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公开(公告)号:CN115947648B
公开(公告)日:2024-10-18
申请号:CN202211695370.2
申请日:2022-12-28
Applicant: 北京彤程创展科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种交联剂及其制备方法、光刻胶,属于光刻技术领域。光刻胶包括溶质和第一溶剂,其中,溶质包括70wt%~95wt%碱溶性树脂、1wt%~30wt%光致产酸剂、0.1wt%~15wt%酸淬灭剂和5wt%~20wt%上述的交联剂,第一溶剂的质量为碱溶性树脂的质量的1倍~10倍。本申请的交联剂能够用于添加到光刻胶中,并使得光刻胶的基体树脂的交联反应更加均匀,减少或避免局部分子量太大引起的形貌缺陷,得到的图形线条边缘更加垂直,且窗口更大。
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公开(公告)号:CN115974880A
公开(公告)日:2023-04-18
申请号:CN202211695259.3
申请日:2022-12-28
Applicant: 上海彤程电子材料有限公司 , 北京彤程创展科技有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: C07D487/04 , G03F7/004
Abstract: 本申请提供一种交联剂及其制备方法、光刻胶,属于光刻技术领域。光刻胶包括溶质和第一溶剂,其中,溶质包括70wt%~95wt%碱溶性树脂、1wt%~30wt%光致产酸剂、0.1wt%~15wt%酸淬灭剂和5wt%~20wt%上述的交联剂,第一溶剂的质量为碱溶性树脂的质量的1倍~10倍。本申请的交联剂能够用于添加到光刻胶中,并使得光刻胶的基体树脂的交联反应更加均匀,减少或避免局部分子量太大引起的形貌缺陷,得到的图形线条边缘更加垂直,且窗口更大。
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公开(公告)号:CN113234194A
公开(公告)日:2021-08-10
申请号:CN202110725188.6
申请日:2021-06-29
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: C08F222/40 , C08F220/14 , C08F220/20 , C08F8/12 , C09J135/00 , G03F7/42
Abstract: 本申请提供一种共聚物、底层胶组合物、双层体系及其在双层剥离工艺中的应用。属于半导体技术领域。共聚物由N取代马来酰亚胺单体、溶解速率控制单体、丙烯酸酯疏水性单体和丙烯酸羟乙酯亲水性单体聚合得到。本申请的共聚物不溶解于传统光刻胶的溶剂,可以溶解于碱性溶液中,不溶于水,且具有较高的玻璃化转变温度,并具有较好的化学稳定性和抗刻蚀能力,能够作为双层剥离工艺的底层树脂材料。双层体系包括顶层光刻胶和共聚物形成的底层胶。双层体系能够用于双层剥离工艺,且只需要单次显影和单次显影就可以得到目标光刻图案,大大提高光刻效率。
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公开(公告)号:CN113485072B
公开(公告)日:2023-11-07
申请号:CN202110691354.5
申请日:2021-06-22
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 本申请提供了一种光刻胶组合物及其用途,该光刻胶组合物,以重量份计,包括以下成分:酚醛树脂10‑50份、感光剂1‑10份、塑化剂0.1‑5份、添加剂0.1‑5份和有机溶剂40‑100份,添加剂包括结构式(I)所示化合物中的至少一种。将本申请的光刻胶作为G线光刻胶或I线光刻胶使用,具有较低的回流温度,能避免高温对器件造成不利影响,在较低的温度下迅速回流形成形貌良好的微镜阵列,可用于对温度要求苛刻的生产工艺中。而且较小尺寸、或者较大高宽比的图形也能回流成形貌良好的微镜阵列。#imgabs0#
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公开(公告)号:CN115793391A
公开(公告)日:2023-03-14
申请号:CN202211513745.9
申请日:2022-11-29
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种光刻胶及其应用,属于半导体及集成电路技术领域。光刻胶包括10wt%~30wt%酚醛树脂、2wt%~10wt%重氮萘醌感光剂和0.1wt%~10wt%添加剂。本申请在重氮萘醌型光刻胶中加入含卤素的添加剂,添加剂能够和光刻胶中的其他成分相互作用,从而提高光刻胶的光敏感度,且能够使得光刻胶具有较好的光刻性能,具体表现为侧壁较垂直的形貌。
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公开(公告)号:CN113234194B
公开(公告)日:2022-08-12
申请号:CN202110725188.6
申请日:2021-06-29
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: C08F222/40 , C08F220/14 , C08F220/20 , C08F8/12 , C09J135/00 , G03F7/42
Abstract: 本申请提供一种共聚物、底层胶组合物、双层体系及其在双层剥离工艺中的应用。属于半导体技术领域。共聚物由N取代马来酰亚胺单体、溶解速率控制单体、丙烯酸酯疏水性单体和丙烯酸羟乙酯亲水性单体聚合得到。本申请的共聚物不溶解于传统光刻胶的溶剂,可以溶解于碱性溶液中,不溶于水,且具有较高的玻璃化转变温度,并具有较好的化学稳定性和抗刻蚀能力,能够作为双层剥离工艺的底层树脂材料。双层体系包括顶层光刻胶和共聚物形成的底层胶。双层体系能够用于双层剥离工艺,且只需要单次显影和单次显影就可以得到目标光刻图案,大大提高光刻效率。
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公开(公告)号:CN113419404B
公开(公告)日:2023-04-18
申请号:CN202110731453.1
申请日:2021-06-29
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种光刻胶组合物,属于光刻技术领域。光刻胶组合物包括:100重量份化学放大正性光刻胶基体树脂、0.2~30重量份光致产酸剂和0.01~5重量份碱性添加剂。光致产酸剂包括三嗪类化合物,碱性添加剂包括含有氧原子的胺类化合物。本申请将三嗪类光致产酸剂与含有氧原子的胺类化合物配合,能够使得化学放大正性光刻胶的加工窗口DOF显著提升。同时,三嗪类光致产酸剂与含有氧原子的胺类化合物配合还能够改善光刻胶的顶部形貌,降低顶部损失,降低粗糙度。
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公开(公告)号:CN115616860A
公开(公告)日:2023-01-17
申请号:CN202211258412.6
申请日:2022-10-14
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本发明涉及光刻胶技术领域,尤其是涉及一种深紫外化学放大正型光刻胶组合物和图案形成方法。深紫外化学放大正型光刻胶组合物,包括如下组分:聚合物、含有苯基的化合物、光致产酸剂、含氮化合物、表面活性剂和溶剂;聚合物包括聚合物A,聚合物A具有如式(I)所示的结构:式中,R1选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、环戊基和环己基中的任一种;R2选自氢、甲基和乙基中的任一种;结构单元x与结构单元y的摩尔百分比为65~80mol%:20~35mol%。该光刻胶具有光刻工艺窗口大、曝光宽容度大和焦深大的特点,在无抗反射底层保护的高反射基底上光刻可获得无驻波、CD波动小和侧壁角呈直角的光刻胶图案。
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公开(公告)号:CN113419404A
公开(公告)日:2021-09-21
申请号:CN202110731453.1
申请日:2021-06-29
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种光刻胶组合物,属于光刻技术领域。光刻胶组合物包括:100重量份化学放大正性光刻胶基体树脂、0.2~30重量份光致产酸剂和0.01~5重量份碱性添加剂。光致产酸剂包括三嗪类化合物,碱性添加剂包括含有氧原子的胺类化合物。本申请将三嗪类光致产酸剂与含有氧原子的胺类化合物配合,能够使得化学放大正性光刻胶的加工窗口DOF显著提升。同时,三嗪类光致产酸剂与含有氧原子的胺类化合物配合还能够改善光刻胶的顶部形貌,降低顶部损失,降低粗糙度。
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公开(公告)号:CN115947648A
公开(公告)日:2023-04-11
申请号:CN202211695370.2
申请日:2022-12-28
Applicant: 北京彤程创展科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 北京科华微电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种交联剂及其制备方法、光刻胶,属于光刻技术领域。光刻胶包括溶质和第一溶剂,其中,溶质包括70wt%~95wt%碱溶性树脂、1wt%~30wt%光致产酸剂、0.1wt%~15wt%酸淬灭剂和5wt%~20wt%上述的交联剂,第一溶剂的质量为碱溶性树脂的质量的1倍~10倍。本申请的交联剂能够用于添加到光刻胶中,并使得光刻胶的基体树脂的交联反应更加均匀,减少或避免局部分子量太大引起的形貌缺陷,得到的图形线条边缘更加垂直,且窗口更大。
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