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公开(公告)号：CN109273168B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201811029842.4
申请日：2018-09-05
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种兼具高透光率与优异电磁屏蔽效能的新型复合薄膜制备方法，包括如下步骤：步骤一、基底表面处理；步骤二、制备银纳米线，并配制银纳米线分散液；步骤三、线棒刮涂法制备银纳米线透明导电薄膜；步骤四、银纳米线薄膜表面酸处理；步骤五、首先将步骤四中得到的基底放置在匀胶机上，PEDOT：PSS均匀涂布在基底表面，采用DBSA对干燥成膜的复合薄膜进行后处理，然后用去离子水对复合薄膜表面的DBSA进行多次旋洗并干燥，得到银纳米线‑（PEDOT：PSS）复合薄膜。利用本发明方法制备得到的银纳米线‑（PEDOT：PSS）复合薄膜，具有透光率高、电磁屏蔽效能突出、共形性好的特点，解决了传统屏蔽材料在航空航天系统电磁兼容与防护应用受限问题。
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公开(公告)号：CN110994166A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911213013.6
申请日：2019-12-02
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于超宽带谐波抑制的微带天线，包括：介质板、辐射贴片、微带馈线、缺陷地结构以及接地金属板，辐射贴片和微带馈线蚀刻在介质板的正面，微带馈线馈入辐射贴片内部，接地金属板蚀刻在介质板背面，还包括开路枝节，所述开路枝节连接在微带馈线上；所述缺陷地结构以微带馈线在介质板背面的投影为轴对称地蚀刻在接地金属板上。本发明提供的微带天线可实现超宽带谐波抑制，具有非常紧凑的缺陷地结构，使其更易与电路集成，利于系统的小型化设计，同时还具有良好的可扩展性。
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公开(公告)号：CN110702999A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201911146199.8
申请日：2019-11-21
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: G01R29/08
Abstract: 本发明公开了一种强电磁脉冲屏蔽效能测试系统，包括强电磁脉冲源，测试屏蔽腔、脉冲场信号接收回路和脉冲场信号补偿回路；强电磁脉冲源在微波暗室中产生强电磁脉冲场；测试屏蔽腔侧面开设测试窗口，屏蔽腔置于微波暗室内且开设测试窗口一侧正对于来波方向；脉冲场信号接收回路和脉冲场信号补偿回路包括接收天线/场探头、信号传输回路和信号显示设备；接收天线/场探头通过第一信号传输回路或第二信号传输回路与信号显示设备连接。另外，本发明还公开了与系统相应的方法。本发明填补了强电磁脉冲屏蔽效能测试系统和方法的领域空白。本发明的测试系统动态范围大，测试结果具有极高的准确度。
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公开(公告)号：CN110536597A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910788048.6
申请日：2019-08-26
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所 , 华北电磁防护技术研究所(中国电子科技集团公司第三十三研究所)
Abstract: 本发明公开了一种新型透光电磁防护薄膜及其制备方法，新型透光电磁防护薄膜，制备于光学透明基底上，透光电磁防护薄膜由银纳米线涂布液制成，所述银纳米线涂布液按体积份包括银纳米线溶液100份，分散剂0.05-0.5份，润湿剂0.05-0.5份，粘结剂0.05-0.5份；其制备方法包括：1、基底表面预处理；2、基底上制备银纳米线薄膜；3、银纳米线薄膜烘干制得新型透光电磁防护薄膜。采用本发明的一种新型透光电磁防护薄膜，兼具良好粘附性能和均匀性。
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公开(公告)号：CN110132409A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910408694.5
申请日：2019-05-16
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种高功率微波功率密度/场强监测装置及方法，该装置包括信号接收模块、信号接收模块和反馈模块，其中信号接收模块感应高功率微波信号并转换为可识别信号，信号处理模块将可识别信号进行处理与比较，反馈模块将处理与比较后得到的信号进行分级显示。本发明能够快速、有效的反应出监测点的功率密度/场强数值，可通过手动复位进行多次测量，并能满足受试设备表面、内部关键位置的监测，为高功率微波试验提供准确的试验数据，提高试验效率，降低试验误差。本发明方法还可拓展用于高功率微波功率密度/场强均匀区测试、电磁场可视化、电磁辐射安全区监测以及电磁辐射个人剂量等方向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109524283A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811500564.6
申请日：2018-12-10
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01J23/24
Abstract: 本发明提供了一种双波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件，该方案包括有圆波导外筒、同轴内导体和阴极；圆波导外筒套设在同轴内导体外部；阴极设置在同轴内导体前端发射环形电子束；圆波导外筒上沿电子束传输方向依次设置有L波段器件和S波段器件；阴极发出的环形电子束在一次脉冲内经过L波段器件和S波段器件后能够同时辐射产生L，S波段的高功率微波。本发明大幅度降低了高功率微波源系统体积、重量，并可大幅度降低磁场对电源的能量需求。
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公开(公告)号：CN109273168A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811029842.4
申请日：2018-09-05
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种兼具高透光率与优异电磁屏蔽效能的新型复合薄膜制备方法，包括如下步骤：步骤一、基底表面处理；步骤二、制备银纳米线，并配制银纳米线分散液；步骤三、线棒刮涂法制备银纳米线透明导电薄膜；步骤四、银纳米线薄膜表面酸处理；步骤五、首先将步骤四中得到的基底放置在匀胶机上，PEDOT：PSS均匀涂布在基底表面，采用DBSA对干燥成膜的复合薄膜进行后处理，然后用去离子水对复合薄膜表面的DBSA进行多次旋洗并干燥，得到银纳米线-（PEDOT：PSS）复合薄膜。利用本发明方法制备得到的银纳米线-（PEDOT：PSS）复合薄膜，具有透光率高、电磁屏蔽效能突出、共形性好的特点，解决了传统屏蔽材料在航空航天系统电磁兼容与防护应用受限问题。
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公开(公告)号：CN108594341A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810606679.7
申请日：2018-06-13
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种金纳米片-金纳米球二聚体的制备及其在强偏振依赖法诺共振的应用，目的在于解决自上而下方法制备金属纳米结构表面等离子体性质差，而现有自下而上方法制备的纳米结构难以有效控制的问题，以及因为强偏振依赖法诺共振难以有效产生与调控的困难。针对前述背景技术中提到的现有能产生强偏振依赖法诺共振金属纳米结构存在表面等离子体共振性质差等缺点的技术问题，提供一种自下而上的制备金纳米片-金纳米球二聚体的方法，其具有操作简便的特点。同时，所制备的二聚体兼具易于制备和可产生易调控的强偏振依赖法诺共振的特性，在实际应用中更具吸引力。本发明的二聚体作为目前最简单结构产生强偏振依赖法诺共振，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN107039716A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710455195.2
申请日：2017-06-16
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01P1/16
CPC classification number: H01P1/16
Abstract: 本发明提供了一种高功率微波可控多频介电介质移相型模式转换器，包括同轴圆波导、在同轴圆波导内沿同轴圆波导轴线方向设置将同轴圆波导均分为两部分的金属平板，所述其中一半波导填充有不同长度段的介电介质，另一半波导为真空，频率为f的微波在两半波导内经过长度L的传播后，产生180度相移，实现频率为f的微波由TEM模式转换为TE11模式。本发明采用上述结构，实现了多频点依据低频至高频的顺序由TEM模式至TE11模式的转换。该模式转换方法结构简单、紧凑、易操控，且易于和圆锥喇叭天线集成，获得高功率微波轴向增益。
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公开(公告)号：CN103338027B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310288308.6
申请日：2013-07-10
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H03K3/02
Abstract: 本发明公布了一种基于赝火花开关触发器的快前沿、低抖动、重频触发源，包括正负充电电源、控制系统、触发器、低抖动重频快Marx发生器系统，所述正负充电电源与低抖动重频快Marx发生器系统的输入端连接，所述正负充电电源的正电源和触发器连接，所述控制系统连接在正负充电电源与触发器之间；所述低抖动重频快Marx发生器系统与触发器连接，触发器中的开关为赝火花开关；本发明能兼顾输出电压高且连续可调、前沿快、低抖动、重频稳定运行等众多优点；基于该触发源，可开展低抖动、重频开关技术，脉冲同步、叠加、合成技术研究；为脉冲功率源系统向更高功率水平发展奠定一定技术基础。
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