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公开(公告)号：CN101246909A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810074302.8
申请日：2008-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78609
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管(TFT)可以包括沟道层、源电极、漏电极、保护层、栅电极、和/或栅极绝缘层。沟道层可以包括氧化物半导体材料。源电极和漏电极可以在沟道层上方相互面对。保护层可以在源电极和漏电极下面和/或可以覆盖沟道层。栅电极可以配置为向沟道层施加电场。栅极绝缘层可以夹置在栅电极和沟道层之间。
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