临时粘接用粘合剂、粘合剂层、晶片加工体及使用其的半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN110734736B

    公开(公告)日:2022-04-19

    申请号:CN201911051970.3

    申请日:2015-08-05

    Abstract: 本申请涉及临时粘接用粘合剂、粘合剂层、晶片加工体及使用其的半导体器件的制造方法。本发明提供临时粘接用粘合剂、和使用其的半导体器件的制造方法,所述临时粘接用粘合剂的耐热性优异,能够利用1种粘合剂层将半导体电路形成基板与支承基板粘接,即使经过半导体器件等的制造工序、粘合力也不发生变化,并且之后能于室温以温和的条件进行剥离。本发明为临时粘接用粘合剂,其特征在于,其为下述聚酰亚胺共聚物,所述聚酰亚胺共聚物至少具有酸二酐残基和二胺残基,在二胺残基中包含(A1)以通式(1)表示且n为1以上15以下的自然数的聚硅氧烷系二胺的残基、及(B1)以通式(1)表示且n为16以上100以下的自然数的聚硅氧烷系二胺的残基这两者。

    耐热性树脂膜及其制造方法、加热炉及图像显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN105579500B

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:CN201480053341.3

    申请日:2014-09-22

    Abstract: 本发明涉及一种耐热性树脂膜,其在氦气流下于450℃加热30分钟期间产生的排出气为0.01~4μg/cm2。本发明还涉及一种耐热性树脂膜的制造方法,所述制造方法包括:在支承体上涂布含有耐热性树脂的前体的溶液的工序;和通过多个阶段进行加热的工序,所述制造方法的特征在于,所述通过多个阶段进行加热的工序至少依次包括:(A)第1加热工序,在氧浓度为10体积%以上的气氛下,以高于200℃的温度进行加热;(B)第2加热工序,在氧浓度为3体积%以下的气氛下,以比第1加热工序高的温度进行加热。

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