公开(公告)号：CN101916741B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201010223281.9

申请日：2010-07-09

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 张苗 ,  张波 ,  王曦 ,  薛忠营 ,  魏星 ,  武爱民

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上应变硅制备方法，其特征在于将SOI的顶层硅热氧化减薄至10-30nm，然后在超薄的顶层硅上外延Si1-xGex，Si1-xGex应变层的厚度不超过其临界厚度；进行离子注入，选择合适的能量，使离子注入到埋氧和衬底硅的界面；进行退火工艺，使应变的Si1-xGex层进行弛豫，同时，顶层硅受到拉伸的应力，离子注入使得埋氧和衬底硅的界面疏松，顶层硅成为应变硅；将剩余的Si1-xGex层移除，得到所需的应变硅材料。由此可见，本发明的最大优点是通过离子注入和外延工艺，而不需要键合工艺，直接将外延SiGe材料的应力反转，直接将应力转移到绝缘体上硅的顶层硅中，从而可望大大简化绝缘体上应变硅的制备工艺。

公开(公告)号：CN101866875B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201010189313.8

申请日：2010-06-01

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 张苗 ,  薛忠营 ,  张波 ,  魏星

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明涉及一种制备绝缘体上锗硅(SGOI)材料的方法。首先在体硅上外延Si1-xGex/Siepi/Si1-yGey结构的多层材料，其中0＜x＜1，0＜y＜1，Si1-xGex为外延材料的上表面。控制外延的Si1-xGex和Si1-yGey薄膜的厚度，使其都小于临界厚度，以保证这两层薄膜都是完全应变的。然后使用层转移的方法将Si1-xGex/Si/Si1-yGey转移到一个SiO2/Si结构的支撑材料上，形成Si1-yGey/Si/Si1-xGex/SiO2/Si结构的多层材料。使用选择性腐蚀的方法去掉顶层的Si1-yGey，最后通过离子注入及退火，使得材料中的Si1-xGex发生弛豫，相应的顶层Si发生应变，得到Si/Si1-xGex/SiO2/Si的SGOI材料。

公开(公告)号：CN101355024A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810038335.7

申请日：2008-05-30

Applicant: 上海新傲科技有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  张波

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/265 ,  H01L21/00

Abstract: 一种带有绝缘埋层的衬底的制备方法，包括如下步骤：提供第一衬底，所述第一衬底表面具有第一晶体层；在第一晶体层表面生长第二晶体层；提供第二衬底，所述第二衬底表面具有绝缘层；以第二晶体层远离第一衬底的表面和绝缘层远离第二衬底的表面作为键合表面进行键合；除去第一衬底和第一晶体层。本发明的优点在于，采用表面生长的方法形成绝缘埋层以及表面的晶体层，因此可以在较大的范围内调整绝缘埋层以及绝缘埋层表面的晶体层的厚度，且晶体层的表面是借由用于生长该晶体层的表面转变而形成的，因此具有良好的平整度。

公开(公告)号：CN101339816A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810041517.X

申请日：2008-08-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 鲍海飞 ,  李昕欣 ,  张波 ,  郭久福

IPC: G12B21/22 ,  G01N13/16

Abstract: 本发明涉及一种用于原子力显微镜的二维微动平台及力学参数的测定方法，其特征在于二维微动平台的中心开孔用于安装PZT扫描管，其中在互相垂直的X和Y位置上分别有两个调节旋钮，两个调节旋钮连接两个驱动杆，两个驱动杆与PZT扫描管连接，所述的二维微动平台固定在底座上。本发明所述的二维微动平台水平方向上的移动范围为3×3平方毫米，PZT扫描管的最大扫描位移为20微米。利用经改进的二维微动平台的AFM显微镜可进行在微结构上固定点的力学参数测试，在微取逐点进行力学－位移功能测试以及微区连续弹性系数的测试，均获得很好的一致性结果。

公开(公告)号：CN101271028A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810036215.3

申请日：2008-04-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 武爱民 ,  陈静 ,  王曦 ,  魏星 ,  张波

IPC: G01L1/18 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及基于硅硅键合和绝缘层上硅(SOI)的压力传感器芯片及其制作方法，属于传感器芯片领域。其特征在于支撑硅片上的浅槽和导气孔都是通过各向异性腐蚀形成的，通过控制腐蚀时间获得适当的浅槽深度可以实现器件的过压保护。通过硅硅键合技术将支撑片与倒扣的SOI片键合，完成磨片和抛光后在SOI上实现梁－膜结构提高器件的灵敏度和线性度，在加工的梁上制备力敏电阻元件，采用SOI的氧化埋层解决敏感元件和弹性元件的绝缘隔离，提高器件的长期可靠性和高温环境下的适用性。本发明提出的基于键合技术的SOI高灵敏压力传感器芯片工艺可控性和重复性好，成品率高。