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公开(公告)号：CN101665983A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200810150770.9
申请日：2008-09-01
Applicant: 西北工业大学
IPC: C30B29/48
Abstract: 本发明是一种硒化锌单晶体生长方法及其生长容器。以锌和硒为原料，以碘作为气相反应促进剂，在安瓿中一步完成硒化锌单晶生长。依次包括安瓿综合清洗、装料并抽真空密封、密封安瓿生长区热清洗、晶体生长与冷却等步骤。所用安瓿的基本结构是原料区易于Zn和Se单质混和，生长区是由通过安瓿中轴的截面上的两段弧相切构成的锥状体构成。本发明采用的技术方案可以生长直径为12～20mm的硒化锌单晶体的，所生长的硒化锌单晶体结构完整、均匀性好、应力小，具有成本低、工艺简单的特点，还能应用于其它II-VI族化合物半导体单晶的制备。
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公开(公告)号：CN106342095B
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200510001451.8
申请日：2005-09-13
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种亚共晶铸造铝硅合金熔体处理方法，包括下述步骤：(1)亚共晶铝硅合金锭在电阻炉中加热熔化，升温至720～760℃除气并保温；(2)加入亚共晶铝硅合金的质量百分比为1.6～3.0％的AlTi5中间合金，待AlTi5合金完全熔化之后，在720～760℃保温；(3)加入亚共晶铝硅合金锭的质量百分比为0.10～0.15％的AlSr10中间合金，待AlSr10合金熔化后，升温至720～740℃除气并保温，保温时间为15～120分钟，浇注。通过控制在合金中加入AlTi5和AlSr10的加入量，提高了亚共晶铝硅系列合金的力学性能。
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公开(公告)号：CN1254328C
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN03108033.2
申请日：2003-05-16
Applicant: 西北工业大学
IPC: B22C3/00
Abstract: 本发明公开了一种铝合金薄壁件金属型铸造用焓变涂料，其特征在于：含有FeCl3、镁粉、氧化锌和水玻璃；第一层涂料成分的质量百分比为：氧化锌∶水玻璃∶水＝14∶4∶82；第二层涂料为FeCl3水溶液，其中含纯FeCl315～20%，含粘结剂量为4～8%；第三层涂料成分的质量百分比为：氧化锌∶镁粉∶水玻璃∶水＝10∶6∶4∶80。由于本发明应用三氧化二铁与镁粉的放热反应，使铝合金浇注过程金属液充型能力显著提高，与氧化锌涂料相比，金属液充型能力的提高量达到39.2%；铸件的冷却速度提高；使铸件的二次枝晶间距减小；应用分层涂敷方法，可以消除三氧化二铁和镁粉反应对铸型造成的影响，还可以消除三氧化二铁对金属液的污染。
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公开(公告)号：CN1480272A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN03108033.2
申请日：2003-05-16
Applicant: 西北工业大学
IPC: B22C3/00
Abstract: 本发明公开了一种铝合金薄壁件金属型铸造用焓变涂料及其涂敷方法。焓变涂料主要由三氧化二铁与镁粉组成，其焓变放热是通过金属浇注过程中加热涂料使三氧化二铁与镁粉发生反应放热而产生。该焓变涂料的涂敷方法为：第一层先涂敷一层氧化锌涂料，其成分比例(wt％)为：氧化锌∶水玻璃∶水＝14∶4∶82；第二层再涂敷一层FeCl3水溶液，其中含纯FeCl315～20％，含粘结剂量为4～8％；最后再涂敷一层氧化锌镁粉涂料，其成分比例(wt％)为：氧化锌∶镁粉∶水玻璃∶水＝10∶6∶4∶80。该方法通过分层涂敷，可使铝合金浇注过程金属液充型能力显著提高；铸件的冷却速度提高；还可以减小铸件的二次枝晶间距；并不影响铸件的化学成分。
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公开(公告)号：CN118422347A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410509152.8
申请日：2024-04-26
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明提供了一种α‑氨基丁酸二维金属卤化物钙钛矿单晶材料、制备方法及其应用解决目前二维金属卤化物钙钛矿结构稳定性差以及生长周期长的技术问题。本发明基于降温结晶法，利用APB晶体在氢溴酸中溶解度大的特点，在前驱体溶液迅速降温形成大量晶体后，又复升温使晶体部分溶解，通过多次循环选晶先得到具有原位籽晶的过饱和溶液，随后再通过缓慢降温法诱导晶体生长，在0.5～7天便可在籽晶上外延生长出高质量大尺寸的(C4H10NO2)PbBr3·H2O单晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118422338A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410637712.8
申请日：2024-05-22
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明提供了一种高质量大尺寸Cs3Cu2I5单晶闪烁体制备方法，解决现有制备Cs3Cu2I5单晶的各种方法无法同时兼顾晶体高质量、大尺寸、生长周期短、成本低、制备简便等优点的不足之处。该方法包括以下步骤：S1配制前驱体溶液；S2配制近饱和溶液；S3蒸发结晶；S4晶体磨抛。
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公开(公告)号：CN112309440B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202011135635.4
申请日：2020-10-21
Applicant: 西北工业大学
Inventor： 赵清华 , 王涛 , 介万奇 , 安德烈斯·卡斯泰拉诺斯·戈麦斯 , 里卡多·夫里森达
IPC: G11B7/243 , G11B7/2433 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及一种基于铂‑二维硒化铟‑少层石墨肖特基二极管的光存储器件及存储方法，以干法转移技术制备的二维硒化铟‑石墨异质结构为基础，构筑铂‑二维硒化铟‑石墨肖特基二极管基的光存储器件。与背景技术中报道的基于二维材料对称型场效应晶体管光存储器件相比，铂‑二维硒化铟‑石墨肖特基二极管基的光存储器件工作时只需要调控源极和漏极之间的电压以及外部光照，即可实现对器件逻辑状态的控制，不需要引入较大的栅极电压，简化了器件工作时的电路连接。同时，本发明将器件工作时的电流从背景技术的微安(μA)级别降低至纳安(nA)级别，达到了降低能耗的目的。
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公开(公告)号：CN113275173A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110539374.0
申请日：2021-05-16
Applicant: 西北工业大学
IPC: B05B16/20 , B05B5/00 , B05B5/16 , B05B12/08 , B05B12/12 , B05B13/04 , B05D3/02 , B05D5/12 , B05D7/24 , B05D1/04
Abstract: 本发明提供了一种静电喷涂装置及采用该静电喷涂装置制备大面积薄膜的方法，解决现有静电喷涂装置结构复杂、喷涂范围有限且效率低的问题。一种静电喷涂装置，用于在待喷涂衬底上制备大面积薄膜，包括喷涂单元、高压发生单元、加热单元以及移动单元；喷涂单元包括喷头和注射泵；喷头包括助推注射器和双头注射器；双头注射器的腔室内设置双向推杆，将腔室分为上腔室和下腔室；上腔室与助推注射器连通；下腔室的下端竖直安装有喷涂针头；注射泵通过助推注射器向双向推杆提供推力，进而调节喷涂前驱体溶液的流量；高压发生单元与喷涂针头连接；加热单元用于支撑并加热待喷涂衬底；移动单元用于调节喷涂针头在待喷涂衬底上的喷涂位置。
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公开(公告)号：CN107829139B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201711081319.1
申请日：2017-11-07
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种全无机钙钛矿单晶的逆温溶液生长方法，用于解决现有全无机钙钛矿单晶的生长方法实用性差的技术问题。技术方案是首先将原料溴化铯和溴化铅混合在有机溶剂二甲基亚砜中溶解搅拌，过滤后加入环己醇和二甲基甲酰胺混合液，得到前驱体溶液；其次将前驱体溶液在一定温度下保温一定时间，过滤已析出晶体的溶液；最后将滤液置于水箱中加热升温，生长大尺寸、高结晶质量的CsPbBr3晶体。本发明方法制得CsPbBr3粉末的XRD图谱与标准结构卡片的XRD图谱一致，证明CsPbBr3粉末是纯相。并获得了长×宽×高＝(4～7)×(3～5)×(2～3)mm3的CsPbBr3单晶体，实用性好。
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公开(公告)号：CN109487339A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201910003032.X
申请日：2019-01-03
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种用于X射线成像的大面积CdZnTe单晶制备方法，用于解决现有CdZnTe单晶制备方法难以生长大面积的CdZnTe单晶的技术问题。技术方案是将生长的CdZnTe多晶锭切片作为升华源，将GaAs(100)衬底经过化学腐蚀、超声清洗，再升华源与GaAs(100)衬底放入生长腔室，调整好升华源与GaAs(100)衬底之间的距离，关闭炉门，对生长腔室抽真空并保持真空度，缓慢升温到设定温度，每生长一段时间即降温到一定温度保温一段时间，生长结束后缓慢降温，再自然冷却，得到CdZnTe单晶，将生长好的CdZnTe晶体经过处理后叠层生长，得到高质量的大面积CdZnTe单晶。
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