公开(公告)号：CN107369763A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201710412534.9

申请日：2017-06-05

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 贾仁需 ,  董林鹏 ,  栾苏珍 ,  庞体强 ,  张玉明 ,  汪钰成 ,  刘银涛

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明涉及一种基于Ga2O3/钙钛矿异质结的光电探测器的制备方法，包括：选取半绝缘半透明衬底；在所述衬底表面淀积形成底电极；在所述底电极表面淀积Ga2O3层；在所述Ga2O3层表面旋涂钙钛矿层；在所述钙钛矿层表面淀积形成顶电极，以完成所述光电探测器的制备。本发明提供的基于Ga2O3/钙钛矿异质结的光电探测器，可以探测从深紫外到近红外的宽范围光谱；具有较高的响应度和探测率，同时具有低的暗电流密度和高的外量子效率；该探测器结构简单、效率高、响应快、工作稳定、使用寿命长，生产成本低，无需昂贵的仪器设备等优点。

公开(公告)号：CN106784320A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611124458.3

申请日：2016-12-08

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 贾仁需 ,  刘银涛 ,  汪钰成 ,  庞体强 ,  张玉明

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/00 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L51/428 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0096

Abstract: 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的衬底反光增强N型异质结HEMT及其制备方法。该方法包括：选取蓝宝石衬底；在衬底下表面形成反光层；在衬底上表面制作源漏电极；在衬底上表面形成电子传输层；在电子传输层表面形成包括CH3NH3PbI3材料的光吸收层；在光吸收层表面制作栅电极以最终形成N型异质结HEMT。本发明采用由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的电子，在衬底下表面镀银形成反射增强型HEMT，具有迁移率高，开关速度快，光吸收以及光利用率增强，光生载流子增多，光电转换效率大的优点。另外，采用在光吸收层加入了PCBM材料形成了异质结，能通过对孔洞和空位的填充改善光吸收层薄膜的质量，从而产生更大的晶粒和更少的晶界，吸收更多的光产生光生载流子，增强器件性能。