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公开(公告)号：CN112490602B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202011117635.1
申请日：2020-10-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电磁学与材料学领域，特别涉及一种基于多层结构的THz导波调控装置。本发明利用周期排列的多层高阻硅片转换结构实现了对THz导波的自由调控，为复杂THz系统的非直线互联(平移传输、绕行传输以及弯曲传输)实现无干扰传输提供了解决方案，有助于实现THz系统的小型化；并且所用材料为自然介质材料高阻硅，因此还具有损耗小、频带宽的优势。
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公开(公告)号：CN112029130B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010856008.3
申请日：2020-08-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，具体为一种自然沉降的梯度复合吸波材料及其制备方法。本发明根据Stokes公式为依据，利用不同吸收剂在乳液中沉降速率的不同，实现乳液中自然沉降分层的效果；选取水性聚氨酯(WPU)乳液作为基体，利用其收缩率稳定、体相粘度适中、温度稳定性好的特点，实现自然沉降成膜的效果；通过自然沉降而形成的过渡层，减少了界面跃变而导致的电磁波反射。与手动层叠相比，本发明在不影响高频吸收性能的同时，有效地改善了低频的吸收性能，拓宽吸收带宽，大大降低了多层吸波材料制备的复杂程度，对以后的梯度复合吸波结构设计有一定的参考意义。
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公开(公告)号：CN112635964A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011460703.4
申请日：2020-12-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q1/22 , H05K9/00 , B32B15/12 , B32B15/08 , B32B29/00 , B32B27/00 , B32B33/00 , B32B27/06 , B32B1/00
Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种开缝蜂窝吸波结构。本发明通过在周期蜂窝结构开设n个相同的不规则缝隙，提供了蜂窝结构内部嵌入天线和雷达等电子模块的空间，实现了基于蜂窝吸波结构预埋的设计方法，即将蜂窝芯子进行局部挖空处理，把高度集成的电子模块埋入芯子内部并进行保护设计，使航天器设计在轻量化和多功能方面有了质的飞越。预埋设计的关键问题是对蜂窝结构开缝后的电磁/力学强度进行评估，使其在合理的开缝方法下，既减轻了蜂窝结构的重量，又具有良好的电磁/力学性能。
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公开(公告)号：CN112029130A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010856008.3
申请日：2020-08-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，具体为一种自然沉降的梯度复合吸波材料及其制备方法。本发明根据Stokes公式为依据，利用不同吸收剂在乳液中沉降速率的不同，实现乳液中自然沉降分层的效果；选取水性聚氨酯(WPU)乳液作为基体，利用其收缩率稳定、体相粘度适中、温度稳定性好的特点，实现自然沉降成膜的效果；通过自然沉降而形成的过渡层，减少了界面跃变而导致的电磁波反射。与手动层叠相比，本发明在不影响高频吸收性能的同时，有效地改善了低频的吸收性能，拓宽吸收带宽，大大降低了多层吸波材料制备的复杂程度，对以后的梯度复合吸波结构设计有一定的参考意义。
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公开(公告)号：CN109167181A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810815329.1
申请日：2018-07-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，特别涉及电磁吸波结构及其设计方法。本发明将充分固化的蜂窝孔选择性浸渍吸波浆料，不仅扩大了导电通道的最大通道半径，使其与入射波波长相当，避免入射波在该导电通道内产生高阶谐振模式，增加入射波在蜂窝孔中的传播，提高结构对入射波能量的谐振吸收，大幅增强低频的吸收性能，同时也将高频的吸收性能进一步降低；而且减少了吸波浆料的使用，较之传统蜂窝吸波结构，实现相同的吸收强度，图形化蜂窝吸波结构的重量更轻，带宽为2～18GHz。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108773858A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201810749850.X
申请日：2018-07-10
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种P波段表面波吸收材料及其制备方法，属于电子材料制备技术领域。所述吸收材料为NiCuZn铁氧体复合材料，结构式为ZnxNiyCu1-x-yFe2-aO4-1.5a，其中，0.45≤x≤0.65，0.1≤y≤0.4，0≤a≤0.04。本发明提供的P波段表面波吸收材料在600M～800M频率范围内，磁导率实部在3～10之间，磁导率虚部在3～12之间，介电常数实部在3～12之间，介电常数虚部在0.1～1之间，可实现对600M～800M频率范围内表面波的良好吸收，且具有良好的抗氧化性能。
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公开(公告)号：CN108183291A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711420047.3
申请日：2017-12-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体涉及一种基于SIW的透射型多层极化转换结构。本发明通过在三个金属层中采用SIW结构，结合SIW高阶场耦合的作用，结构中只存在TM模式，在TM120与TM210模式的电场耦合下，对入射电场进行调控，进而实现电场在该结构中的偏转。本发明实现的极化调控结构具有超薄，高效，结构简单等特点，且可以通过调节几何尺寸来实现作用在不同波段满足极化转换的效果，并且制作工艺和成本都较低，使其大批量、标准化生产成为可能。
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公开(公告)号：CN104538744B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410720282.2
申请日：2014-12-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种应用于金属圆柱体的电磁硬表面结构及其构建方法，本发明涉及一种在特定频带内可加强电磁波传播的电磁硬表面结构及其构建方法，属于微波技术领域。该电磁硬表面结构由磁性介质层和相距宽度为g的矩形金属贴片沿磁性介质层长边方向依次排列组成的金属贴片层构成。磁性介质层完全覆盖金属贴片层底部，厚度为d，宽度为l，长度为h；金属贴片宽度为w，长度为l；exp(4πd/(w+d))＞1，g/w＜0.2，(w+g)/λ0＜0.25，λ0＝c/f0，l＝2π(r+d)，h＝n×(w+g)‑g，n≥4，n为正整数，λ0为自由空间中入射波的工作波长，c为自由空间中光速，f0为自由空间中入射波的工作频率。所述电磁硬表面结构应用时加载于金属圆柱体侧表面。本发明可直接应用于减小金属圆柱体对电磁波的前向散射。
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公开(公告)号：CN105101764A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510093865.1
申请日：2015-03-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，特别涉及电磁吸波结构。提供了一种立体单元宽带周期吸波结构，其底层为金属平板，金属平板上方为周期性排布的印刷有电阻膜图案的长方体硬质泡沫复合单元结构，其单元周期为a0；除与金属平板相粘合的一面没有电阻膜以外，其余五个面上均印刷有电阻膜，其中与电磁波入射方向相垂直的上表面为正方形且印刷有方环形电阻膜，其方阻值为Rsq1，与上表面相垂直的四个侧面为矩形且印刷有方环形的方阻值为Rsq2的电阻膜。本发明改善了中频(8～12GHz)的吸波性能，实现了在3～18GHz的宽带范围对入射电磁波大于80％的吸收。
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