一种多级强电磁脉冲防护电源滤波器

    公开(公告)号:CN110429604B

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN201910810608.3

    申请日:2019-08-29

    Abstract: 本发明涉及一种多级强电磁脉冲防护电源滤波器,滤波内部由隔板分成四部分,包括八个模块,第一级限幅模块、缓冲网络、第二级限幅模块、低频滤波模块、第三级限幅模块、中频滤波模块、第四级限幅模块和高频滤波模块,采用压敏电阻、瞬态电压抑制管、电感、电容等器件来构建多级滤波电路网络。相邻部分之间的模块通过穿心电容与隔板上的通孔配合形成级联,实现了各部分良好的接地和电磁屏蔽。本发明充分利用了滤波器内部的结构空间,实现了有针对性的逐级滤波,思路清晰,结构完整。同时电容组件利用了穿心电容和高频陶瓷电容,在减小滤波器体积的同时获得优异的高频特性,实现了滤波器的模块化、小型化和性能最优化。

    一种前端数字化的MEMS微镜高压静电传感器

    公开(公告)号:CN108732416B

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN201810565555.9

    申请日:2018-06-04

    Abstract: 本发明公开了一种前端数字化的MEMS微镜高压静电传感器,金属悬臂的一端固定于固定框架的内,金属悬臂的另一端悬空,封盖、固定框架、基座及PCB电路板自上到下依次固定,基座上设置有导电柱,待测高压导体通过PCB电路板与导电柱电连接,金属悬臂的上表面设置有反光阵列,反光阵列位于导电柱的正上方,封盖上设置有光纤探头,光纤探头位于所述反光阵列的正上方,光纤探头通过光纤与光发射/接收器相连接;反光阵列由若干第一反光条及若干第二反光条组成,其中,第一反光条的发射率大于第二发光条的反射率,且各第一反光条与各第二反光条依次交错分布,该传感器能够直接对高压导体上的静电电压进行检测,并且输出信号为数字信号。

    灭弧室触头结构及确定合成试验回路暂态电压波形的方法

    公开(公告)号:CN109326485B

    公开(公告)日:2020-03-17

    申请号:CN201811070284.6

    申请日:2018-09-13

    Inventor: 翟小社 姚晓飞

    Abstract: 本发明公开了一种灭弧室触头结构及确定合成试验回路暂态电压波形的方法,包括第一触头及第二触头,其中,第一触头的上表面上设置有凹槽,凹槽底部的中间位置处设置有锥形放电结构,第一触头的上表面与第二触头的下表面相贴合,所述锥形放电结构的顶部与第二触头的下表面之间有间隙,该触头结构及方法能够有效地降低真空灭弧室的截流水平,TRV的检测结果较为准确。

    一种调频调速的电动斥力机构

    公开(公告)号:CN107331585B

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201710437519.X

    申请日:2017-06-09

    Abstract: 本发明公开了一种调频调速的电动斥力机构,包括储能电容器、第一导通控制开关、第二导通控制开关、第三导通控制开关、第四导通控制开关、控制器、谐振电容、用于为储能电容器供电的高压充电电源以及用于在外界金属斥力盘中感应出涡流的分合闸线圈,该机构的机械输出特性调节较为方便,并且对储能电容器的要求较低。

    一种用于高压静电电压直接测量的MEMS微镜传感器

    公开(公告)号:CN108828291A

    公开(公告)日:2018-11-16

    申请号:CN201810564105.8

    申请日:2018-06-04

    Abstract: 本发明公开了一种用于高压静电电压直接测量的MEMS微镜传感器,包括MEMS微镜及PCB板,其中,MEMS微镜包括基座、微镜及封盖,其中,PCB板、基座、微镜及封盖自下到上依次分布,且PCB板上设置有金属引线,基座上设置有导电柱,微镜上设置有金属悬臂,光纤的一端与光发射/接收器相连接,光纤的另一端穿过封盖与光纤探头相连接,光纤探头正对所述金属悬臂,金属引线的一端与待测高压带电体相连接,金属引线的另一端与导电柱电连接,导电柱位于金属悬臂的正下方,该传感器能够实现对高压带电体的高压静电电压进行直接测量,并且具有结构简单、成本低及体积小的特点。

    一种基于磁开关延时同步的IGBT串联电路

    公开(公告)号:CN108736868A

    公开(公告)日:2018-11-02

    申请号:CN201810380925.1

    申请日:2018-04-25

    Abstract: 本发明公开了一种基于磁开关延时同步的IGBT串联电路,包括触发控制单元、磁开关、复位电源、电源及半导体开关,所述半导体开关由若干IGBT模块组成,其中,磁开关包括磁芯以及缠绕于磁芯上的复位绕组及磁开关绕组,其中,复位绕组的两端分别与复位电源的正负极相连接,磁开关绕组的一端与电源的正极相连接,磁开关绕组的另一端与第一个IGBT模块的集电极相连接,前一个IGBT模块的发射极与后一个IGBT模块的集电极相连接,最后一个IGBT模块的发射极与电源的负极相连接,各IGBT模块的门极分别与触发控制单元相连接,该电路能够降低各级IGBT模块的导通损耗。

    一种微感型IGBT串并联结构
    48.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108429437A

    公开(公告)日:2018-08-21

    申请号:CN201810236163.8

    申请日:2018-03-21

    Abstract: 本发明公开了一种微感型IGBT串并联结构,包括平行且自上到下依次交错分布的驱动板及开关主板;各开关主板的中部均开设有环形焊盘,各开关主板上辐射对称布置有若干第一接线孔组,各第一接线孔组均包括发射极焊孔、集电极焊孔以及栅极通孔,各驱动板上辐射对称布置有若干第二接线孔组及若干驱动元件,各第二接线孔组均包括发射极焊接孔及栅极焊接孔,该结构采用低电感设计,寄生参数较低,并且能够实现可靠触发。

    用于真空灭弧室老炼的级联型亚微秒级高压脉冲发生器

    公开(公告)号:CN107659200A

    公开(公告)日:2018-02-02

    申请号:CN201711130580.6

    申请日:2017-11-15

    CPC classification number: H03K3/53 H02M3/07

    Abstract: 本发明公开了一种用于真空灭弧室老炼的级联型亚微秒级高压脉冲发生器,脉冲变压器原边绕组的一端与续流二极管的正极及储能电容的一端相连接,储能电容的另一端与控制开关的一端及第一磁开关的一端相连接,第二磁开关的一端与续流二极管的负极、控制开关的另一端及脉冲变压器原边绕组的另一端相连接;前一个脉冲变压器组件中第一磁开关的另一端与下一个脉冲变压器组件中第一磁开关与储能电容之间的线路相连接;各脉冲变压器组件中脉冲变压器的副边绕组串联相连接,该脉冲变压器输出脉冲电压的幅值较高,并且成本较低。

    一种一体式低通滤波模块
    50.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107359866A

    公开(公告)日:2017-11-17

    申请号:CN201710562471.5

    申请日:2017-07-11

    CPC classification number: H03H1/00 H03H7/52 H03H2001/0057 H03H2001/0092

    Abstract: 本发明涉及一种一体式低通滤波模块,包括若干个滤波单元,每个滤波单元均包括电感组件以及设置在电感组件两端外侧的接头和套筒,套筒能够配合套接在接头上,电感组件的两端分别与接头和套筒相连;电感组件和套筒的外侧套接电容组件,接头凸出至电容组件的端部外侧;电感组件的外侧面通过设置非绝缘部位与电容组件的内侧面相连。本发明充分利用电容内部空间,实现了体积的最小化,结构简单,组装方便,克服了传统滤波器需要将分立元件焊接在电路板上,节省了空间,实现了滤波器的小型化。通过设置相配合的接头和套管,使得本发明能够通过级联的方式来增大阶数提高滤波性能,实现了滤波器的一体化和模块化。

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