公开(公告)号：CN102239571A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200980148258.3

申请日：2009-11-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 时冈秀忠 ,  山林弘也 ,  折田泰

IPC: H01L31/075 ,  H01L27/142

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0465 ,  Y02E10/50

Abstract: 包括：第1工序，以使相邻的薄膜光电变换单元之间电串联连接的方式，在透光性绝缘基板上，依次形成第1电极层、光电变换层、以及第2电极层，其中，该光电变换层是依次层叠了第1导电类型半导体层、第2导电类型半导体层和第3导电类型半导体层；第2工序，形成从所述第2电极层的表面到达所述第1电极层的分离槽，从而进行单元分离为多个薄膜光电变换单元；以及第3工序，在所述第2工序之后对所述光电变换层的所述分离槽的侧壁部进行氧化处理而使所述光电变换层的所述分离槽的侧壁部改性为绝缘层。

公开(公告)号：CN1706028A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200480001234.2

申请日：2004-08-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上满夫 ,  时冈秀忠 ,  由良信介

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种薄膜半导体的制造方法，包括：将可见光脉冲激光(22)在被照射物的表面上聚光成细线形状，并且移动位置以使得在上述细线形状的照射区域(35)的宽度方向上与下一个定时的照射区域(35)重合，同时进行反复照射，在上述被照射物的表面上形成多晶硅膜的多晶化工序；上述多晶化工序在上述可见光脉冲激光(22)对第1照射区域(35)照射的期间或照射之前，对与上述第1照射区域(35)部分重合的第2照射区域(36)照射紫外光脉冲激光(23)。

公开(公告)号：CN1662945A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN03814148.5

申请日：2003-06-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上里将史 ,  时冈秀忠 ,  桥户隆一 ,  浦壁隆浩 ,  后藤末广 ,  冈部正志 ,  井上满夫

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/20 ,  H05B33/14

CPC classification number: G09G3/3283 ,  G09G3/3241 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/027 ,  G09G2310/0297 ,  G09G2320/0242

Abstract: 配置对具有发光元件的各像素电路(32～34)供给信号电流IL_R(m)、IL_G(m)、IL_B(m)用的信号线(28～30)。信号线驱动电路通过利用根据对应的比特被导通、截止的开关电路(18～20，21～23，24～26)切换从与图像数据(R[2..0]，G[2..0]，B[2..0])的每一个比特对应地设置的比特加权电流源电路(9～11，12～14，15～17)输出的比特加权电流，在信号线上产生与图像数据对应的信号电流。由于各电流源电路具有根据从基准电流线(5～7)供给的比特加权电流的基准电流校正从自身输出的比特加权电流的电平的功能，故即使是构成各电流源电路的TFT的特性离散大的情况，也能抑制每条信号线的信号电流的离散，可抑制发光亮度的不匀。

公开(公告)号：CN1151404C

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN00137004.9

申请日：2000-12-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上满夫 ,  上里将史 ,  村井博之 ,  时冈秀忠

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/133

CPC classification number: G09G3/2011 ,  G09G3/3659 ,  G09G2300/0828 ,  G09G2300/0852

Abstract: 在彩色液晶显示装置中，采用在象素信号线(4)和液晶单元(2)的电极(2a)之间，并联连接2个电容器(18、19)这两方，或仅仅连接两者中的任何一方，或全部不连接的办法，就可以把液晶单元(2)的电极(2a)的电位(V2)切换成4个等级。因此，可以进行4个等级的灰度等级显示而无须使用数-模转换电路，因而可以实现装置的低价格化。

公开(公告)号：CN1393032A

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN01802773.3

申请日：2001-06-12

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 次六宽明 ,  宫坂光敏 ,  小川哲也 ,  时冈秀忠

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明旨在实现在较低的温度下制造优质薄膜半导体装置。在设置局部加热机构后形成活性半导体膜，对活性半导体膜照射脉冲激光进行熔融结晶化。

公开(公告)号：CN1315669A

公开(公告)日：2001-10-03

申请号：CN00137004.9

申请日：2000-12-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上满夫 ,  上里将史 ,  村井博之 ,  时冈秀忠

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/133

CPC classification number: G09G3/2011 ,  G09G3/3659 ,  G09G2300/0828 ,  G09G2300/0852

Abstract: 在彩色液晶显示装置中,采用在象素信号线(4)和液晶单元(2)的电极(2a)之间,并联连接2个电容器(18、19)这两方,或仅仅连接两者中的任何一方,或全部不连接的办法,就可以把液晶单元(2)的电极(2a)的电位(V2)切换成4个等级。因此,可以进行4个等级的灰度等级显示而无须使用数－模转换电路,因而可以实现装置的低价格化。