一种具有大斯托克斯位移的磷化铟量子点的制备方法

    公开(公告)号:CN116218510B

    公开(公告)日:2025-03-04

    申请号:CN202111481449.0

    申请日:2021-12-06

    Abstract: 本发明公开了一种具有大斯托克斯位移的磷化铟量子点及其制备方法,涉及量子点材料技术领域。制备方法包括,在第一温度将铟前驱体隔绝氧气和水,充分溶解,加入磷前驱体后升至第二温度反应,得到磷化铟核心,再加入壳层前驱体,升至第三温度,得到核壳结构的量子点,再在第三温度下依次加入阴离子和阳离子前驱体,得到发射峰在465~650nm之间可调,量子效率高且具有大斯托克斯位移的量子点。该量子点主要具有较大的斯托克斯位移来抑制自吸收和非辐射共振能量转移,宽带隙的壳层能有效钝化表面缺陷,实现较高的荧光量子效率,荧光发射峰的位置可通过改变前驱体的活性,在可见光范围内进行调节,不含镉、铅等重金属元素,对环境相对友好。

    包覆银纳米壳层的荧光编码微球及荧光编码矩阵

    公开(公告)号:CN118421299A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410524833.1

    申请日:2024-04-29

    Inventor: 李万万 赵杰

    Abstract: 本发明属于材料技术领域,具体提供一种包覆银纳米壳层的荧光编码微球及荧光编码矩阵,该荧光编码微球的制备方法包括以下步骤:S1、将表面活性剂溶解在水相中形成连续相溶液;S2、将至少一种荧光材料按照至少一种浓度分别和聚合物溶解到油相溶剂中,形成至少一种分散相溶液;S3、各分散相溶液逐一和连续相溶液通过SPG膜乳化法制备出至少一种荧光编码微球。S4、将银纳米立方体颗粒和每种荧光编码微球分别超声分散,得到包覆银纳米壳层的荧光编码微球。本发明的制备方法简单有效、重复性好,并且省略了对主客体材料的修饰过程,即可构建得到基于颜色‑强度的贵金属壳层的二维编码库,为构建高灵敏液相芯片检测平台提供了强有力的工具。

    一种InP量子点及其制备方法

    公开(公告)号:CN110157407B

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN201910398147.3

    申请日:2019-05-14

    Inventor: 李万万 林拱立

    Abstract: 本发明公开了一种InP量子点的制备方法,涉及量子点材料领域,包括以下步骤:先将反应容器除水除氧,然后制备均匀的铟、锌混合的前体溶液,加入磷前驱体,再加入合成壳层材料,然后采用边升温边增加壳层厚度的方式制得具有壳层结构的InP量子点结构。本发明制备的InP量子点,InP晶核为纳米结构,壳层成分包含ZnS、ZnSe和ZnSeS中的一种或几种;荧光发射峰范围为450~700nm,半高宽低于55nm。本发明能够有效控制晶核生长和荧光发射波长,获得晶核粒径细小均一、发光色域广、半高宽窄的InP量子点;同时能够减少晶核的表面氧化,促使壳层高质量低缺陷地增厚,提升InP量子点的发光效率。

    CdSeZnS/ZnS/ZnS核/壳/壳量子点的制备

    公开(公告)号:CN110129055B

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201910420059.9

    申请日:2019-05-20

    Abstract: 本发明提供了一种CdSeZnS/ZnS/ZnS核/壳/壳量子点的制备;包括:将镉源、锌源与油酸、1‑十八烯反应制备阳离子前体;将硒源和硫源与三辛基膦反应制备阴离子前体;将阴离子前体,在一定的温度下,快速注入阳离子前体,通过反应得到量子点核心;使用注射泵,通过控制壳层的生长温度,壳层前体的注入量和注入速度,使用油酸锌和辛硫醇进行第一层壳层生长,再采用油胺锌和油胺硫进行第二层生长,得到CdSeZnS/ZnS/ZnS绿光核/壳/壳量子点。本发明制备的量子点尺寸、形貌均一,半高宽窄,荧光效率高,镉含量低,可广泛应用于照明和显示领域,尤其适用于全溶液倒置器件结构,可大幅提升器件的效率和寿命。

    一种核壳结构量子点的大批量微流连续制备方法

    公开(公告)号:CN110105955B

    公开(公告)日:2020-07-14

    申请号:CN201910420745.6

    申请日:2019-05-20

    Abstract: 本发明提供了一种核壳结构量子点大批量微流连续制备方法,包括以下步骤:经阳离子注射泵的阳离子前体与经阴离子注射泵的阴离子前体分别以微流量连续进入第一混合器混合,混合后经第一换热器进入第一微反应器反应,生成量子点核心;经壳层前体注射泵的壳层前体与所述量子点核心分别以微流量连续进入第二混合器混合,混合后进入第二微反应器反应,壳层前体在核心上生长,得到所述核壳结构量子点。本发明制备核壳量子点的方法工艺稳定,可大批量合成,且合成的量子点尺寸形貌均一,荧光量子产率高,可广泛应用于照明和显示领域。

    一种InP量子点及其制备方法

    公开(公告)号:CN110157407A

    公开(公告)日:2019-08-23

    申请号:CN201910398147.3

    申请日:2019-05-14

    Inventor: 李万万 林拱立

    Abstract: 本发明公开了一种InP量子点的制备方法,涉及量子点材料领域,包括以下步骤:先将反应容器除水除氧,然后制备均匀的铟、锌混合的前体溶液,加入磷前驱体,再加入合成壳层材料,然后采用边升温边增加壳层厚度的方式制得具有壳层结构的InP量子点结构。本发明制备的InP量子点,InP晶核为纳米结构,壳层成分包含ZnS、ZnSe和ZnSeS中的一种或几种;荧光发射峰范围为450~700nm,半高宽低于55nm。本发明能够有效控制晶核生长和荧光发射波长,获得晶核粒径细小均一、发光色域广、半高宽窄的InP量子点;同时能够减少晶核的表面氧化,促使壳层高质量低缺陷地增厚,提升InP量子点的发光效率。

    一种高荧光效率的二氧化硅包覆量子点的纳米复合发光材料的制法和用途

    公开(公告)号:CN102816564B

    公开(公告)日:2014-07-09

    申请号:CN201210313642.8

    申请日:2012-08-29

    Abstract: 本发明公开了一种SiO2包覆量子点的纳米复合发光材料的制备方法,通过反相微乳液聚合反应在量子点的表面生长SiO2壳层并进行包括退火处理和紫外光照处理的后处理,实现了制备SiO2包覆量子点的纳米复合发光材料。本发明中的量子点可以是单一量子点,也可以是多种量子点。本发明制备得到的SiO2包覆量子点的纳米复合发光材料能够同时满足具有亲水性的表面、具有合适的表面官能团以及没有生物毒性的要求,并具有较高的荧光效率,因此可用于制备高性能的LED等光电器件,还能够用于生物多色标记领域。

    功能性纳米颗粒复合交联微球粉末及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN102908960A

    公开(公告)日:2013-02-06

    申请号:CN201210330685.7

    申请日:2012-09-10

    Abstract: 本发明涉及一种功能性纳米颗粒复合交联微球粉末及其制备方法和应用。所述的功能性纳米颗粒复合交联微球粉末包含有功能性纳米颗粒复合交联微球,所述的功能性纳米颗粒复合交联微球包含功能性纳米颗粒和单体、交联剂及引发剂,平均粒径为0.1-20µm,粒径分布变异系数≤9.6%。所述的制备方法是膜乳化技术和乳液聚合法的结合。本发明还涉及基于上述复合交联微球粉末的生物检测探针及该探针的应用。本发明的优点是:可制备得到粒径均一的功能性纳米复合交联微球,制得的功能性纳米复合交联微球属于微米级且粒径变异系数小、单分散性好、性能优良,在生物检测、生物医药等领域具备广阔的应用前景。

    一种高荧光效率的二氧化硅包覆量子点的纳米复合发光材料的制法和用途

    公开(公告)号:CN102816564A

    公开(公告)日:2012-12-12

    申请号:CN201210313642.8

    申请日:2012-08-29

    Abstract: 本发明公开了一种SiO2包覆量子点的纳米复合发光材料的制备方法,通过反相微乳液聚合反应在量子点的表面生长SiO2壳层并进行包括退火处理和紫外光照处理的后处理,实现了制备SiO2包覆量子点的纳米复合发光材料。本发明中的量子点可以是单一量子点,也可以是多种量子点。本发明制备得到的SiO2包覆量子点的纳米复合发光材料能够同时满足具有亲水性的表面、具有合适的表面官能团以及没有生物毒性的要求,并具有较高的荧光效率,因此可用于制备高性能的LED等光电器件,还能够用于生物多色标记领域。

    铈铕共掺杂的钇铝石榴石及其制备荧光粉的方法

    公开(公告)号:CN101781562A

    公开(公告)日:2010-07-21

    申请号:CN201010300880.6

    申请日:2010-01-28

    Abstract: 一种荧光节能技术领域的铈铕共激活单一相钇铝石榴石荧光粉及其制备方法,其粒径小于等于400目,铈铕共掺杂的钇铝石榴石结构通式为(Y(1-x-y)CexEuy)3Al5O12,其中:0.05<x<0.2,0.05<y<0.15。本发明所获得的荧光粉,可有效吸收460nm的蓝光,并发出黄、红复合光,可与现有的GaN蓝光LED芯片制得光转换白光LED,并克服了传统白光LED中缺少红光成分的缺点。

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