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公开(公告)号：CN107326441B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201710514753.8
申请日：2017-06-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种常压下制备二维TMDC原子晶体材料的装置及方法，该装置包括：具有内嵌式双管结构的高温管式炉，高温管式炉上设有主输运管和次输运管，次输运管内嵌于主输运管内；主输运管内设有载物舟一，次输运管内设有载物舟二；次输运管出口处设有支撑架，支撑架上放有衬底；高温管式炉外壁上设有用于加热载物舟一内物质的加热器一和用于加热载物舟二内物质的加热器二；高温管式炉出口处设有废气处理装置。利用该装置可制备非连续TMDC单晶片或单层、多层连续TMDC薄膜，且重复性好，节省源材料。
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公开(公告)号：CN105551579B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201510974843.6
申请日：2015-12-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及薄膜及其制备方法，提供一种可电致变色的多层透明导电薄膜及其制备方法，所述多层透明导电薄膜包括从上往下依次设置的衬底、第一WO3薄膜层，Ag导电层，W缓冲层和第二WO3薄膜层；其制备方法首先通过反应溅射法在衬底上制备第一WO3薄膜层；然后分别通过直流溅射和磁控溅射在第一WO3薄膜层表面制备Ag导电层和W缓冲层；最后再通过反应溅射法在W膜层表面制备第二WO3薄膜层，本发明经过优化多层透明导电薄膜结构及制备工艺，采用溅射法制备得可电致变色的多层透明导电薄膜，且该薄膜具备可见光范围内的高透过率，高电导率，以及具有可见光透射率调节范围大、着色效率高、循环稳定性好和环境友好等优点。
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公开(公告)号：CN108374199A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810252741.7
申请日：2018-03-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多孔GeS单晶纳米片及其制备方法，包括以下步骤：(1)对衬底进行预处理，然后将衬底置于管式炉中；(2)将装有GeS粉末的石英舟置于石英管中心，然后抽真空，并用氩气冲洗2～3次，通入氩气，直至压强保持在20～40Torr；(3)升温，待温度达到后，开始沉积，沉积结束后，自然冷却至室温，得多孔GeS单晶纳米片；其中，升温过程、沉积过程和自然冷却过程中均以10～30sccm的速率通入氩气，但升温过程和自然冷却过程中通入的氩气方向与沉积过程方向相反。本发明方法降低了生产成本和制备难度，制备得到的多孔GeS单晶纳米片可用于制备大储能的Li电池。
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公开(公告)号：CN106248735A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610544388.0
申请日：2016-07-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N27/00
CPC classification number: G01N27/00
Abstract: 本发明公开了一种基于超薄硫化物薄膜的湿度传感器及其制备方法。该传感器包括衬底、位于衬底上的湿度敏感层以及镀制于湿度敏感层上的叉指电极。湿度敏感层为二硫化钨薄膜层，二硫化钨薄膜层通过硫化金属钨薄膜制备而成。本发明采用超薄二硫化钨薄膜作为湿度敏感材料，具有大的比表面积和优异的湿敏特性，所制备的电阻型湿度传感器具有结构简单、易于集成、兼容柔性基底、无需加热和功耗低的优点，便于规模化生产。
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公开(公告)号：CN103744246A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410000043.X
申请日：2014-01-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种镜面反射型电致变色器件及其制备方法，所述电致变色器件包括透明导电玻璃、绝缘垫片、凝胶电解质、氧化锌（ZnO）纳米晶和氧化锌铝（AZO）透明导电玻璃。所述制备方法具体步骤为：在AZO透明玻璃电极上直接生长ZnO纳米晶，形成粗糙表面；利用银离子无机盐、溴化物或碘化物盐、辅助导电离子无机盐、高分子聚合物均匀混合在有机溶剂中形成透明、稳定、均匀的凝胶电解质；使用封装材料将凝胶电解质封装在具有光滑表面的透明导电玻璃和具有粗糙表面的AZO透明导电玻璃之间。本发明的优点是工艺简洁、成本低廉，可大面积组装成具有高反射率、高透过率和快速响应能力的调光器件。
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