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公开(公告)号：CN107104639A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710391361.7
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/16
CPC classification number: H03B19/16
Abstract: 本发明公开了一种双面鳍线四管芯太赫兹平衡式二次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、四个肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板正反面的前侧鳍线与后侧鳍线；位于正面的两个所述肖特基二极管的一端与正面的前侧鳍线电连接，位于正面的两个所述肖特基二极管的另一端与正面的后侧鳍线电连接。所述电路使得射频输入输出波导可以在同一直线上，方便电路人员设计，同时加工更为简单且石英电路采用双面电路，在正反两面均放置反向串联的肖特基二极管，可提高倍频效率，通过正反两面各设置两个肖特基二极管，可承受较大的功率输出，提高输出功率。
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公开(公告)号：CN107040212A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710392404.3
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/16
CPC classification number: H03B19/16
Abstract: 本发明公开了一种单面石英鳍线太赫兹平衡式三次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、两个同向串联的GaAs基太赫兹肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板上的前侧鳍线与后侧鳍线；两个所述肖特基二极管的一端与前侧鳍线电连接，两个所述肖特基二极管的另一端与后侧鳍线电连接，且所述肖特基二极管位于前侧鳍线与后侧鳍线间距离保持不变的位置处。所述电路的射频输入输出波导可以在同一直线上，方便电路人员设计，同时加工更为简单，并可以承受大功率输入，提高输出功率。
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公开(公告)号：CN103902668B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201410094889.4
申请日：2014-03-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06F17/30
Abstract: 本发明公开了一种InP基HEMT在太赫兹频段的建模方法，首先对加工完成的InP基HEMT器件进行直流测试，获得InP基HEMT的电流电压参数，在电路设计软件中建立低频参数包；然后结合InP基HEMT的设计版图和加工工艺，建立InP基HEMT高频仿真结构模型，在InP基HEMT栅端口和漏端口分别设置波端口激励，结合InP基HEMT的实际电路封装形式，抽取InP基HEMT寄生分量S参数包；最后在电路设计软件中建立起完整的包含寄生参量的电路模型，低频参数包和寄生分量S参数包在电路设计软件中串联，建立InP基HEMT在太赫兹频段的整体电路模型。本发明方法简单，使用方便，缩短了开发周期，降低了开发成本。
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公开(公告)号：CN104158495B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410401569.9
申请日：2014-08-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明公开了一种用于太赫兹混频器的新型混合集成电路，涉及电通信的传输装置技术领域。包括石英基板电路、GaAs基板电路、射频波导以及本振波导，GaAs基板电路包括GaAs基板和位于GaAs基板内的GaAs太赫兹肖特基二极管，所述GaAs太赫兹肖特基二极管的正面朝上，GaAs太赫兹肖特基二极管焊盘两端分别集成一段GaAs基的微带传输线或者悬置微带传输线，GaAs基的微带传输线或者悬置微带传输线分别与两侧的石英基板电路电连接。所述集成电路降低了器件微组装的工艺难度，与目前常用的混合集成电路形式相比，二极管的组装精度提高，可以降低混频器的变频损耗，使得混频器的测试结果更加接近设计结果。
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公开(公告)号：CN105845742A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610347861.6
申请日：2016-05-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L23/49
CPC classification number: H01L29/872 , H01L23/49
Abstract: 本发明公开了一种梁式引线太赫兹肖特基二极管，涉及肖特基二极管技术领域。所述二极管包括太赫兹肖特基二极管本体，所述太赫兹肖特基二极管本体上设有阳极和阴极，所述阳极和阴极的外侧面各设有一条向所述二极管本体外侧延伸的梁式引线，且所述梁式引线延伸至所述二极管本体的外侧部分的长度不同。所述二极管在阳极和阴极上伸出不同长度的金属条，在二极管应用于倒装焊接时，从背面看的时候，通过梁式引线长度的不同，区别二极管的阳极和阴极，降低了倒装焊的工艺难度，提高了二极管倒装焊接的可辨识性和可使用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104935254A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510360823.X
申请日：2015-06-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/14
Abstract: 本发明公开了一种新型F波段三倍频器，涉及太赫兹器件技术领域。本发明采用高截止频率GaN基肖特基二极管作为非线性倍频器件，输入输出采用波导微带过度电路形式，输入端基波信号过度到石英电路上接基波低通滤波器，经基波匹配电路后达到GaN基肖特基二极管，产生三次谐波信号，三次谐波经输出端匹配电路后，经微带波导转换达到输出波导端输出。其中基波低通滤波器可以通过基波输入信号，阻止二次谐波和三次谐波信号，输出端采用减高波导，减高波导的设计尺寸要求可以截止基波的二次谐波频率。所述三倍频器的耐受功率高、散热性能好、可靠性更好。
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公开(公告)号：CN104268355A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410534114.4
申请日：2014-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种GaAs基混频肖特基二极管毫米波及太赫兹频段建模方法，涉及二极管建模技术领域。利用基于测量的经验公式描述混频肖特基二极管结的非线性结特性，即利用热电子发射模型对二极管结进行公式描述；通过建立GaAs基混频肖特基二极管的三维电磁模型，利用商用高频结构仿真软件HFSS获得寄生参量在毫米波及太赫兹频段的S参数；最终在电路仿真软件例如ADS中建立GaAs基混频肖特基二极管对应的电路级模型；通过将建立的模型和实际封装测试的二极管S参数进行对比，然后修正其中的二极管结的经验公式，最终获得GaAs基混频肖特基二极管在毫米波及太赫兹频段的精准模型。
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公开(公告)号：CN104022163A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410246415.7
申请日：2014-06-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/16
CPC classification number: H01L29/872 , H01L23/298 , H01L23/3738
Abstract: 本发明公开了一种散热改进型GaAs基太赫兹倍频肖特基二极管，涉及太赫兹频段肖特基二极管技术领域，包括半绝缘GaAs衬底、半绝缘GaAs衬底上的重掺杂GaAs层、重掺杂GaAs层上的低掺杂GaAs层、二氧化硅层、欧姆接触金属层和钝化层，其特征在于所述钝化层均为金刚石。采用高热导率的金刚石作为太赫兹肖特基倍频二极管的钝化层，大大改善了肖特基二极管的散热性能，提高了肖特基二极管的倍频效率。
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公开(公告)号：CN103400864A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310328082.8
申请日：2013-07-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/08 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了一种基于极化掺杂的GaN横向肖特基二极管，属于半导体器件领域。本发明自下而上包括衬底、缓冲层和GaN层，在GaN层上设有渐变组分AlGaN层、与渐变组分AlGaN层横向结构形成的欧姆接触金属层和肖特基接触金属层，所述渐变组分AlGaN层的Al组分非均匀分布。该二极管与普通HEMT材料结构的二极管相比，有源区采用渐变组分AlGaN，减弱了由于电子聚集引起的可靠性问题；与硅掺杂形成N-/N+高低浓度结构的GaN肖特基二极管相比，本发明的串联电阻较小；与GaAs肖特基二极管相比，在同等肖特基结面积的情况下，可以承受更大的输入功率，且散热性能增强；与普通HEMT材料结构的二极管相比，本发明电容的非线性更强，更加适合作为变容器件，且器件结构简单，易于实现。
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