公开(公告)号：CN1707810A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200410099717.2

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐晋旭 ,  李基龙 ,  梁泰勋 ,  朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/66757

Abstract: 提供了一种薄膜晶体管和其制造方法。薄膜晶体管包括：形成在衬底上的金属催化剂层，和依次形成在金属催化剂层上的第一帽盖层和第二帽盖层图案。方法包括：在金属催化剂层上形成第一帽盖层，在第一帽盖层上形成并构图第二帽盖层，在已构图的第二帽盖层上形成非晶硅层，扩散金属催化剂，以及结晶非晶硅层形成多晶硅层。以均匀的低浓度扩散结晶催化剂以控制催化剂形成的籽晶的位置，以使得在多晶硅层中的沟道区接近于单晶。因此，薄膜晶体管器件的特性可以得到提高并变得均匀。

公开(公告)号：CN1645630A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410099754.3

申请日：2004-11-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明涉及一种通过金属诱导横向晶化工艺形成的薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管包括具有源极/漏极区域和沟道区域的有源层、栅极电极、具有暴露每个源极/漏极区域的一部分的接触孔的绝缘层、和暴露有源层的一部分的晶化诱导图案。源极/漏极电极通过接触孔连接到源极/漏极区域，而晶化诱导图案并不将源极/漏极区域连接到源极/漏极电极。

公开(公告)号：CN1497685A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN200310102406.2

申请日：2003-10-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李基龙

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种制造使用双重或多重栅极的薄膜晶体管(TFT)的方法，其通过计算包括Nmax，即根据有源沟道的长度，在有源沟道区中的晶粒界面的最大数量的概率，并调整有源沟道之间的间隙，该间隙能够在确定了形成TFT衬底的多晶硅的晶粒的尺寸Gs、“主”晶粒界面相对垂直于栅极的有源沟道方向的方向倾斜的角度θ、有源沟道的宽度和有源沟道的长度的情况下，使采用双重或多重栅极的TFT的每个有源沟道区中的晶粒界面的数量一致。