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公开(公告)号:CN116917854A
公开(公告)日:2023-10-20
申请号:CN202280019230.5
申请日:2022-02-25
申请人: 西部数据技术公司
IPC分类号: G06F3/06
摘要: 本文描述了能够使用多种协议与主机计算设备通信的存储设备。这些多协议存储设备(MPSD)可被配置为跨各种协议利用持久性存储器区域(PMR)。通常,这些协议中的一个协议是非易失性存储器快速(NVMe)协议,其提供了利用和管理该存储设备内PMR的能力。其他协议可能不像该NVMe协议那样具有对PMR的本地支持。因此,公开了MPSD,其可以响应于初始化事件而确定哪个协议在使用并且基于该确定的协议根据需要调整该PMR的该使用。这些调整可以允许直接访问该PMR作为通用存储器存储装置的扩展,或可被配置为提供该存储设备整体的提高性能。这些存储设备可以在多个主机计算系统之间能够热交换。
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公开(公告)号:CN111194437B
公开(公告)日:2023-10-17
申请号:CN201880063143.3
申请日:2018-09-25
申请人: 西部数据技术公司
摘要: 本发明公开了用于使用存储中代码执行来卸载数据处理任务的系统和方法。例如,数据存储系统,包括一个或多个处理器、非暂态存储介质以及可由所述一个或多个处理器执行以执行操作的存储逻辑,所述操作包括:接收被配置为执行数据处理卸载任务的可移植代码,所述可移植代码包括用于处理所述存储介质中存储的数据的一个或多个可翻译的、硬件中立指令,所述指令包括:使用设置在所述存储逻辑中的翻译和执行引擎来翻译和执行所述可移植代码的所述一个或多个可翻译的、硬件中立的指令,以执行所述数据处理卸载任务;确定所述可移植代码的使用已结束;以及响应于确定所述可移植代码的使用已结束来释放所述可移植代码。
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公开(公告)号:CN116782497A
公开(公告)日:2023-09-19
申请号:CN202210536853.1
申请日:2022-05-17
申请人: 西部数据技术公司
摘要: 本发明提供一种表面安装装置,其在触点上具有防止所述表面安装装置立碑的特征。所述特征可为由所述触点限定的有助于平衡在回流焊过程期间施加于所述表面安装装置的每一侧上的扭矩/力的通道。所述特征还可为有助于平衡在回流焊过程期间施加于所述表面安装装置的每一侧上的扭矩/力的焊料掩模。
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公开(公告)号:CN111373480B
公开(公告)日:2023-09-19
申请号:CN201980005748.1
申请日:2019-02-06
申请人: 西部数据技术公司
摘要: 公开用于通过单元探测进行故障预测的系统和方法。方法包含接收写入请求。所述方法还包含将预定数目的编程脉冲施加到闪存存储器装置的块内的多个存储器单元。所述方法还包含将验证脉冲施加到所述多个存储器单元中的每一相应存储器单元。所述方法还包含将所述多个存储器单元的编程状态存储到锁存器集合中。所述方法还包含基于所存储编程状态而确定所述块内的超出一或多个预定的预期范围的存储器单元的总数目。所述方法还包含在存储器单元的所述总数目满足预定风险阈值时将所述块识别为处于风险中的块。
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公开(公告)号:CN110955385B
公开(公告)日:2023-09-19
申请号:CN201910494638.8
申请日:2019-06-10
申请人: 西部数据技术公司
IPC分类号: G06F3/06
摘要: 本发明题为“用于改进的数据重定位的数据存储系统和方法”。提供用于基于读取电平电压的改进的数据重定位的装置、介质、方法和系统。数据存储系统可以包括:非易失性存储器设备,非易失性存储器设备包括源区和目标区,目标区包括第一目标块和与第一目标块不同的第二目标块;和控制器。控制器可以使用第一读取电平电压读取源区中的第一数据,使用不同于第一读取电平电压的第二读取电平电压读取所述源区中的第二数据。控制器可以基于第一读取电平电压和第二读取电平电压而将第一数据和第二数据中的每一者与第一目标块和第二目标块中的相应一者相关联。控制器可以使第一数据和第二数据中的每一者存储在第一目标块和第二目标块中的相关联的一者中。
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公开(公告)号:CN111475427B
公开(公告)日:2023-06-30
申请号:CN201911256033.1
申请日:2019-12-10
申请人: 西部数据技术公司
IPC分类号: G06F12/02 , G06F12/1009
摘要: 本发明题为“使用低延迟非易失性存储器进行逻辑至物理映射管理”。本发明公开了用于使用低延迟NVM来提供逻辑至物理(L2P)表管理以减少固态驱动器(SSD)随机存取存储器(RAM)占有面积的系统和方法。一种方法,该方法包括针对指向逻辑地址的操作,确定逻辑地址至闪存存储器中的物理地址的逻辑至物理(L2P)映射。该方法还包括将包括L2P映射的数据条目添加到RAM中的开放日志结构。该方法还包括将包括L2P映射的日志条目添加到RAM中的缓冲区。该方法还包括响应于确定缓冲区已满足大小阈值而将缓冲区刷新到低延迟NVM存储器。还描述了读取、快照和L2P表恢复。
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公开(公告)号:CN111045594B
公开(公告)日:2023-06-20
申请号:CN201910826183.5
申请日:2019-09-03
申请人: 西部数据技术公司
IPC分类号: G06F3/06
摘要: 本发明公开了一种用于执行存储器装置的操作的方法,该方法包括:在计算机系统的层处接收命令;确定所接收的命令是否为第一命令类型或第二命令类型中的一者;确定能够在存储器装置中接收并且能够操作存储器装置的命令的类型;比较能够操作存储器装置的命令的类型和在层处接收的命令的类型;以及当在层处接收的命令的类型不同于能够在存储器装置中接收并且能够操作存储器装置的命令的类型时,将在层处接收的命令转换为能够操作存储器装置的命令类型。
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公开(公告)号:CN116207052A
公开(公告)日:2023-06-02
申请号:CN202210536847.6
申请日:2022-05-17
申请人: 西部数据技术公司
IPC分类号: H01L23/24 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/552 , H10B80/00
摘要: 一种半导体装置包含:衬底、所述衬底上的半导体裸片、模制化合物和悬浮于所述模制化合物内的增强层。所述增强层可例如为在压缩模制进程期间在所述半导体裸片之上在所述模制化合物中形成的铜箔。所述增强层可具有为所述半导体装置提供额外强度的结构刚度。所述增强层还可由热导体形成以从所述半导体装置内的控制器裸片吸走热量。
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