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公开(公告)号：CN111933740A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010711551.4
申请日：2020-07-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/107 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明适用于光电探测技术领域，提供了一种紫外光电二极管及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次制备第一接触层和台面结构，并在第一接触层上除台面结构之外区域制备下电极，形成第一样品；将制备的多层石墨烯薄膜转移到第一样品表面并刻蚀，在台面结构表面区域形成石墨烯透明电极；在形成石墨烯透明电极后的第一样品表面上生长第一介质层并刻蚀，形成石墨烯保护层；刻蚀石墨烯透明电极上的第一介质层，获得上电极对应区域，并在石墨烯透明电极上的上电极对应区域制备上电极，获得紫外光电二极管。本发明通过石墨烯透明电极，有利于拓展整个光子探测有源区下方的电场分布，进而大幅度提高紫外光电二极管的探测效率。
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公开(公告)号：CN111180398A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010013525.4
申请日：2020-01-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法。其中，所述氧化镓场效应晶体管包括衬底，设于所述衬底上的氧化镓沟道层，设于所述氧化镓沟道层上的源电极和漏电极，设于所述源电极和所述漏电极之间的栅介质层，设于所述栅介质层上的栅电极，以及，覆盖所述源电极和所述漏电极之间表面区域的钝化介质层，所述钝化介质层中设有氟注入区域，所述氟注入区域位于所述栅电极偏向所述漏电极一侧的区域。本发明提供的氧化镓场效应晶体管可以有效抑制栅电极偏漏电极一侧区域内可能出现的尖峰电场，使电场的分布更加均匀，氧化镓场效应晶体管的击穿电压大幅提升，有利于扩展氧化镓场效应晶体管器件在高压场景中的应用。
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公开(公告)号：CN110808212A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911089388.6
申请日：2019-11-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于半导体制造技术领域，提供了一种氧化镓场效应晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在衬底上外延制备n型掺杂氧化镓沟道层，并在n型掺杂氧化镓沟道层上沉积源电极和漏电极；在n型掺杂氧化镓沟道层上未被源电极和漏电极覆盖的位置刻蚀成一斜面，获得样品；在样品上未被源电极和漏电极覆盖的表面上生长介质层；在介质层的斜面上制备栅电极。通过刻蚀斜面的方式，可以使栅电极处于一个斜面上，栅电极靠近漏极的端点处角度变大，栅电极下尖峰电场被有效的抑制，电场分布更加均匀，从而大幅提升氧化镓场效应晶体管的击穿电压，提高氧化镓场效应晶体管的导通特性。
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公开(公告)号：CN110676316A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910892871.1
申请日：2019-09-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/40
Abstract: 本发明适用于半导体器件技术领域，公开了一种增强型场效应晶体管，增强型场效应晶体管自下而上依次包括衬底、沟道层、势垒层、钝化层和至少一层预设结构；预设结构自下而上依次包括绝缘介质层和场板；沟道层上分列有源电极和漏电极，势垒层上设有栅电极，钝化层位于源电极与栅电极之间以及栅电极与漏电极之间，绝缘介质层覆盖栅电极；在源电极和漏电极之间的沟道层中存在无载流子区和载流子区，在栅电极正下方以外的沟道层中存在无载流子区，且在栅电极正下方的沟道层中存在载流子区；在无载流子区的正上方具有场板。本发明提供的增强型场效应晶体管利用横向能带工程实现增强型器件，并利用场板结构能够提高击穿电压，提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN110544731A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910837936.2
申请日：2019-09-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器包括：衬底；位于衬底上的第一外延层，该第一外延层为重掺杂外延层；位于第一外延层上的第二外延层，该第二外延层为轻掺杂外延层，或者，该第二外延层为由至少一层轻掺杂外延层和至少一层重掺杂外延层构成的双层或多层结构；位于第二外延层上或者形成于第二外延层中的欧姆接触层，该欧姆接触层为图形化的重掺杂层；其中，欧姆接触层形成于第二外延层中时，欧姆接触层的上表面不低于第二外延层的上表面，且，欧姆接触层的下表面高于第二外延层的下表面；位于欧姆接触层上的第一金属电极层。本申请能够提高紫外探测器的量子效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109683078A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811552261.9
申请日：2018-12-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2632
Abstract: 本发明适用于微电子技术领域，提供了一种肖特基二极管测试方法及装置，上述方法包括：获取第一测试结构的总电容，并根据第一测试结构的总电容确定肖特基二极管的寄生电容；获取第二测试结构的总电容，并根据第二测试结构的总电容计算肖特基二极管的衬底寄生电容和空气桥引线电容；获取第三测试结构的总电感，并根据第三测试结构的总电感计算肖特基二极管的空气桥寄生电感。本发明实施例提供的肖特基二极管测试方法及装置，通过三个测试结构分别去除肖特基二极管中阴极与阳极之间的肖特基结、阴极Pad与阳极Pad之间的空气桥，并将肖特基二极管内的空气桥短接，实现了管内去嵌，解决了现有技术不能对肖特基二极管进行高频下参数准确提取的问题。
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公开(公告)号：CN109585273A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811450087.7
申请日：2018-11-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种氧化嫁器件隔离区的制备方法，包括：在氧化嫁材料上淀积掩膜层；去除所述掩膜层的预设部分区域；利用高温氧化技术，在所述氧化嫁材料上与所述预设部分区域对应的位置制备所述隔离区，所述隔离区位于所述氧化嫁器件的有源区之间；去除所述氧化嫁材料上剩余的掩膜层。本发明通过高温氧化技术制备隔离区，避免了隔离区制备过程中对氧化嫁器件造成的损伤，实现了氧化嫁器件有源区之间的隔离。
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公开(公告)号：CN109211444A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811119704.5
申请日：2018-09-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01L1/16
Abstract: 本发明适用于压力传感器技术领域，提供了一种压力传感器，包括硅衬底层、GaN外延层、压力测试电路、电路引脚和介质层；GaN外延层在硅衬底层上外延生长而成，GaN外延层上设有检测区，压力测试电路位于GaN外延层上的检测区内，电路引脚位于GaN外延层上的检测区外，介质层在GaN外延层上沉积而成并覆盖压力测试电路；硅衬底层设有通孔，通孔的横截面和检测区形状相同，通孔和检测区相对应。介质层的厚度影响压力传感器量程，通过改变介质层的厚度可以对压力传感器量程进行调节，降低了压力传感器量程控制难度。
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公开(公告)号：CN108389959A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810167641.4
申请日：2018-02-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L41/113 , H01L41/23 , H01L29/778 , H01L29/20 , H01L25/07
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种电桥式GaN压力传感器制备方法及器件，包括在第一衬底的第一表面形成GaN外延层；在GaN外延层上形成以四个首尾相连的无栅极GaN HEMT器件组成的惠斯顿电桥电路的压力敏感单元；在第一衬底的第二表面形成凹槽；凹槽对应区域覆盖相对设置的两个无栅极GaN HEMT器件；将形成凹槽后的第一衬底与第二衬底贴合形成密封腔体。本发明通过两个在凹槽对应区域内制备相对设置的无栅极GaN HEMT器件，与两个在凹槽对应区域外相对设置的无栅极GaN HEMT器件首尾相连，形成惠斯顿电桥电路作为压力敏感单元，利用两对相对设置的无栅极GaN HEMT器件受到压力后电阻变化率的差异，实现惠斯顿电桥电路电压输出最大化，从而提高GaN压力传感器灵敏度。
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公开(公告)号：CN107528547A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710562339.4
申请日：2017-07-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03F1/02
CPC classification number: H03F1/0205 , H03F2200/451
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯射频放大器单片集成电路，涉及集成电路制造技术领域，包括输入电路、输入偏置电路、放大电路、输出电路和输出偏置电路；输入电路、输入偏置电路、放大电路、输出电路和输出偏置电路安装在同一衬底上，输入电路连接放大电路，放大电路连接输出电路，输入偏置电路连接输入电路，输出偏置电路连接输出电路；信号通过输入电路进入放大电路中，输入偏置电路对输入信号调节，信号在放大电路中进行放大，然后通过输出电路输出，输出偏置电路对输出的信号进行调节，由此该石墨烯射频放大器单片集成电路实现较高的增益，解决普通放大器增益低的问题。
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