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公开(公告)号:CN105097008B
公开(公告)日:2018-03-09
申请号:CN201410175612.4
申请日:2014-04-28
IPC分类号: G11C11/02
CPC分类号: G11C19/08
摘要: 本发明实施例提供了一种驱动脉冲的确定方法,包括向磁性存储轨道和读取装置发送第i个驱动脉冲,其中,i是不为0的自然数;确定读取装置在第i个驱动脉冲的驱动下是否读取到一个磁畴的数据;在确定未读取到一个磁畴的数据时,向磁性存储轨道和读取装置发送第i+1个驱动脉冲,第i+1个驱动脉冲的驱动强度比第i个驱动脉冲的驱动强度增加第一预设强度值;确定在第i+1个驱动脉冲的驱动下读取到一个磁畴的数据;确定第i+1个驱动脉冲的驱动强度为磁畴的最小驱动强度。本发明实施例实现了确定驱动所述磁畴移动的最小驱动强度。本发明实施例还提供了一种控制器及磁性存储设备。
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公开(公告)号:CN104425707B
公开(公告)日:2017-11-17
申请号:CN201310382143.9
申请日:2013-08-28
摘要: 本发明实施例公开了一种磁性存储轨道的制备方法,包括:通过刻蚀工艺在硅体上刻蚀出H个第一凹形空间,所述H为大于1的整数;在所述H个第一凹形空间中沉积一层磁性材料,并在沉积所述磁性材料后的第一凹形空间中填满硅材料,以构造硅与磁性材料的组合体;将所述组合体第一面所裸露的磁性材料刻蚀掉或者氧化为绝缘体,以得H个U形磁性存储轨道,其中,所述第一面为所述组合体包括的所述第一凹形空间的开口所在的面。相应地,本发明实施例还提供磁性存储轨道的制备设备和磁性存储轨道。本发明实施例可以提高制造磁性存储轨道的效率。
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公开(公告)号:CN106406493A
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201510460607.2
申请日:2015-07-30
IPC分类号: G06F1/32
摘要: 一种能降低功耗的电子装置及降低电子装置功耗的方法,所述电子装置包括处理器、易失性内存、及非易失性内存,所述非易失性内存存储第一操作系统,所述电子装置在第一工作模式和第二工作模式下工作;当所述电子装置处于所述第一工作模式时,第二操作系统在所述易失性内存中运行,在所述处理器侦测到所述电子装置达到预设的进入所述第二工作模式的条件时,开启所述非易失性内存,移动所述易失性内存中的非系统数据至所述非易失性内存中,所述非系统数据不包括所述第二操作系统,在所述非系统数据移动完成后,关闭所述易失性内存,在所述非易失性内存中运行所述第一操作系统,使所述电子装置进入所述第二工作模式。从而降低电子装置的功耗。
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公开(公告)号:CN105523546A
公开(公告)日:2016-04-27
申请号:CN201610042947.8
申请日:2016-01-22
申请人: 复旦大学
IPC分类号: C01B31/04
CPC分类号: C01B2204/20 , C01B2204/22 , C01B2204/32 , C01P2004/03
摘要: 本发明属于石墨烯制备技术领域,具体公开了一种三维石墨烯的制备方法。本发明方法包括以下步骤:将氧化石墨烯分散获得氧化石墨烯水溶液;将三维金属泡沫浸入氧化石墨烯溶液,通过物理或化学方法获得孔内负载有石墨烯气凝胶的三维金属泡沫;以孔内负载有石墨烯气凝胶的三维金属泡沫为模板,利用化学气相沉积法,得到含基底的三维石墨烯;通过刻蚀清洗得到三维石墨烯。本发明工艺简单,能实现高质量、高密度三维石墨烯,为其在催化、储能、导热、吸附等领域的应用奠定了基础。
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公开(公告)号:CN105469821A
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201410255252.9
申请日:2014-06-10
CPC分类号: G11C11/161
摘要: 本发明公开了隧道磁电阻效应存储装置,包括依次层叠的第一磁头单元、磁化方向可变的轨道自由层和第二磁头单元;第一磁头单元包括依次层叠的第一电极层、磁化方向固定的第一固定层和第一绝缘层;第二磁头单元包括第二电极层;轨道自由层设于第一绝缘层和第二电极层之间,且轨道自由层呈U型,轨道自由层包括多个依次排列的磁畴和位于相邻的两个磁畴之间的磁畴壁;第一磁头单元收容于轨道自由层的U型腔内,或第二磁头单元收容于轨道自由层的U型腔内;第一电极层和第二电极层分别对应连接于外界电压的两端。该存储装置采用三维U型轨道自由层,增加了存储容量,简化了外围电路结构,降低了生产成本和工艺难度。还公开了制备方法,和存储器。
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公开(公告)号:CN104575581A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201310496697.1
申请日:2013-10-21
IPC分类号: G11C11/02
CPC分类号: G06F3/0625 , G06F3/0658 , G06F3/0676 , G11C8/16 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C19/0808 , G11C19/0841
摘要: 本发明实施例提供一种存储单元、存储器及存储单元控制方法,用于提高存储密度和降低功耗。其中,一种存储单元包括:U型磁性轨道,第一驱动电路,第二驱动电路,第一驱动端口和第二驱动端口;U型磁性轨道包括第一端口,第二端口,第一存储区域和第二存储区域;第一驱动电路用于驱动第一存储区域,第二驱动电路用于驱动第二存储区域;通过对第一端口、第二端口、第一驱动端口和第二驱动端口的输入电压的控制以及第一驱动电路的驱动,第一存储区域内产生电流脉冲,并驱动第一存储区域内的磁畴移动;通过对第一端口、第二端口、第一驱动端口和第二驱动端口的输入电压的控制以及第二驱动电路的驱动,第二存储区域内产生电流脉冲,并驱动第二存储区域内的磁畴移动。
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