的单相GaN纳米材料。用本方法获得的GaN纳米材料的纯度高,从X－射线衍射谱线来看无任何其它物相的杂线,产率近100%。本发明设备简单,成本低廉、高效,便于工业化批量生产。
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公开(公告)号：CN117947518A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311817870.3
申请日：2023-12-27
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明提供一种用于液相法生长碳化硅晶体的装置和方法。所述装置包括石墨坩埚和石墨环；石墨坩埚由上至下包括沿石墨坩埚内壁周向延伸的第一圆筒和第二圆筒，第一圆筒的内径大于第二圆筒，第一圆筒和第二圆筒的连接处形成环状台阶；石墨环位于石墨坩埚内且沿石墨坩埚内壁周向延伸，并且在碳化硅晶体生长完成后能够被环状台阶支撑。本发明的装置和方法可以避免长时间长晶产生的坩埚熔穿问题，可以实现长时间稳定地生长晶体，并且可实现对石墨坩埚和原料的重复利用，有效地降低生产成本，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN116163019A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111404988.4
申请日：2021-11-24
Applicant: 中国科学院物理研究所
Abstract: 本发明提供一种用于碳化硅晶体生长的装置，其包括石墨坩埚主体、石墨坩埚盖、籽晶，所述籽晶固定于所述石墨坩埚盖内侧；其中，所述石墨坩埚主体内设有至少一个石墨套筒，以将石墨坩埚主体划分为由所述石墨套筒与所述石墨坩埚主体包围的原料区和由所述石墨套筒内部包围的非原料区；所述石墨套筒侧壁上设有通孔，所述通孔的延伸方向与所述石墨套筒的轴线成锐角以防止所述原料区中的原料进入所述非原料区。本发明的装置通过在石墨坩埚中放入若干侧壁具有通孔的石墨套筒，可以增加SiC晶体生长中原料利用率，降低生长SiC单晶中原料的用量，进而降低了生长成本。本发明的装置能够给SiC晶体生长提供充足、稳定的气相物质，增加原料的利用率、提高生长SiC单晶的晶体质量。
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