高Cu高Al的钕铁硼磁体及其制备方法

    公开(公告)号:CN110993234A

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201911348739.0

    申请日:2019-12-24

    Abstract: 本发明公开了高Cu高Al的钕铁硼磁体及其制备方法。高Cu高Al的钕铁硼磁体包含:29.5~33.5%的R、0.985%以上的B、0.50%以上的Al、0.35%以上的Cu、1%以上的RH和0.1~0.4%的高熔点元素N和Fe;其中,所述百分比为所述元素占元素总量的质量百分比;其中,所述元素含量的质量百分比需满足如下关系:(1)1<RH<0.11R<3.54B;(2)0.12RH<Al。本发明通过联合添加一定比例的Al、RH、以及高熔点金属元素,能够有效解决高Cu磁体强度不足的问题,同时保证了磁体材料的磁学性能。

    一种R-T-B系永磁材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111243812B

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202010134700.5

    申请日:2020-02-29

    Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B系永磁材料及其制备方法和应用。该R‑T‑B系永磁材料的原料组合物包括如下质量含量的组分:R:28.5~33.0%;Ga:>0.5%;Cu:≥0.4%;B:0.84~0.94%;Al:0.05~0.07%;Co:≤2.5%但不为0;Fe:60~70%;N:Ti、Zr和Nb中的一种或多种;当N包含Ti时,所述Ti的含量为0.15~0.25%;当N包含Zr时,所述Zr的含量为0.2~0.35%;当N包含Nb时,所述Nb的含量为0.2~0.5%;百分比为各组分质量占原料组合物总质量的质量百分比。本发明的R‑T‑B系永磁材料磁性能较佳,且同一批次产品的磁性能均一。

    一种钕铁硼材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111243808B

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202010132227.7

    申请日:2020-02-29

    Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼材料及其制备方法和应用。该钕铁硼材料包含下述组分:R:28.1‑33.1wt%;Cu:≥0.4wt%;Al:0.08‑0.125wt%;B:0.84‑0.945wt%;Fe:64.6‑70.1wt%;其中:当钕铁硼材料包含Ti时,Ti的含量为0.15‑0.255wt%;当所述钕铁硼材料包含Zr时,Zr的含量为0.19‑0.355wt%;当所述钕铁硼材料包含Nb时,Nb的含量为0.19‑0.51wt%;所述钕铁硼材料中不含有Co;所述钕铁硼材料的晶界相中R6Fe13Cu相的体积分数≥3.5%。该永磁材料磁性能优异,相对磁导率低,磁体性能一致性好。

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