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公开(公告)号：CN119775469A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411945189.1
申请日：2024-12-27
Applicant: 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司 , 北京大学
IPC: C08F212/08 , C08F212/14 , G03F7/004 , H05K1/03
Abstract: 本发明提供了一种基体树脂、光刻胶组合物、光刻胶及其制备方法和应用，属于光刻胶技术领域。所述基体树脂由苯乙烯、对苯氧基苯乙烯、对(环氧乙基)苯乙烯经聚合反应合成，重均分子量范围为2000‑50000，氧元素重量含量为1％‑1.5％，环氧值为0.2‑0.8mmol/g。本发明提供的基体树脂能够参与组成一种光刻胶，通过环氧基团和酚羟基的催化反应，可进一步提升光激发后的交联程度，提高附着力，进而实现更精细的光刻过程。
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公开(公告)号：CN117826531A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311869301.3
申请日：2023-12-29
Applicant: 北京北旭电子材料有限公司 , 北旭(湖北)电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 本发明涉及光刻胶技术领域，具体而言，涉及一种光刻胶组合物及其制备方法和应用。一种光刻胶组合物，包括以下质量百分比的组分：酚醛树脂5％～40％、感光化合物1％～20％、粘附力增加剂0.01％～2％、表面流平剂0.01％～1％和有机溶剂55％～90％；所述感光化合物选自第一G线感光化合物、第二G线感光化合物和I线感光化合物中的至少两种；所述粘附力增加剂选自三聚氰胺树脂和/或硅烷偶联剂；所述表面流平剂选自硅系化合物和/或氟碳化合物。本发明的光刻胶组合物高显影粘附力，良好的图形角度及高感度。
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公开(公告)号：CN113485072B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202110691354.5
申请日：2021-06-22
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 本申请提供了一种光刻胶组合物及其用途，该光刻胶组合物，以重量份计，包括以下成分：酚醛树脂10‑50份、感光剂1‑10份、塑化剂0.1‑5份、添加剂0.1‑5份和有机溶剂40‑100份，添加剂包括结构式(I)所示化合物中的至少一种。将本申请的光刻胶作为G线光刻胶或I线光刻胶使用，具有较低的回流温度，能避免高温对器件造成不利影响，在较低的温度下迅速回流形成形貌良好的微镜阵列，可用于对温度要求苛刻的生产工艺中。而且较小尺寸、或者较大高宽比的图形也能回流成形貌良好的微镜阵列。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN115725216B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202211319214.6
申请日：2022-10-26
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: G03F7/09 , C09D133/14
Abstract: 本申请提供了一种底部抗反射涂层组合物及其用途，其中，底部抗反射涂层组合物不含小分子的交联剂、产酸剂，该底部抗反射涂层组合物含有丙烯酸树脂共聚物A和丙烯酸树脂共聚物B，能够引入含有可热交联的环氧基团和芳香胺基团，可以在热交联的过程中减少由于小分子气化‑重结晶导致的污染情况的发生。
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公开(公告)号：CN113341651B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202110716154.0
申请日：2021-06-25
Applicant: 北京北旭电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种光刻胶及图案化方法，属于光刻技术领域。光刻胶包括酚醛树脂和感光剂，感光剂包括第一感光物质和第二感光物质，第一感光物质为多环芳烃与2‑叠氮‑1‑萘酚‑5‑磺酰氯和/或多环芳烃与2‑叠氮‑1‑萘酚‑4‑磺酰氯取代反应的产物，第二感光物质为酚醛树脂四聚体与2‑叠氮‑1‑萘酚‑5‑磺酰氯和/或酚醛树脂四聚体与2‑叠氮‑1‑萘酚‑4‑磺酰氯取代反应的产物。该酚醛树脂型光刻胶能够兼具较好的分辨率以及抗干刻性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115793391A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211513745.9
申请日：2022-11-29
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种光刻胶及其应用，属于半导体及集成电路技术领域。光刻胶包括10wt％～30wt％酚醛树脂、2wt％～10wt％重氮萘醌感光剂和0.1wt％～10wt％添加剂。本申请在重氮萘醌型光刻胶中加入含卤素的添加剂，添加剂能够和光刻胶中的其他成分相互作用，从而提高光刻胶的光敏感度，且能够使得光刻胶具有较好的光刻性能，具体表现为侧壁较垂直的形貌。
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公开(公告)号：CN112624907B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202011403906.X
申请日：2020-12-04
Applicant: 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种芳烷基酚树脂及其制备方法，所述制备方法包括：在酸性催化剂的条件下，酚和双环戊二烯或甲基双环戊二烯进行反应，然后加入烷基酚后升温，并滴加卤苄进行反应，最后加入终止剂，并加热至一定的温度，脱除体系中的多余的酚和小分子物质，即得到所述芳烷基酚树脂。本发明制备得到的芳烷基酚树脂，其软化点为50‑140℃；所述树脂中引入双环戊二烯或甲基双环戊二烯，增加树脂的耐热性，引入C4‑C20的烷基链或烯烃链实现了分子内的增韧。本发明还公开了上述芳烷基酚树脂在电子封装材料、环氧塑封领域的应用。
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公开(公告)号：CN112375192B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202011277049.3
申请日：2020-11-16
Applicant: 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种酚醛‑芳烷基树脂及其制备方法，所述酚醛‑芳烷基树脂的制备方法为：将苯酚加入反应釜中，升温，加入酸性催化剂，一定温度下，滴加二醛化合物，然后进行保温回流反应，即得到四酚基乙烷母体；然后在一定温度下，滴加芳烷基化合物，滴加过程保持微负压，反应结束后，即可得到所述酚醛‑芳烷基树脂。本发明所述酚醛‑芳烷基树脂含有酚醛缩合物和芳烷基单元两种结构单元，该结构下的树脂由于四酚基乙烷与芳烷基化合物结合，由于大分子效应及非极性效应，提高酚醛‑芳烷基树脂的耐热性和耐水性，改善其加工性能，并且多官能团芳烷基化合物的取代极大的降低酚醛‑芳烷基树脂的介电常数，使其在电子电路封装、覆铜板应用领域具有更优异的性能。
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公开(公告)号：CN113233758B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202110715723.X
申请日：2021-06-25
Applicant: 北京北旭电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种玻璃组合物、玻璃原粉及其制备方法、以及玻璃粉及其制备方法，属于电池封接材料领域。玻璃组合物按质量百分比计包括：56～68％的SiO2，10～20％的BaO，1～6％的B2O3，6～8％的Na2O，4～6％的K2O，3～5％的Al2O3，以及0.5～1％的Li2O。玻璃粉通过玻璃组合物制备得到，能够较好地与金属极柱匹配封接，且具有更好的耐电解液侵蚀性。
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公开(公告)号：CN113234194B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110725188.6
申请日：2021-06-29
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: C08F222/40 , C08F220/14 , C08F220/20 , C08F8/12 , C09J135/00 , G03F7/42
Abstract: 本申请提供一种共聚物、底层胶组合物、双层体系及其在双层剥离工艺中的应用。属于半导体技术领域。共聚物由N取代马来酰亚胺单体、溶解速率控制单体、丙烯酸酯疏水性单体和丙烯酸羟乙酯亲水性单体聚合得到。本申请的共聚物不溶解于传统光刻胶的溶剂，可以溶解于碱性溶液中，不溶于水，且具有较高的玻璃化转变温度，并具有较好的化学稳定性和抗刻蚀能力，能够作为双层剥离工艺的底层树脂材料。双层体系包括顶层光刻胶和共聚物形成的底层胶。双层体系能够用于双层剥离工艺，且只需要单次显影和单次显影就可以得到目标光刻图案，大大提高光刻效率。
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