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公开(公告)号：CN108732416A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810565555.9
申请日：2018-06-04
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种前端数字化的MEMS微镜高压静电传感器，金属悬臂的一端固定于固定框架的内，金属悬臂的另一端悬空，封盖、固定框架、基座及PCB电路板自上到下依次固定，基座上设置有导电柱，待测高压导体通过PCB电路板与导电柱电连接，金属悬臂的上表面设置有反光阵列，反光阵列位于导电柱的正上方，封盖上设置有光纤探头，光纤探头位于所述反光阵列的正上方，光纤探头通过光纤与光发射/接收器相连接；反光阵列由若干第一反光条及若干第二反光条组成，其中，第一反光条的发射率大于第二发光条的反射率，且各第一反光条与各第二反光条依次交错分布，该传感器能够直接对高压导体上的静电电压进行检测，并且输出信号为数字信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108732416B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201810565555.9
申请日：2018-06-04
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种前端数字化的MEMS微镜高压静电传感器，金属悬臂的一端固定于固定框架的内，金属悬臂的另一端悬空，封盖、固定框架、基座及PCB电路板自上到下依次固定，基座上设置有导电柱，待测高压导体通过PCB电路板与导电柱电连接，金属悬臂的上表面设置有反光阵列，反光阵列位于导电柱的正上方，封盖上设置有光纤探头，光纤探头位于所述反光阵列的正上方，光纤探头通过光纤与光发射/接收器相连接；反光阵列由若干第一反光条及若干第二反光条组成，其中，第一反光条的发射率大于第二发光条的反射率，且各第一反光条与各第二反光条依次交错分布，该传感器能够直接对高压导体上的静电电压进行检测，并且输出信号为数字信号。
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公开(公告)号：CN108828291A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810564105.8
申请日：2018-06-04
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种用于高压静电电压直接测量的MEMS微镜传感器，包括MEMS微镜及PCB板，其中，MEMS微镜包括基座、微镜及封盖，其中，PCB板、基座、微镜及封盖自下到上依次分布，且PCB板上设置有金属引线，基座上设置有导电柱，微镜上设置有金属悬臂，光纤的一端与光发射/接收器相连接，光纤的另一端穿过封盖与光纤探头相连接，光纤探头正对所述金属悬臂，金属引线的一端与待测高压带电体相连接，金属引线的另一端与导电柱电连接，导电柱位于金属悬臂的正下方，该传感器能够实现对高压带电体的高压静电电压进行直接测量，并且具有结构简单、成本低及体积小的特点。
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公开(公告)号：CN104237652B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410443797.2
申请日：2014-09-03
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R29/12
Abstract: 一种基于压敏原理的梁膜结构高压静电场传感器芯片，包括基底，在基底上设有硅结构层，在硅结构层上设有上极板；基底的上表面与硅结构层的下表面通过阳极键合连接，硅结构层的上表面与上极板的下表面通过阳极键合连接，采用压阻原理测量静电场力，从而得到静电场强度；采用梁膜结合的方式，使得测量灵敏度极大提高；芯片中心膜不带质量块，厚度小，并且采用四梁支撑承力膜，提高了结构刚度，传感器芯片频响高，连接简洁，电阻条和引线布置易于实现，结构稳定，制作工艺成熟，采用可靠的封装方法，可以使芯片适应多种不同环境；芯片批量化生产后单个成本很低，而且接口和安装极为简便，适合工业现场大规模应用。
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公开(公告)号：CN108828291B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201810564105.8
申请日：2018-06-04
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种用于高压静电电压直接测量的MEMS微镜传感器，包括MEMS微镜及PCB板，其中，MEMS微镜包括基座、微镜及封盖，其中，PCB板、基座、微镜及封盖自下到上依次分布，且PCB板上设置有金属引线，基座上设置有导电柱，微镜上设置有金属悬臂，光纤的一端与光发射/接收器相连接，光纤的另一端穿过封盖与光纤探头相连接，光纤探头正对所述金属悬臂，金属引线的一端与待测高压带电体相连接，金属引线的另一端与导电柱电连接，导电柱位于金属悬臂的正下方，该传感器能够实现对高压带电体的高压静电电压进行直接测量，并且具有结构简单、成本低及体积小的特点。
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公开(公告)号：CN104237652A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410443797.2
申请日：2014-09-03
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R29/12
Abstract: 一种基于压敏原理的梁膜结构高压静电场传感器芯片，包括基底，在基底上设有硅结构层，在硅结构层上设有上极板；基底的上表面与硅结构层的下表面通过阳极键合连接，硅结构层的上表面与上极板的下表面通过阳极键合连接，采用压阻原理测量静电场力，从而得到静电场强度；采用梁膜结合的方式，使得测量灵敏度极大提高；芯片中心膜不带质量块，厚度小，并且采用四梁支撑承力膜，提高了结构刚度，传感器芯片频响高，连接简洁，电阻条和引线布置易于实现，结构稳定，制作工艺成熟，采用可靠的封装方法，可以使芯片适应多种不同环境；芯片批量化生产后单个成本很低，而且接口和安装极为简便，适合工业现场大规模应用。
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