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公开(公告)号：CN117518735A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311594507.X
申请日：2023-11-27
申请人： 华芯程(杭州)科技有限公司
发明人： 邵相军
摘要： 本发明公开了一种光刻胶模型的建立方法、装置、设备及存储介质，应用于光刻技术领域，包括：获取光刻仿真过程中所使用的历史数据；历史数据包括光刻胶模拟项历史参数，和对应的评价函数值；基于历史数据创建初始族群，并基于初始族群以及遗传算法模型，迭代得到满足终止条件的目标族群；从目标族群中选取评价函数值符合预设要求的成员，建立最终的光刻胶模型。通过利用历史数据，可以快速的建立遗传算法所对应的初始种群；在建模过程中，充分利用搜索历史构建搜索平面，合理预测下一代搜索点集，减少迭代次数，从而可以在有限时间内得到较好的光刻胶模型。
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公开(公告)号：CN117148664B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311393249.9
申请日：2023-10-25
申请人： 华芯程(杭州)科技有限公司
摘要： 本发明涉及蚀刻模拟领域，特别是涉及一种层叠桥接模拟方法、装置、设备及介质，通过获取待模拟层叠结构中各层对应的掩膜图案；将所述掩膜图案输入预训练的光学临近修正模型中，得到对应的仿真光刻轮廓；将所述仿真光刻轮廓输入预训练的蚀刻模型中，得到对应的顶部仿真数据及对应的底部仿真数据；根据各层的所述顶部仿真数据及所述底部仿真数据，及所述待模拟层叠结构中各层的位置关系，确定层叠桥接模拟结果。本发明中，提供了一种能一并给出顶部仿真数据及底部仿真数据的蚀刻模型，再根据不同层的顶部仿真数据及底部仿真数据推测层叠桥接的结果，大大提升了对层叠桥接结构的模拟准确度。
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公开(公告)号：CN116974154A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310963034.X
申请日：2023-08-01
申请人： 华芯程(杭州)科技有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明涉及光刻仿真领域，特别是涉及一种快速光刻仿真方法、装置、设备、计算机可读存储介质及存算一体设备，通过获取光刻掩膜图案；将所述光刻掩膜图案拆解为多边形单元数据；将所述多边形单元数据输入预设的存算一体化设备，通过所述存算一体化设备包括的多个存算单元，得到对应的单元图像数据；所述存算单元包括根据预获取的光刻机台参数，通过仿真模型得到的运算模式；根据所述单元图像数据，确定光刻图像数据。本发明将等待调用的计算过程文件，也即所述运算模式存储于所述存算单元中，所述存算单元可根据预设的运算模式的存储格式开展运算，最终存储的数据即为所述单元图像数据，极大的提升了计算效率。
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公开(公告)号：CN116702524B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310997697.3
申请日：2023-08-09
申请人： 华芯程(杭州)科技有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明涉及光刻模拟领域，特别是涉及一种利用扩散边界层的刻蚀仿真方法、装置、设备及计算机可读存储介质，通过接收仿真掩模板形状数据；确定包括所述仿真掩模板形状数据的矩形计算域；在所述仿真掩模板形状数据的边缘位置确定预设厚度的界面区域；根据去除所述界面区域的所述仿真掩模板形状数据确定定义域；对所述矩形计算域中的点引入场变量；通过正交网格的扩散方程计算求解，得到光刻模拟形状数据。本发明在扩散方程中整理出包含边界条件的项，也即相当于将边界条件整合进算式中，避免了在扩散方程的基础上面对不规则的掩模板边缘手动添加各种边界条件，省去了单独处理边界条件的步骤，缩短了对光刻过程的计算机仿真时间，提升了仿真效率。
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公开(公告)号：CN116702524A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310997697.3
申请日：2023-08-09
申请人： 华芯程(杭州)科技有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明涉及光刻模拟领域，特别是涉及一种利用扩散边界层的刻蚀仿真方法、装置、设备及计算机可读存储介质，通过接收仿真掩模板形状数据；确定包括所述仿真掩模板形状数据的矩形计算域；在所述仿真掩模板形状数据的边缘位置确定预设厚度的界面区域；根据去除所述界面区域的所述仿真掩模板形状数据确定定义域；对所述矩形计算域中的点引入场变量；通过正交网格的扩散方程计算求解，得到光刻模拟形状数据。本发明在扩散方程中整理出包含边界条件的项，也即相当于将边界条件整合进算式中，避免了在扩散方程的基础上面对不规则的掩模板边缘手动添加各种边界条件，省去了单独处理边界条件的步骤，缩短了对光刻过程的计算机仿真时间，提升了仿真效率。
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公开(公告)号：CN116306452B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310554105.0
申请日：2023-05-17
申请人： 华芯程(杭州)科技有限公司
发明人： 郭良帅
IPC分类号： G06F30/39 , G06N3/094 , G06N3/0464
摘要： 本发明公开了一种光刻胶参数获取方法及装置、电子设备。本发明通过采集不同芯片设计版图的第一数量的光刻图形关键尺寸与光刻胶参数，建立反映两者之间关联映射关系的、具有较好泛化能力的对抗神经网络模型；然后利用当前芯片设计版图上测量得到的光刻图形关键尺寸以及快速预测得到的光刻胶参数，对该对抗神经网络模型重新训练实现其网络权值的微调，得到适配当前芯片设计版图的光刻胶参数表征模型；最后利用该光刻胶参数表征模型预测得到的光刻胶参数作为初值进行内外层结合优化，实现光刻胶参数的快速准确获取。本发明对于复杂工艺依然可以做到较高的仿真效率，计算效率高，节省了计算开销和性能开销。
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公开(公告)号：CN115457350B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211389169.1
申请日：2022-11-08
申请人： 华芯程(杭州)科技有限公司
发明人： 请求不公布姓名
IPC分类号： G06V10/774 , G06V10/82 , G06V10/44 , G06N3/0464 , G03F1/36
摘要： 本发明涉及光学邻近修正领域，特别是涉及一种光学邻近修正的蚀刻模型训练方法及光学邻近修正方法，通过确定测试掩膜板训练集，并获取所述测试掩膜板训练集包括的图形数据及刻蚀晶片轮廓数据；根据所述图形数据确定对应的模拟光学图像数据；根据所述图形数据、所述刻蚀晶片轮廓数据及所述模拟光学图像数据，通过原始卷积神经网络模型及图像阈值，得到光学邻近修正的蚀刻模型。本发明提供的蚀刻模型，不需要采集所述训练集测试模板光刻后光刻胶的关键尺寸或者轮廓的数据，因此大大节省了模型训练成本，缩短了模型训练时间，同时，基于卷积神经网络训练的蚀刻模型具有很高的准确度，输出的掩膜板图案经过刻蚀得到的图案与目标图案的相近度高。
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公开(公告)号：CN115509082B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211395502.X
申请日：2022-11-09
申请人： 华芯程(杭州)科技有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明涉及光学邻近校正领域，特别是公开了一种光学邻近校正模型的训练方法、装置及光学邻近校正方法，通过确定目标版图，并获取所述目标版图中的扫描单元对应的图案特征信息及透光信号；将所述图案特征信息与所述透光信号输入脉冲神经网络与深度强化学习的复合模型，得到光线‑图案模型；所述光线‑图案模型的输入为所述透光信号，输出为所述透光信号对应的图案特征信息；获取掩膜板训练集；对所述掩膜板训练集进行光刻，得到掩膜板透光信号；利用所述掩膜板透光信号，通过所述光线‑图案模型，获得光学邻近校正模型。本发明大大缩短了模型训练素材的准备时间，提高了模型的训练效率，同时降低了模型训练硬件成本，提高了模型的校正准确度。
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公开(公告)号：CN115661228A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211576048.8
申请日：2022-12-09
申请人： 华芯程(杭州)科技有限公司
发明人： 请求不公布姓名
摘要： 本发明公开了一种光学临近修正方法及装置、电子设备。本发明提供的光学临近修正方法通过在生成光学临近修正目标图案时使用基于图案线宽和密度的化学机械研磨偏差规则表，充分考虑并补偿了蚀刻后到化学机械研磨后关键尺寸的偏差；进一步通过在掩膜板图案生成后的热点检测和验证步骤中，增加了化学机械研磨模型、并通过计算出蚀刻后到化学机械研磨后关键尺寸的偏差，从而基于蚀刻后仿真图案轮廓得到化学机械研磨后仿真图案轮廓，并基于所得到的化学机械研磨后仿真图案轮廓进行相关的热点预测和验证，检测化学机械研磨工艺相关的热点和缺陷，提高产品的良率。
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公开(公告)号：CN118966137A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411368173.9
申请日：2024-09-29
申请人： 华芯程(杭州)科技有限公司
发明人： 请求不公布姓名
IPC分类号： G06F30/392 , G06N5/025 , G06F111/20
摘要： 本发明涉及芯片设计领域，特别是涉及一种芯片的掩模拆分方法、装置、设备及介质，通过接收待处理版图；确定所述待处理版图中与相邻图案的间距小于预设的最小相邻尺寸的待拆图案；根据所述待拆图案，确定无向连通图；所述无向连通图包括节点及连接边；在所述无向连通图中确定根节点，在预设的分类值总集中选定所述根节点的设定分类值；从所述根节点开始遍历所述无向连通图，确定每一个节点的设定分类值与冲突分类集；根据所述节点的设定分类值对所述待处理版图进行掩模拆分得到多个子掩模版图。本发明方便了不同节点的归类，减少了节点对应的设定分类值的计算中的递归次数，显著提升计算效率，进而提升掩模拆分效率，加快集成电路的设计开发速度。
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