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41.

发明公开
半导体装置有权

公开(公告)号：CN1906757A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200580001557.6

申请日：2005-06-09

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 谷田一真 , 森藤忠洋 , 宫田修

IPC: H01L23/12 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18

CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/3114 , H01L24/20 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L2224/04105 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05568 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05684 , H01L2224/12105 , H01L2224/16145 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73209 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2225/06513 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

Abstract: 一种半导体装置，包括：第1半导体芯片，其具有形成有第1功能元件的第1功能面及与该第1功能面相反侧的面即第1背面；第2半导体芯片，其具有第2功能面，该第2功能面形成第2功能元件，并具有与所述第1半导体芯片的第1功能面相对的相对区域和该相对区域以外的区域即非相对区域；连接构件，其在所述第1功能面与所述第2功能面的相对部分，将所述第1功能元件和所述第2功能元件电连接；绝缘膜，其按照覆盖所述第2半导体芯片的非相对区域以及所述第1半导体芯片的第1背面的方式连续形成；重新布线层，其形成在该绝缘膜的表面，与所述第2功能元件电连接；覆盖所述重新布线层的保护树脂；和由所述重新布线层贯通所述保护树脂而被竖立设置的外部连接端子。

42.

发明授权
半导体装置的制造方法失效

公开(公告)号：CN1291469C

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200410034639.8

申请日：2004-04-19

Applicant: 三洋电机株式会社 , 罗姆股份有限公司

Inventor： 梅本光雄 , 谷田一真

IPC: H01L21/60 , H01L21/58 , H01L21/56

CPC classification number: H01L21/563 , H01L24/29 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05647 , H01L2224/16225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/83192 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，可实现高可靠性的半导体芯片的电极和衬底的电连接。在衬底(2)上未形成第一电极(3)的区域涂敷密封树脂(4)。准备端部形成有第二电极(7)的半导体芯片(6)，使该半导体芯片(6)的表面与衬底(2)的表面相对配置，自其背面使第一可动板(8a)向下动，按压半导体芯片(6)的端部，从而将第二电极(7)与第一电极(3)压接。然后，自其背面使第二可动板(8b)向下动，按压半导体芯片(6)的中央部，将密封树脂(4)填充在衬底(2)和半导体芯片(6)之间的空间中。

43.

发明公开
半导体器件及其制造方法失效

公开(公告)号：CN1574264A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410049534.X

申请日：2004-06-16

Applicant: 三洋电机株式会社 , 罗姆股份有限公司

Inventor： 梅本光雄 , 谷田一真

IPC: H01L21/60 , H01L23/48 , H01L23/28

CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/481 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06582 , H01L2924/01004 , H01L2924/01078

Abstract: 一种半导体器件。在将有电极的多个半导体芯片之间介由低熔点金属构件连接的安装结构中，实现电极间的良好电气及机械连接。在第一半导体芯片(1)的表面上形成凸点电极(3)。在第二半导体芯片(10)中，形成通孔(11)，形成在该通孔(11)的中央有空隙(13)的贯通电极(12)。在凸点电极(3)和贯通电极(12)的接合面中，夹置低熔点金属构件(4)，同时使低熔点金属构件(4)的一部分在熔融时流入到贯通电极(12)的空隙(13)中。由此，可以防止因在相邻的凸点电极(3、3)之间供给过剩的低熔点金属构件(4)而导致凸点电极(3、3)间的短路。