一种透波天线罩用复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN112980025A

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN202110206100.X

    申请日:2021-02-24

    Abstract: 本发明公开了一种透波天线罩用复合材料及其制备方法,属于复合材料制备技术领域,包括以下步骤:以氰酸酯树脂为原料,以含有环氧官能团的化合物为改性剂,通过氰酸根与环氧官能团反应生成唑啉结构,制得中间体;以有机锡化合物为固化剂,与中间体混合,制得改性氰酸酯树脂;将改性氰酸酯树脂溶于有机溶剂中,并涂覆于基底层上,制备预浸料;将预浸料采用热压罐或真空辅助成型工艺进行固化成型,制得透波天线罩用复合材料;解决了现有固化氰酸酯树脂的温度较高,固化时间长,且成型制品较脆,力学性能不达标的问题。

    一种氮掺杂有序介孔碳/钴金属复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN112777582A

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN202110095095.X

    申请日:2021-01-25

    Inventor: 梁瑾 陈军 孔杰

    Abstract: 本发明属于吸波材料技术领域,具体公开一种氮掺杂有序介孔碳/钴金属复合材料的制备方法,包括以下步骤:S1、将N‑CMK‑3分散于水中,加入胺基化合物及钴盐,进行水热反应,得到的黑色产物洗涤、干燥,备用;S2、在惰性环境中,将干燥后的黑色产物煅烧后冷却,即得。本发明利用水热反应制备了氮掺杂有序介孔碳/钴纳米复合材料,通过结构设计及调控,在碳基骨架上形成钴纳米金属离子,得到小于趋肤深度的小尺寸磁基纳米颗粒,在拓展材料吸波带宽的同时,能最大限度提高材料的反射损耗,使其在Ku波段具有强吸收。

    用于增材制造技术制造陶瓷产品的光敏陶瓷前驱体制备方法

    公开(公告)号:CN108676166B

    公开(公告)日:2021-02-19

    申请号:CN201810724474.9

    申请日:2018-07-04

    Abstract: 本发明公开了一种用于增材制造技术制造陶瓷产品的光敏陶瓷前驱体制备方法,包括以下步骤:氯甲基甲基二氯硅烷与二氯甲基乙烯基硅烷水解反应得到线性聚硅氧烷,然后采用二甲基乙烯基氯硅烷对线性聚硅氧烷进行封端反应,封端后的聚硅氧烷与丙烯酸‑2‑羟乙酯、三乙胺反应得到光敏陶瓷前驱体。本发明制备出可紫外光固化的聚硅氧烷陶瓷前驱体,所得光敏陶瓷前驱体在适合引发剂的加入下,紫外光照射30s时可达到80%的双键转化率,40s时可达到90%双键转化率,具有很高效的光固化性能;将本发明的光敏陶瓷前驱体作为原料,采用立体光刻技术进行增材制造,可得到形貌规整的固化产品,该固化产品外观光洁,强度较高。

    一种透波复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108384234B

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201810272136.6

    申请日:2018-03-29

    Abstract: 本发明提供了一种透波复合材料,由包括以下重量份的组分制备得到:85份氰酸酯树脂;14~16份2‑((3‑(三氟甲基)苯氧基)甲基)环氧乙烷;0.8~1.2份二月桂酸二丁基锡;100~120份丙酮;120~130份改性聚对苯撑苯并二噁唑纤维;所述改性聚对苯撑苯并二噁唑纤维是通过溶菌酶和环氧基笼型聚倍半硅氧烷对聚对苯撑苯并二噁唑纤维进行改性制备得到。本发明以含氟化合物2‑((3‑(三氟甲基)苯氧基)甲基)环氧乙烷共聚改性氰酸酯树脂为树脂基体,以高强、高模和低介电的PBO纤维为增强体,采用溶菌酶和环氧基笼型聚倍半硅氧烷对PBO纤维进行改性,使透波复合材料具有优异的耐热性能、力学性能和介电性能。

    一种光固化3D打印的聚硅氮烷陶瓷制品及其制备方法

    公开(公告)号:CN110002883A

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201910357568.1

    申请日:2019-04-29

    Abstract: 本发明公开了一种光固化3D打印的聚硅氮烷陶瓷制品及其制备方法,包括以下步骤:S1、将(氯甲基)甲基二氯硅烷、甲基乙烯基二氯硅烷和六甲基二硅氮烷混合,在室温下搅拌反应1h,接着升温至60℃反应2h,继续升温至150℃反应1h,自然冷却至室温,然后加入二甲基乙烯基氯硅烷,在室温下搅拌反应12h,得到聚硅氮烷;S2、将四氢呋喃加入到S1中得到的聚硅氮烷中,接着加入丙烯酸-2-羟乙酯和三乙胺,在冰浴下反应3h,过滤,得到滤液,将滤液减压,即得到光敏性聚硅氮烷陶瓷前驱体,前驱体经光固化打印和热解,即得到陶瓷制品。本发明通过提供的前驱体与3D打印技术相结合,可打印出结构复杂精度高的陶瓷制品。

    一种分级多孔Si‑C‑N杂化材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN104190359B

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201410453928.5

    申请日:2014-09-03

    Abstract: 本发明公开了一种分级多孔Si‑C‑N杂化材料及其制备方法,属于新材料领域。所述方法包括以商业聚硅氮烷为前驱体,自制的交联的聚二乙烯基苯微球为造孔剂,制备杂化材料前驱体粉末。选用较低的烧结温度和合适的造孔剂含量,从而制备出具有较大比表面积的大孔‑微孔Si‑C‑N杂化材料。通过分级多孔Si‑C‑N杂化材料对不同有机染料的吸附行为的研究,表明其对水中不同有机染料的选择性吸附。本发明所述的杂化材料不仅具有较小的传质阻力,而且具有较大的比表面积,原料廉价易得,吸附效率高,回收容易,吸附后的材料可通过简单的热解来除去染料,不会造成二次污染。

    一种窄分子量分布聚硅氧烷的制备方法

    公开(公告)号:CN103980495B

    公开(公告)日:2017-02-01

    申请号:CN201410191086.0

    申请日:2014-04-29

    Abstract: 本发明涉及一种窄分子量分布聚硅氧烷的制备方法,其方法为通过改变1,3,5-三乙烯基-1,3,5-三甲基环三硅氧烷(VD3)和阴离子引发剂的投料比,调整反应时间及反应温度,控制单体的转化率,结合阴离子开环聚合的优势,开环聚合可制备得到分子量分布(Mw/Mn≤1.2)极窄的聚硅氧烷,分子量在3000~30000可调。上述制备方法具体为向20ml的安倍瓶加入VD3单体0.5~2.0ml溶济单体,然后加入新蒸四氢呋喃1.4ml,搅拌约20~30min,在冰水浴中恒定温度,加入正丁基锂溶液0.1~0.6ml达到预定反应时间后,用无水冰甲醇沉淀出聚合物。本发明技术中,由于阴离子开环聚合过程中,单体引发剂投料比可调、反应温度可调、反应时间可控,可以通过控制单体转化率,得到分子量分布极窄、分子量可调的聚硅氧烷。

    一种窄分子量分布聚硅氧烷的制备方法

    公开(公告)号:CN103980495A

    公开(公告)日:2014-08-13

    申请号:CN201410191086.0

    申请日:2014-04-29

    Abstract: 本发明涉及一种窄分子量分布聚硅氧烷的制备方法,其方法为通过改变1,3,5-三乙烯基-1,3,5-三甲基环三硅氧烷(VD3)和阴离子引发剂的投料比,调整反应时间及反应温度,控制单体的转化率,结合阴离子开环聚合的优势,开环聚合可制备得到分子量分布(Mw/Mn≤1.2)极窄的聚硅氧烷,分子量在3000~30000可调。上述制备方法具体为向20ml的安倍瓶加入VD3单体0.5~2.0ml溶济单体,然后加入新蒸四氢呋喃1.4ml,搅拌约20~30min,在冰水浴中恒定温度,加入正丁基锂溶液0.1~0.6ml达到预定反应时间后,用无水冰甲醇沉淀出聚合物。本发明技术中,由于阴离子开环聚合过程中,单体引发剂投料比可调、反应温度可调、反应时间可控,可以通过控制单体转化率,得到分子量分布极窄、分子量可调的聚硅氧烷。

    超支化聚硅氧烷基光刻胶

    公开(公告)号:CN101122742B

    公开(公告)日:2011-06-22

    申请号:CN200710018668.9

    申请日:2007-09-14

    Abstract: 本发明公开了一种超支化聚硅氧烷基光刻胶,为了克服现有光固化树脂粘度大、固化物无法转化为功能器件的不足,本发明提供了一种以超支化聚硅氧烷为基体树脂的光刻胶,成份为重量百分比为30~90的超支化聚硅氧烷、10~70的活性稀释剂和2~5的光引发剂。本发明含有甲基丙烯酰基团,具有低粘度、多官能度、高反应活性等特性,可快速光固化且固化物可转化为硅氧基陶瓷。

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