公开(公告)号：CN115699263A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180041382.0

申请日：2021-06-09

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 安井浩登 ,  栗原宏嘉 ,  木下仁

IPC: H01L21/304 ,  C09J11/06 ,  C09J133/00 ,  B23K26/53 ,  H01L21/301 ,  C09J7/38

Abstract: 本发明提供一种电子装置的制造方法，其至少包括：工序(A)，准备结构体(100)，所述结构体(100)包含具有电路形成面(30A)的电子部件(30)和粘贴在电子部件(30)的电路形成面(30A)侧的粘着性膜(50)；工序(B)，对电子部件(30)的与电路形成面(30A)侧为相反侧的面进行背面研磨；以及工序(C)，对粘着性膜(50)照射紫外线后将粘着性膜(50)从电子部件(30)去除，粘着性膜(50)具备基材层(10)和设置在基材层(10)的一面侧的紫外线固化型粘着性树脂层(20)，在工序(C)中，照射紫外线后的粘着性树脂层(20)的断裂伸长率为20％以上200％以下。

公开(公告)号：CN112004899B

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN201980026791.6

申请日：2019-04-18

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 安井浩登 ,  栗原宏嘉

IPC: C09J7/29 ,  B32B27/00 ,  B32B27/32 ,  C09J201/00 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的粘着性膜(100)为用于加工电子部件的粘着性膜，其依次具备基材层(10)、凹凸吸收性树脂层(20)以及粘着性树脂层(30)，凹凸吸收性树脂层(20)包含热塑性树脂，通过差示扫描量热计(DSC)测定得到的、凹凸吸收性树脂层(20)的熔点(Tm)处于10℃以上50℃以下的范围内，上述电子部件具有电路形成面，所述粘着性膜(100)用于对上述电子部件的与该电路形成面相反侧的面进行磨削以使上述电子部件的厚度成为250μm以下。

公开(公告)号：CN110461590B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN201880021193.5

申请日：2018-03-28

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 甲田千佳子 ,  柴田辰也 ,  福田和幸 ,  内田隆 ,  小田川健二 ,  田原修二 ,  铃木信悟 ,  的场太辅 ,  新川祥光 ,  守屋英一 ,  野本晃

IPC: B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B7/02 ,  B32B7/027 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/40 ,  B32B33/00 ,  B65D65/40

Abstract: 本发明的阻隔性层叠膜(100)依次具备基材层(101)、应力缓和层(102)、无机物层(103)、和阻隔性树脂层(104)。而且，阻隔性树脂层(104)包含多元羧酸与多胺的酰胺交联物，应力缓和层(102)包含在主链上具有芳香族环结构的聚氨酯系树脂。

公开(公告)号：CN113226762A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980085412.0

申请日：2019-12-23

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 小田川健二 ,  铃木信悟 ,  守屋英一

IPC: B32B27/34 ,  C08G69/26

Abstract: 气体阻隔性聚合物是将包含多元羧酸及多胺化合物的混合物加热固化而形成的，红外吸收光谱中，将连接1493cm‑1处的测定点与1780cm‑1处的测定点的直线设定为基线，将1660cm‑1处的吸收强度记为I(1660)，将1625cm‑1处的吸收强度记为I(1625)时，下述式(1)表示的R大于1。R＝I(1660)/I(1625)‑{‑0.65×(全部胺/COOH)+0.4225}(1)。

公开(公告)号：CN107851602B

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201680036275.8

申请日：2016-06-14

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 林下英司

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/301 ,  C09J7/25 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明提供能够共通地进行伴随温度变化的评价工序、单片化工序、拾取工序的半导体部件制造用膜、半导体部件的制造方法、半导体部件以及评价方法。即，半导体部件制造用膜1具备基层11和设于其一面侧的粘着材层12，基层11的160℃时的弹性模量E’(160)与‑40℃时的弹性模量E’(‑40)之比RE(＝E’(160)/E’(‑40))为RE≥0.01，并且E’(‑40)为10MPa以上且小于1000MPa。本方法具备：将粘着材层12粘贴在形成有电路的半导体晶片的背面的工序、将半导体晶片进行单片化而得到半导体部件的工序、以及将半导体部件从粘着材层12分离的拾取工序，在拾取工序前，具备对半导体晶片或半导体部件进行评价的工序。

公开(公告)号：CN112789337A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201980065283.9

申请日：2019-09-20

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 三浦彻 ,  五十岚康二 ,  栗原宏嘉

IPC: C09J7/38 ,  B32B27/00 ,  C09J7/25 ,  C09J11/00 ,  C09J133/00 ,  C09J201/00 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明的粘着性膜(50)为具备基材层(10)、设置于基材层(10)的第1面(10A)侧的粘着性树脂层(A)以及设置于基材层(10)的第2面(10B)侧且通过外部刺激而粘着力降低的粘着性树脂层(B)的粘着性膜，按照JIS C2151在150℃加热30分钟的条件下测定得到的、粘着性膜(50)的热收缩变为最大的方向上的收缩率为0.0％以上0.40％以下。

公开(公告)号：CN111971358A

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN201980022942.0

申请日：2019-03-19

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 五十岚康二 ,  木下仁 ,  栗原宏嘉 ,  三浦彻

IPC: C09J7/38 ,  C09J11/00 ,  C09J133/00 ,  C09J201/00 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明的粘着性膜(50)具备：基材层(10)、设置于基材层(10)的第1面(10A)侧的粘着性树脂层(A)、以及设置于基材层(10)的第2面(10B)侧且通过外部刺激而粘着力降低的粘着性树脂层(B)，将粘着性树脂层(B)侧粘贴于不锈钢板，接着，在粘着性树脂层(A)侧载置载玻片并使其密合后，在130℃进行30分钟的加热处理，接着，在真空烘箱内，在125℃，以排气速度120L/分钟的速度将上述真空烘箱内进行减压时，在上述真空烘箱内的压力达到100Pa之前观察不到粘着性膜(50)从上述不锈钢板的浮起。

公开(公告)号：CN111373549A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201880074758.6

申请日：2018-11-20

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 栗原理绘 ,  大枝靖雄 ,  德弘淳

IPC: H01L31/048 ,  C08K5/14 ,  C08K5/54 ,  C08L23/08 ,  C08L23/16

Abstract: 本发明的太阳能电池密封材是用于密封太阳能电池元件的太阳能电池密封材，其包含乙烯-α-烯烃共聚物、1小时半衰期温度为100℃以上130℃以下的范围的有机过氧化物(A)以及1小时半衰期温度超过130℃且160℃以下的范围的有机过氧化物(B)，上述太阳能电池密封材中的上述有机过氧化物(B)的含量X2相对于上述有机过氧化物(A)的含量X1之比(X2/X1)为0.05以上1.10以下。

公开(公告)号：CN110235236A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201880008938.4

申请日：2018-01-26

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 林下英司 ,  高桥宏和 ,  福良和秀

IPC: H01L21/683 ,  B32B15/08 ,  B32B27/00 ,  B32B27/36 ,  C09J7/20 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明的目的在于提供具有能在不同工序间通用的通用性并且在加热环境下能可靠地吸附于卡盘台的部件制造用膜、部件制造用具以及部件制造方法，本发明的膜(1)具有第1区域S1和包围区域S1而配置的第2区域S2，区域S1由基层11和设置在其一面侧的粘着材层12形成，区域S2由基层11和粘着材层12、以及贴附在层12上的附加层13形成，在温度190℃以下的范围，附加层13的拉伸弹性模量大于或等于基层11的拉伸弹性模量。本发明的方法具备部件固定工序、以区域S1与区域S2的边界位于与卡盘台端缘相比靠内侧的方式进行载置的膜载置工序、吸附工序以及加热工序。

公开(公告)号：CN109075045A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780021670.3

申请日：2017-03-27

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 林下英司

IPC: H01L21/301 ,  B32B27/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法至少具备以下4个工序。(A)工序，准备结构体(100)，所述结构体(100)具备：依次具有耐热性树脂层(10)、柔软性树脂层(20)和粘着性树脂层(30)的粘着性叠层膜(50)，以及粘贴于粘着性树脂层(30)上的1或2个以上的半导体芯片(70)；(B)工序，在粘贴于粘着性树脂层(30)上的状态下，确认半导体芯片(70)的动作；(C)工序，在工序(B)之后，从粘着性叠层膜(50)剥离耐热性树脂层(10)；(D)工序，在工序(C)之后，从粘着性树脂层(30)拾取半导体芯片(70)。