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公开(公告)号：CN105226972A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510598231.1
申请日：2015-09-18
Applicant: 浙江工业大学
IPC: H02M7/219
Abstract: 一种BJT型单相桥式全控整流电路，包括输入电容Ci、PNP型BJT管Q1、PNP型BJT管Q2、NPN型BJT管Q3、NPN型BJT管Q4、NPN型BJT管Q5、NPN型BJT管Q6、输出电容Co、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6和用于通过其端口a控制NPN型BJT管Q5的基极电流从而实现对PNP型BJT管Q1工作状态的控制以及通过其端口b控制NPN型BJT管Q6的基极电流从而实现对PNP型BJT管Q2工作状态的控制的受控电流源组M1。本发明提供一种简化驱动电路结构、驱动效率较高的BJT型单相桥式全控整流电路。
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公开(公告)号：CN103516307B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310382247.X
申请日：2013-08-28
Applicant: 浙江工业大学
CPC classification number: Y02E10/58
Abstract: 一种适用于光伏阵列的能馈式MPPT接口电路由功率主回路和具有MPPT功能的多通道电流控制器2部分组成。所述功率主回路由n个完整通道电路组成。与所述功率主回路匹配，所述具有MPPT功能的多通道电流控制器拥有端口vcj、端口vs、端口vgj、端口vsj、端口vgaj、端口vsaj、端口viLj、端口vioj、端口vc。本发明可应用于全天候的光伏发电系统，置于光伏阵列之后、输入电流可控的DC-DC变换装置之前，不但可以准确、平稳、快速地捕获到复杂情况下光伏阵列的全局最大功率点，而且还具有将自身电路中的多余能量回馈给后级输入电流可控的DC-DC变换装置的能力，可高效率地实现光伏阵列利用率的最大化。
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公开(公告)号：CN102609002B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201210055452.0
申请日：2012-03-05
Applicant: 浙江工业大学
IPC: G05D3/00
Abstract: 一种六自由度串联机械臂的位置逆解控制方法，利用对偶四元数能表示三维物体旋转和平移的性质，六自由度机械臂的各个转动关节经过转换由对偶四元数表示出来，确定六自由度机械手臂的转动关节与对偶四元数的转换关系，再用各个转动关节之间的联系确立方程求出逆解。要解决的技术问题是如何将对偶四元数应用到六自由度机械臂上，及确立转动关节之间的联系确立方程求逆解。本发明提供一种实时性良好、准确性高的六自由度串联机械臂的位置逆解控制方法。
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公开(公告)号：CN102684493B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201210157788.8
申请日：2012-05-17
Applicant: 浙江工业大学
IPC: H02M3/156
Abstract: 主开关管驱动损耗小的BJT型自激式Boost变换器包括由输入电容Ci、电感L、主开关管NPN型BJT管Q1、二极管D和电容Co组成的Boost变换器的主回路，还包括主开关管Q1的驱动单元，所述主开关管Q1的驱动单元由电阻R1、电阻R2、稳压管Z1和PNP型BJT管Q2组成，所述PNP型BJT管Q2的发射极与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端与电感L的一端以及直流电压源Vi的正端相连，PNP型BJT管Q2的基极与稳压管Z1的阳极以及电阻R2的一端相连，稳压管Z1的阴极与电感L的另一端以及二极管D的阳极相连，电阻R2的另一端与直流电压源Vi的负端相连，PNP型BJT管Q2的集电极与NPN型BJT管Q1的基极相连。为提高电路的动态性能，可在直流电压源Vi的正端和PNP型BJT管Q2的基极之间并联电容C1。本发明电路结构简单，元器件数目少，主开关管驱动损耗小，轻载时电路效率高。
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公开(公告)号：CN102769380B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210153796.5
申请日：2012-05-17
Applicant: 浙江工业大学
IPC: H02M3/156
Abstract: 主开关管驱动损耗小的BJT型自激式Buck-Boost变换器包括由输入电容Ci、主开关管PNP型BJT管Q1、电感L、二极管D和电容Co组成的Buck-Boost变换器的主回路，还包括主开关管Q1的驱动单元。所述主开关管Q1的驱动单元由电阻R1、电阻R2、电阻R3、NPN型BJT管Q2和PNP型BJT管Q3组成，所述PNP型BJT管Q3的发射极与电阻R3的一端以及NPN型BJT管Q2的基极相连，电阻R3的另一端与输入电压源Vi的正端以及PNP型BJT管Q1的发射极相连，NPN型BJT管Q2的集电极与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端与PNP型BJT管Q1的基极相连，NPN型BJT管Q2的发射极与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端与直流电压源Vi的负端相连。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104038062A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410257462.1
申请日：2014-06-10
Applicant: 浙江工业大学
IPC: H02M3/156
Abstract: 本发明公开了一种输入自适应的自激式Boost变换器，包括由直流电压源Vi、输入电容Ci构成的输入电路、由电感L、PNP型BJT管Q1、NPN型BJT管Q3、PNP型BJT管Q4、NPN型BJT管Q5、电阻R4、电阻R6、电阻R7、电阻R9、二极管D1、二极管D2构成的主电路、由输出电容Co和负载R构成的输出电路，主电路还包括由NPN型BJT管Q2、电阻R2、电阻R3、电阻R5组成的输入自适应控制单元和由PNP型BJT管Q4、NPN型BJT管Q5、电阻R7和电阻R9构成的续流子电路。该电路工作范围宽，具有输入自适应特性的限流和负载短路保护功能，还能应付负载开路故障，电流检测损耗和续流导通损耗均较小，适用于辅助开关电源、LED驱动、能量收集等领域。
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公开(公告)号：CN102684487B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210157708.9
申请日：2012-05-17
Applicant: 浙江工业大学
IPC: H02M3/155
Abstract: 主开关管驱动损耗小的BJT型自激式Sepic变换器包括由输入电容Ci、电感L1、NPN型BJT管Q1、电容C、电感L2、二极管D1、二极管D和电容Co组成的Sepic变换器的主回路，还包括主开关管Q1的驱动单元。所述主开关管Q1的驱动单元由电阻R1、电阻R2、稳压管Z1和PNP型BJT管Q2组成，所述PNP型BJT管Q2的发射极与电阻R1的一端相连，电阻R1的另一端与电感L1的一端以及直流电压源Vi的正端相连，PNP型BJT管Q2的基极与稳压管Z1的阳极以及电阻R2的一端相连，稳压管Z1的阴极与电感L1的另一端以及电容C的一端相连，电阻R2的另一端与直流电压源Vi的负端相连，PNP型BJT管Q2的集电极与NPN型BJT管Q1的基极相连。为提高电路的动态性能，可在直流电压源Vi的正端和PNP型BJT管Q2的基极之间并联电容C1。本发明电路结构简单，元器件数目少，主开关管驱动损耗小，轻载时电路效率高。
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公开(公告)号：CN102403895B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201110374607.2
申请日：2011-11-22
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 一种基于MOSFET的自激式Sepic变换器，包括由输入电容Ci、电感L1、N型MOSFET M1、电容C、电感L2、二极管D和电容Co组成的Sepic变换器主回路，该自激式Sepic变换器还包括辅助电源U1，采用的单MOSFET基本自激单元电路由N型MOSFET M1、二极管D1、二极管D2、电阻R1、电阻R2、电容C1、滞环比较器U3和驱动电路U2组成。本发明提供一种效率较高、适用功率范围较宽的基于MOSFET的自激式Sepic变换器。
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公开(公告)号：CN102522890B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201110374754.X
申请日：2011-11-22
Applicant: 浙江工业大学
IPC: H02M3/137
Abstract: 一种基于MOSFET的自激式Buck-Boost变换器，包括由输入电容Ci、N型MOSFET？M1、电感L、二极管D和电容Co组成的Buck-Boost变换器主回路，该自激式Buck-Boost变换器还包括辅助电源U1，采用的单MOSFET基本自激单元电路由N型MOSFET？M1、二极管D1、二极管D2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、滞环比较器U3和驱动电路U2组成。本发明提供一种效率较高、适用功率范围较宽的基于MOSFET的自激式Buck-Boost变换器。
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公开(公告)号：CN102510217B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201110374592.X
申请日：2011-11-22
Applicant: 浙江工业大学
Abstract: 一种基于MOSFET的自激式Zeta变换器，包括由输入电容Ci、N型MOSFET？M1、电感L1、电容C、二极管D、电感L2和电容Co组成的Zeta变换器主回路，该自激式Zeta变换器还包括辅助电源U1，采用的单MOSFET基本自激单元电路由N型MOSFET？M1、二极管D1、二极管D2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、滞环比较器U3和驱动电路U2组成。本发明提供一种效率较高、适用功率范围较宽的基于MOSFET的自激式Zeta变换器。
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