公开(公告)号：CN1113988C

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN99119719.4

申请日：1999-09-29

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 陈小龙 ,  许燕萍 ,  兰玉成 ,  曹永革 ,  许涛 ,  蒋培植 ,  陆坤权 ,  梁敬魁 ,  俞育德

IPC分类号： C30B29/40

摘要： 本发明涉及一种氮化镓单晶的生长方法。本发明通过在高压釜的内腔壁上加附惰性材料衬里，并利用控温系统提供一个温场，从而在氨热中生长出氮化镓单晶。本发明的温度和压力都不太高(温度为400-600℃，压力为1000-1800巴)、设备简单、成本低廉而高效，氮化镓产率高，便于工业化批量生产GaN单晶材料。生长出的氮化镓单晶的直径大于20μm，长度为毫米量级，具有很大的实用价值。

公开(公告)号：CN1081165C

公开(公告)日：2002-03-20

申请号：CN98125641.4

申请日：1998-12-23

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 陈小龙 ,  许燕萍 ,  兰玉成 ,  许涛 ,  蒋培植 ,  陆坤权 ,  俞育德

IPC分类号： C01G15/00

摘要： 本发明涉及一种热液合成GaN纳米材料的方法。通过在高压釜中放入金属镓，适量的易分解的氨盐和一定充满度的液氨后，将釜密封置入加热炉中加热至350-500℃，恒温3-4天，将釜取出打开，即可获得极纯的单相GaN纳米材料。用本方法获得的GaN纳米材料的纯度高，从X-射线衍射谱线来看无任何其它物相的杂线，产率近100%。本发明设备简单，成本低廉、高效，便于工业化批量生产。

公开(公告)号：CN1289867A

公开(公告)日：2001-04-04

申请号：CN99119719.4

申请日：1999-09-29

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 陈小龙 ,  许燕萍 ,  兰玉成 ,  曹永革 ,  许涛 ,  蒋培植 ,  陆坤权 ,  梁敬魁 ,  俞育德

IPC分类号： C30B29/40

摘要： 本发明涉及一种氮化镓单晶的生长方法。本发明通过在高压釜的内腔壁上加附惰性材料衬里,并利用控温系统提供一个温场,从而在氨热中生长出氮化镓单晶。本发明的温度和压力都不太高(温度为400－600℃,压力为1000－1800巴)、设备简单、成本低廉而高效,氮化镓产率高,便于工业化批量生产GaN单晶材料。生长出的氮化镓单晶的直径大于20μm,长度为毫米量级,具有很大的实用价值。

公开(公告)号：CN87102231A

公开(公告)日：1988-10-12

申请号：CN87102231

申请日：1987-03-27

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 赵忠贤 ,  陈立泉 ,  陈赓华 ,  崔长庚 ,  郭树权 ,  车广灿 ,  张玉苓 ,  李克胜 ,  倪泳明 ,  杨乾声 ,  唐汝明 ,  陈烈 ,  李山林 ,  解思深 ,  俞育德 ,  董成 ,  王昌庆 ,  黄玉珍 ,  刘贵荣 ,  王连忠 ,  毕建清 ,  梁敬魁 ,  成向荣 ,  陈维

IPC分类号： C22C29/12 ,  H01B12/00 ,  H01B39/12 ,  C22C1/04

CPC分类号： Y02E40/64

摘要： 本发明制备的高温超导材料，是由BXD5-XA5O5(3-Y)，BxLzD5-x-zA5O5(5-y)，Bx′Lz′D5-x-z′ A5′O5(3-y)体系或其简约表达式表示的三元、四元和 多元氧化物组成的。本发明的高温超导材料是由直接烧结法制成 的。原料广泛，工艺简单，易于推广，为超导材料的研 究和应用打开思路，提供线索。

公开(公告)号：CN1113987C

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN99119067.X

申请日：1999-09-14

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 陈小龙 ,  曹永革 ,  兰玉成 ,  许燕萍 ,  许涛 ,  梁敬魁 ,  陆坤权 ,  蒋培埴 ,  俞育德

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B9/10

摘要： 本发明涉及利用熔盐法生长氮化镓单晶的方法。本发明通过选择对氮化镓有一定溶解度的助熔剂，即锂单质或含锂化合物，与原料按一定比例混合，即可在较低温度(680-900℃)及常压(0.5-10个大气压)下按常规方法(如缓慢降温法)进行GaN单晶的生长。本发明设备简单、原料价廉，成本低，可进行大规模生产。

公开(公告)号：CN1288079A

公开(公告)日：2001-03-21

申请号：CN99119067.X

申请日：1999-09-14

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 陈小龙 ,  曹永革 ,  兰玉成 ,  许燕萍 ,  许涛 ,  梁敬魁 ,  陆坤权 ,  蒋培埴 ,  俞育德

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B9/10

摘要： 本发明涉及利用熔盐法生长氮化镓单晶的方法。本发明通过选择对氮化镓有一定溶解度的助熔剂,即锂单质或含锂化合物,与原料按一定比例混合,即可在较低温度(680—900℃)及常压(0.5—10个大气压)下按常规方法(如缓慢降温法)进行GaN单晶的生长。本发明设备简单、原料价廉,成本低,可进行大规模生产。

公开(公告)号：CN1257836A

公开(公告)日：2000-06-28

申请号：CN98125641.4

申请日：1998-12-23

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 陈小龙 ,  许燕萍 ,  兰玉成 ,  许涛 ,  蒋培植 ,  陆坤权 ,  俞育德

IPC分类号： C01G15/00

摘要： 本发明涉及一种热液合成GaN纳米材料的方法。通过在高压釜中放入金属镓,适量的易分解的氨盐和一定充满度的液氨后,将釜密封置入加热炉中加热至350—500℃,恒温3—4天,将釜取出打开,即可获得极纯的单相GaN纳米材料。用本方法获得的GaN纳米材料的纯度高,从X－射线衍射谱线来看无任何其它物相的杂线,产率近100%。本发明设备简单,成本低廉、高效,便于工业化批量生产。