公开(公告)号：CN107580174A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201710586764.7

申请日：2017-07-18

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张璐 ,  袁胜春 ,  苗少峰 ,  程思 ,  刘小敏

IPC: H04N5/232 ,  H04N5/225

Abstract: 本发明涉及一种多功能采集卡10，包括：外设接口101，用于连接图像采集设备以获取源图像；第一转换模块102，电连接外设接口101，用于将源图像由第一数字信号转换为第二数字信号；第一处理模块103，电连接第一转换模块102，用于处理第二数字信号并生成数据块，还用于发送控制指令以控制图像采集设备进行图像采集；第二转换模块104，串接于外设接口101与第一处理模块103之间，用于将控制指令由第三数字信号转换为第四数字信号并发送至外设接口101；第二处理模块105，电连接第一处理模块103，用于解析数据块并形成图像帧以供后续传输或者显示。本实施例提供的多功能采集卡，采用FPGA芯片将源图像进行编码形成数据块，再经ARM芯片解析后复原为源图像，可以适应不同分辨率的相机以进行图像采集。

公开(公告)号：CN102629633A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201210131229.X

申请日：2012-04-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 冯倩 ,  张璐 ,  邢韬 ,  李倩 ,  郝跃

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种GaN纳米柱反转结构混合太阳能电池的制作方法，主要解决现有太阳能电池效率低，成本高的问题。它包括：玻璃保护层(1)、氧化铟锡ITO导电层(2)、GaN缓冲层(3)、n-GaN纳米柱(4)、聚3己基噻吩P3HT(5)和聚二氧乙基噻吩聚对苯乙烯磺酸PEDOT:PSS(6)。其中，氧化铟锡ITO导电层(2)设置在玻璃保护层(1)上，两者构成氧化铟锡ITO透明导电玻璃；GaN缓冲层(3)外延在氧化铟锡ITO导电层(2)上；n-GaN纳米柱(4)外延在GaN缓冲层(3)上，其高度为600nm-700nm、间距为400nm-500nm；P3HT(5)设置在n-GaN纳米柱(4)上；PEDOT:PSS(6)设置在P3HT(5)上。本发明结构简单、成本低、光电转换效率高，可用于商用和民用发电系统。

公开(公告)号：CN217114809U

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202220598231.7

申请日：2022-03-18

Applicant: 西安电子科技大学 ,  西安朗普达通信科技有限公司

Inventor： 朱玉召 ,  赵鲁豫 ,  凡泽兴 ,  张璐

IPC: H01Q5/50 ,  H01Q1/52 ,  H01Q1/38 ,  H01Q5/25 ,  H01Q21/24 ,  H01Q1/24

Abstract: 本实用新型公开了一种超宽双极化Vivaldi天线，其特征在于，包括：天线第一单元和天线第二单元；所述天线第一单元和所述天线第二单元开槽垂直交叉放置，所述天线第一单元辐射片之间和所述天线第二单元辐射片之间分别加载若干小型化加载电阻。本实用新型通过在第一天线第一单元辐射片之间和所述天线第二单元辐射片之间分别加载若干小型化加载电阻，小型化加载电阻可以吸收多余的反射电流，可以有效的将截止频率向更低频拓展，改善低频的匹配情况，从而实现天线的小型化。