公开(公告)号：CN115863279A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211730406.6

申请日：2022-12-30

Applicant: 重庆大学

Inventor： 蒋华平 ,  魏镜枫 ,  冉立 ,  廖瑞金

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明涉及一种基于芯片顶部金属块设计的高过载能力功率模块，它包括从下到上依次设置的基板、第二焊料层、陶瓷覆铜板下铜层、陶瓷覆铜板陶瓷层、陶瓷覆铜板上铜层、第一焊料层和芯片；在芯片的上方通过第三焊料层焊接有提升热容以增强功率模块过载能力的金属块，同时金属块通过第一焊料层焊接于陶瓷覆铜板上铜层上，在芯片的两侧设置有用于填充绝缘材料的空隙，在金属块内填充有高比热容的金属材料，通过金属材料快速吸收芯片短时过载时所产生的热量，增强功率模块的过载能力。本发明提高了功率模块的过载能力，实现方法简单仅需真空焊接即可，由于所增加的结构在接近芯片的上方因此其温度响应速度较快且没有给功率模块增加额外的热阻。

公开(公告)号：CN112731095B

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202011503267.4

申请日：2020-12-18

Applicant: 重庆大学

Inventor： 刘立 ,  冉立 ,  蒋华平 ,  王小勇

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种基于光纤光栅传感器的IGBT结温监测系统，包括光纤光栅传感器和光纤光栅解调仪，光纤光栅传感器有两个，每个光纤光栅传感器包括光纤和毛细玻璃管，光纤上刻写有一段光纤光栅，毛细玻璃管同轴套装在光纤光栅外，且两端通过胶体与光纤粘接为一体，光纤光栅位于毛细玻璃管的中心，其中一个光纤光栅传感器粘贴在IGBT功率模块的IGBT芯片表面，另一个光纤光栅传感器粘贴在IGBT功率模块的二极管表面，两个光纤光栅传感器与光纤光栅解调仪连接；光纤光栅解调仪中的信号处理模块被编程以执行结温监测步骤。其能解决IGBT结温监测结果不准确以及监测系统无冗余问题。

公开(公告)号：CN110379787A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201910659270.6

申请日：2019-07-22

Applicant: 重庆大学

Inventor： 蒋华平 ,  冉立

IPC: H01L23/427 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明提出了一种功率半导体模块结构，所述功率半导体模块结构包括绝缘基板、半导体芯片、金属件和相变材料；相变材料和半导体芯片能通过金属件进行热交换，由于相变材料的吸热和放热作用，电路启停周期中，半导体芯片的温升和降温速率都会得到减缓；本发明的有益技术效果是：提出了一种功率半导体模块结构，该方案可有效降低电路启停周期中、半导体芯片的温差。