公开(公告)号：CN106887457A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201710109194.2

申请日：2011-11-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山口直

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。其中通过自对准硅化工艺形成金属硅化物层的半导体器件在可靠性上得到改善。通过根据局部反应方法的自对准硅化物工艺，在栅电极、n+型半导体区域和p+型半导体区域的相应表面之上形成金属硅化物层。在形成金属硅化物层时的第一热处理中，使用导热型退火装置进行半导体晶片的热处理。在第二热处理中，使用微波退火装置进行半导体晶片的热处理，由此降低第二热处理的温度并防止金属硅化物层的异常生长。因此，减小金属硅化物层中的结泄漏电流。

公开(公告)号：CN106356385A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610543766.3

申请日：2016-07-11

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山口直

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14638 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明涉及图像拾取器件及其制造方法。提供了一种能够将在光电二极管处生成的电荷完全传递到浮动扩散区域的图像拾取器件。在像素区域中，形成多个鳍状结构以便将光电二极管形成区域与浮动扩散区域接合。在鳍状结构中，从P型阱的表面到预定的深度位置的深度被定义成高度”。具有该高度和宽度的鳍状结构在与栅极电极延伸的方向交叉的方向上延伸。形成传输晶体管的栅极电极以便覆盖每个鳍状结构的相对的侧表面和上表面。

公开(公告)号：CN105261625A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510400938.7

申请日：2015-07-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山口直

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14645 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，以提供具有改进性能的半导体器件。半导体衬底具有元件形成表面、与所述元件形成表面相反的光接收表面、形成在所述元件形成表面侧的转移晶体管、与所述转移晶体管串联耦合的光电二极管和形成在所述元件形成表面上的布线。所述半导体衬底在其光接收表面上具有第二绝缘膜，第二绝缘膜为通过第一非晶绝缘膜和由硅制成的半导体衬底之间的反应而获得的反应膜。由于第二绝缘膜的界面态中捕获的空穴，导致在半导体衬底的光接收侧形成反型层。这有助于减小半导体衬底的光接收表面或其附近的晶体缺陷处产生的电子造成的暗电流噪声。