可交联耐高电压高储能聚偏氟乙烯塑料薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN103387682B

    公开(公告)日:2015-05-13

    申请号:CN201310132737.4

    申请日:2013-04-16

    Inventor: 张志成 谭少博

    Abstract: 可交联耐高电压高储能聚偏氟乙烯塑料薄膜的制备方法,包括以下步骤:步骤一、在三口瓶中,加入P(VDF-CTFE),同时加入溶剂和催化剂搅拌反应;步骤二、将步骤一中最后得到的溶液倒入盐酸烧杯中,聚合物析出;步骤三、将步骤二得到的聚合物用N,N-二甲基甲酰胺(DMF)溶解,加入自由基引发剂过氧化苯甲酰(BPO),待溶剂挥发完全后,将附有聚合物薄膜的玻璃片加入烘箱中固化,得到交联的聚合物薄膜;步骤四、将步骤三中得到的交联后的聚合物薄膜制成哑铃状试样,将这些试样在万能试验机上拉伸,这样就得到耐高电压的PVDF塑料薄膜,本发明解决氟聚合物低温拉膜困难的问题;同时,交联也有利于薄膜材料的微晶化,从而有助于击穿场强的提高。

    制备聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)或聚(偏氟乙烯-三氟氯乙烯-三氟乙烯)的方法

    公开(公告)号:CN102675520B

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201210086186.8

    申请日:2012-03-28

    Inventor: 张志成 朱智刚

    Abstract: 制备聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)或聚(偏氟乙烯-三氟氯乙烯-三氟乙烯)的方法,在三口瓶中加入聚(偏氟乙烯-三氟氯乙烯)并同时加入溶剂,待聚(偏氟乙烯-三氟氯乙烯)充分溶解后,加入还原剂,在室温下继续搅拌反应16-24小时;将得到的溶液倒入盛有pH=3的盐酸的烧杯中,搅拌1小时后,聚合物析出,将所得聚合物用甲醇反复洗涤至白色,在不高于60℃条件下真空干燥至恒重得到目标产物,本发明以聚(偏氟乙烯-三氟氯乙烯)为原料一步法合成聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)或聚(偏氟乙烯-三氟氯乙烯-三氟乙烯),具有方法操作简单易控,采用的反应体系具有成本低、对人体和环境友好的优点,且还原剂易从聚合物中清除干净。

    一种具有快速可高湿度检测性能的离子芳香框架材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN119081145A

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202411265108.3

    申请日:2024-09-10

    Abstract: 本发明提供了一种具有快速可靠湿度检测性能的离子芳香框架材料及其制备方法,依据Yamamoto‑type Ullmann偶联反应原理,利用芳基与氯磷酸基团的取代反应、磷酸基团与氢氧化物的中和反应,最终得到具有快速可靠湿度检测性能的离子芳香框架材料。本发明保障了吸附剂的永久开放的湿度传输通道和高比表面积,也保障了材料可以通过结构调整提高对水分子的吸附容量,有望在湿度传感中展现出显著的优势。

    一种新型的改性C-F键活化ETFE接枝聚合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN118005851A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202311731232.X

    申请日:2023-12-15

    Abstract: 本申请涉及氟聚合物化学改性技术领域,更具体地说,它涉及一种新型的通过活化C‑F键进而获得改性ETFE接枝聚合物的制备方法。具体操作为,将聚合物基体、(甲基)丙烯酸甲酯、溶剂、催化剂加入到反应瓶中,反应12h可制得目标产物。通过不同的反应时间以及改变所加单体含量,可以控制聚合物的接枝量,制得改性ETFE接枝聚合物;所述聚合物基体包括可溶解的PVDF基类和难溶的各类氟聚合物。采用悬浮自由基聚合方法,得到的接枝聚合物具有较高的分子量,且制备方法操作简单,可重复性强,为难溶的氟聚合物化学改性提供了有效的反应方法学。

    含刚性环状结构的聚芳醚酮基电介质薄膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115536880B

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202211135971.8

    申请日:2022-09-19

    Abstract: 本发明提供含刚性环状结构的聚芳醚酮基电介质薄膜及其制备方法和应用。该方法通过在聚芳醚酮合成过程中,在其分子主链上引入刚性环状结构获得新型聚芳醚酮基共聚物,进而将其制备为电介质薄膜的方法。刚性环状结构的引入,不仅提升共聚物薄膜的耐热性,还有效降低漏导电流,提高击穿场强及储能密度。采用溶液流延法可方便制备共聚物薄膜,经高温退火处理后,获得耐高温、高储能电介质薄膜。本发明中电介质薄膜的稳定使用温度不低于150℃,在高温下,其击穿强度达500‑750MV/m,储能密度达5.0‑10.0J/cm3,能量可释放效率不低于90%。同时,经过5000次电容充放电测试,可释放效率不低于90%,关键指标均优于现有耐高温商业化工程薄膜。

    一种高性能聚丙烯基电容器薄膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115007415B

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202210569015.4

    申请日:2022-05-24

    Abstract: 一种高性能聚丙烯基电容器薄膜及其制备方法和应用,属于电容器薄膜技术领域。基于化学气相沉积技术制备本发明电容器薄膜,包括(1)对二甲苯二聚体提纯,在惰性气体环境下升华为气体,与惰性气体充分混合后裂解,生成对二甲苯双自由基活性单体气体;(2)BOPP薄膜进行表面活化处理后置于硅片基体上,通入对二甲苯双自由基活性单体气体,在BOPP薄膜表面沉积形成高绝缘性能聚合物薄层,获得单面沉积电容器薄膜;(3)重复上述操作,在单面沉积电容器薄膜另一表面沉积,获得双面沉积电容器薄膜。本发明所制备的聚丙烯基电容器薄膜具备优异的电学性能,具有高直流击穿场强、高储能密度和低能量损耗,并在高温下具有良好的介电和耐击穿性能。

    一种g-C3N4/SnO2复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115856027A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202211556405.4

    申请日:2022-12-06

    Abstract: 本发明公开了一种g‑C3N4/SnO2复合材料及其制备方法和应用,涉及气体传感器制备的领域。采用剥离的层状g‑C3N4与SnO2纳米微粒形成异质结,作为丙酮气体传感的敏感材料,进而制备得到用于低浓度丙酮检测的气敏传感器,并对其微观结构和气敏性能进行了系统研究。结果表明,掺杂20%的g‑C3N4可显著降低SnO2晶粒的纳米尺度、减小团聚、提高材料比表面积,增加活性位点的数量,使g‑C3N4/SnO2对低浓度丙酮具有良好的响应性和稳定性,比表面积比纯SnO2的高2倍,同时可显著降低传感器的使用温度。本发明显示g‑C3N4/SnO2异质结材料是一种成本低、响应性优良的传感材料,在低浓度气敏传感如环境VOC监测、糖尿病筛查等领域有良好的应用前景,有利于便携式或可穿戴设备传感器的开发应用。

    光引发制备聚(偏氟乙烯-三氟乙烯-三氟氯乙烯)和聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)的方法

    公开(公告)号:CN109575160B

    公开(公告)日:2021-04-27

    申请号:CN201811455153.X

    申请日:2018-11-30

    Inventor: 张志成 熊杰

    Abstract: 光引发制备聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯‑三氟氯乙烯)和聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)的方法,采用N,N‑二甲基甲酰胺等为溶剂,以三(三甲基硅基)硅烷作为自由基还原剂,由聚(偏氟乙烯‑三氟氯乙烯)P(VDF‑CTFE)为原料一步法合成聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯‑三氟氯乙烯)P(VDF‑CTFE‑TrFE)或P(VDF‑TrFE);将聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)P(VDF‑CTFE)及硅烷同时溶于一定溶剂中,在一定光照条件下搅拌反应一定时间后,在水中析出聚合物,再用甲醇或者乙醇反复浸泡洗涤除去未反应的有机物及其副产物,然后真空干燥至恒重即可;本方法工艺简单,条件温和,无金属试剂参与反应,易得到高纯度的目标产物,有很好的工业应用前景。

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