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公开(公告)号：CN103367852B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201310234471.4
申请日：2013-06-09
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 紧凑型两路高功率容量的微波功率合成器，由两个通过H面连接的过模矩形波导、一个在E面耦合的圆波导以及设置在矩形波导腔内曲面形匹配结构构成。在频率范围4.2GHz～4.3GHz时，两个矩形波导端口之间高度隔离（隔离度大于30dB），并且矩形波导端口的反射系数小于-30dB。高隔离度、低反射以及高功率容量是通过优化中央曲面形匹配结构来实现的。当两个矩形波导同时注入微波时，圆波导会输出功率合成后的微波。通过采用矩形波导腔中央的曲面形匹配结构以及过模矩形波导，使合成器具有高的功率容量。该功率合成器结构紧凑，适合于各种高功率微波合成的应用场合。
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公开(公告)号：CN102044728B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201010106292.9
申请日：2010-02-04
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01P1/08
Abstract: 本发明涉及可提高介质窗高功率微波击穿阈值的方法及装置。在介质窗真空侧施加一个平行于介质窗表面且垂直于高功率微波的电场分量方向的外谐振磁场，谐振磁场满足以下条件：Ω＝(0.5～2)ω，且使得电子谐振加速获得的碰撞能量高于二次产额曲线的第二交叉点。装置包括两个矩形H面弯波导、与两个矩形H面弯波导连接的传输TE11模的圆柱盒形介质窗、一个螺线管线圈；螺线管线圈产生的轴向磁场方向与介质窗的表面平行，且与传输的TE11模垂直。具有提高介质面击穿阈值的优点。
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公开(公告)号：CN102633928A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210143864.X
申请日：2012-05-10
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: C08F212/08 , C08F212/36 , C08F2/46 , C08F2/54 , C08F2/02
Abstract: 本发明公开了一种制备交联型聚苯乙烯的方法，其制备方法属于聚合物自由基本体聚合交联领域，在γ射线或者高能电子束辐照条件下，可在室外或较低温度下安全平稳地实现交联反应；该方法以苯乙烯、二乙烯基苯为共聚单体，采用γ射线或者高能电子束对混合物进行辐照产生自由基发生聚合、交联反应，制备出质轻透明的交联聚苯乙烯块体材料；该方法的优点是不需要任何光、热引发剂，体系中不会存在残留的引发剂或催化剂，产品纯净，容易实现大体积、无缺陷块体材料的制备。
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公开(公告)号：CN113675621B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202110954542.2
申请日：2021-08-19
Applicant: 西北核技术研究所
Inventor： 谢佳玲 , 乔汉青 , 易超龙 , 方旭 , 石一平 , 樊亚军 , 夏文锋 , 朱郁丰 , 石磊 , 卢彦雷 , 张兴家 , 王翔宇 , 刘启晨 , 张冬晓 , 蒋灯 , 陈昌华
Abstract: 本发明公开了一种加载电流环的紧耦合阵列天线及天线单元。该阵列天线包括按照阵列排布的若干个天线单元，每相邻两个天线单元的E面之间形成紧耦合机制，确保两个相邻天线单元的电流幅度趋于恒定，相位趋于平滑渐变，相当于借用了邻近单元结构扩展了本单元的电长度，使阵列天线在低频段具有良好的匹配特性，实现以小尺寸辐射低频，同时每个天线单元的辐射主体部分与地板之间通过接地带和巴伦连接，从而构成电流环，电流环将未通过口面辐射出去的电流利用起来形成磁振子，与天线本身的电振子构成互补，不仅能消除谐振，而且能进一步增强辐射能力。
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公开(公告)号：CN113097032B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202110443718.8
申请日：2021-04-23
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微波激射器，具体涉及一种微波激射器用长寿命微柱阵列石墨和金属的复合阴极结构及其制备方法。本发明的目的是解决现有微柱石墨阴极结构存在凸起发射结构消耗严重，甚至完全失去凸起发射结构，从而失去稳定发射电子束流的作用，并且石墨材料自身的多孔结构经电子束轰击后易释气，导致系统的真空度下降、束波的耦合效率降低以及系统器件绝缘性下降的技术问题。该阴极结构包括微柱阵列石墨阴极，该微柱阵列石墨阴极包括刀口状环形石墨阴极基体，以及阵列式设置于刀口状环形石墨阴极基体刀口处表面的多个石墨微柱，其改进之处在于：所述刀口状环形石墨阴极基体的表面以及各个石墨微柱的顶端和侧壁都均匀粘附有金属涂层，所述金属涂层采用难熔金属。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113120915B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202110442214.4
申请日：2021-04-23
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷涂层制备方法，具体涉及一种纳米TiB2涂层的制备方法。本发明的目的是解决现有TiB2涂层制备方法存在采用化学气相沉积法时，BCl3对设备及管路的腐蚀性极强，导致成本高、难度大，而采用渗Ti和B的包埋法时，涂层结构致密度差，表面粗糙度大，涂层易残留杂质元素，降低了涂层高温性能的技术问题。通过化学沉积法在样件表面沉积TiC涂层；将沉积有TiC涂层的样件和BN粉料均加入石墨坩埚中，使BN粉料将沉积有TiC涂层的样件完全覆盖；在Ar气氛或Ar和O2的混合气氛或Ar、O2和H2的混合气氛下，以恒定升温速率升至600～2000℃，进行硼化反应；在Ar气氛下自然降温至室温，取出试样，清除其表面附着的BN粉料，获得沉积有纳米TiB2涂层的样件。
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公开(公告)号：CN115753325A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211588185.3
申请日：2022-12-09
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: G01N1/44
Abstract: 本发明涉及一种辐照腔，具体为一种全局均匀增强大型效应物内部场强及避免击穿的辐照腔。即克服常规增加辐照腔场强手段存在的实施可行性低、加剧辐照腔击穿的问题，又克服在辐照腔内使用绝缘介质块和绝缘介质套方案，存在的场强增强均匀性略差及不能完全避免辐照腔击穿的问题。本发明在传统辐照腔工作空间的两个平行金属板之间加上由绝缘介质构成的绝缘介质框，且在绝缘介质框内加上特定数量、形状及尺寸的绝缘介质块，并在大型效应物的下方加上特定形状及尺寸的绝缘介质底座，同时达到了“全局均匀增强辐照腔中大型效应物内场强”和“有效避免辐照腔击穿”的技术效果。
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公开(公告)号：CN112652430B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202011551276.0
申请日：2020-12-24
Abstract: 本发明属于真空高压绝缘技术领域，是一种表面具有微阵列结构的真空绝缘子及其制备方法。该绝缘子表面为阵列的微空腔结构，相邻空腔间为竖直的薄壁结构，薄壁与空腔组合形成六边形蜂窝状、方形蜂窝、三角形蜂窝及圆孔蜂窝结构。由于空腔壁较薄，使得整个幅面绝大部分面积被空腔占据。该绝缘子可采用激光微刻蚀的方法，通过在绝缘子表面刻蚀出相应形状的空腔结构，并在阵列空腔之间预留一定的薄壁结构，最终得到表面具有蜂窝状微阵列的绝缘子。该绝缘子真空沿面耐压强度较原始绝缘子提高了80％～100％，可应用于真空高压绝缘器件及其他环境下的高压绝缘器件。
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公开(公告)号：CN113675621A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110954542.2
申请日：2021-08-19
Applicant: 西北核技术研究所
Inventor： 谢佳玲 , 乔汉青 , 易超龙 , 方旭 , 石一平 , 樊亚军 , 夏文锋 , 朱郁丰 , 石磊 , 卢彦雷 , 张兴家 , 王翔宇 , 刘启晨 , 张冬晓 , 蒋灯 , 陈昌华
Abstract: 本发明公开了一种加载电流环的紧耦合阵列天线及天线单元。该阵列天线包括按照阵列排布的若干个天线单元，每相邻两个天线单元的E面之间形成紧耦合机制，确保两个相邻天线单元的电流幅度趋于恒定，相位趋于平滑渐变，相当于借用了邻近单元结构扩展了本单元的电长度，使阵列天线在低频段具有良好的匹配特性，实现以小尺寸辐射低频，同时每个天线单元的辐射主体部分与地板之间通过接地带连接，从而构成电流环，电流环将未通过口面辐射出去的电流利用起来形成磁振子，与天线本身的电振子构成互补，不仅能消除发射，而且能进一步增强辐射能力。
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公开(公告)号：CN111799140A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010680612.5
申请日：2020-07-15
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 为了提高相对论返波管的束波转换效率，本发明提高一种反馈增强的相对论返波管。包括返波管管体、环形阴极、谐振反射器、慢波结构、提取腔、输出波导和磁场线圈；还包括依次位于提取腔与输出波导之间的圆波导及波导腔；波导腔用于将部分输出微波反射至提取腔内；波导腔由两个梯形腔构成；波导腔的内半径分别为r1、r2、r3和R12；内半径r1和r2对TM03模截止；内半径r3和R12对TM01模导通，TM02模截止；圆波导的内半径R11对TM01模导通，对TM02模截止；圆波导的轴向长度L至少半个导波波长内可调，满足λg/2＜L，其中λg为TM01模的导波波长。通过改变圆波导的轴向长度可以有效调节微波反馈的相位，当反馈增强时可以增强提取腔内的工作场强，进一步实现更充分的电子束减速，提高器件束波转换效率。
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